Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Apple Intel Core i7 2.93 27 (Mid 2010)
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Apple Intel Core i7 2.93 27 (Mid 2010)Abato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Apple Intel Core i5 2.5 21.5 (Mid 2...
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Apple Intel Core i5 2.5 21.5 (Mid 2011)Abato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Gesamtkapazität: 32 GB Der tatsächliche Hersteller oder die Chargennummer des Artikels können abweichen. Vollständig getestet Geschwindigkeit: DDR3 4RX4 PC3 14900L 1866 MHz
Spezifikation: 32GB RAM | DDR3 | 240 Pin DIMM | RDIMM (ECC Registered) | 1866MHz PC3-14900R | 1,5 Volt Der Arbeitsspeicher ist 100% kompatibel. Der Arbeitsspeicher des Gerätes kann auf max. 512GB aufgerüstet werden. SP471443 | 4067488349508
Other World Computing OWC 8 GB DDR3-1866 ECC unbuffered (2 x 8GB, 1866 MHz, DDR3-RAM, SO-DIMM), RAM, Blau OWC1866D3ECC08G
Das 8 GB DDR3-1866 ECC unbuffered Speichermodul von Other World Computing bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Lösung für Systeme, die auf hohe Datenintegrität angewiesen sind. Mit einer Geschwindigkeit von 1866 MHz (PC3-14900) und einer CAS-Latenz von 13 ist dieses Modul ideal für Anwendungen, die eine schnelle Datenverarbeitung erfordern. Es ist speziell für den Einsatz in Servern und Workstations konzipiert und unterstützt die ECC-Technologie (Error-Correcting Code), die Fehler in den Daten erkennt und korrigiert, um die Stabilität und Zuverlässigkeit des Systems zu gewährleisten. Das Modul ist unbuffered, was bedeutet, dass es direkt mit dem Speichercontroller kommuniziert, was in bestimmten Anwendungen von Vorteil sein kann. Die Spannung von 1,5 V sorgt für einen effizienten Betrieb und ist mit einer Vielzahl von Systemen kompatibel, die DDR3-RAM unterstützen. - ECC-Technologie zur Fehlerkorrektur für erhöhte Datenintegrität - Unbuffered Design für direkte Kommunikation mit dem Speichercontroller - Optimiert für Server- und Workstation-Anwendungen - Hohe Geschwindigkeit von 1866 MHz für verbesserte Leistung.
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Apple Intel Core i5 3.1 27 (Mid 2011)
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Apple Intel Core i5 3.1 27 (Mid 2011)Abato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.