Der 8GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das HP OMEN 15-dc1066nf Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 8 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 2666 MHz ermöglicht dieser DDR4 SO-DIMM RAM eine verbesserte Systemleistung und eine flüssigere Ausführung von Anwendungen. Die Kompatibilität mit dem HP OMEN 15-dc1066nf gewährleistet eine einfache Installation und nahtlose Integration in das bestehende System. Der RAM ist ideal für Gaming, Multitasking und anspruchsvolle Anwendungen, die eine hohe Speicherkapazität erfordern. Mit einer Spannung von 1.2 Volt sorgt dieser Arbeitsspeicher für eine effiziente Energieverwendung, was ihn zu einer umweltfreundlichen Wahl macht. - Kompatibel mit HP OMEN 15-dc1066nf - DDR4 SO-DIMM mit 2666 MHz Taktfrequenz - Energieeffizient mit 1.2 Volt Spannung - Optimiert für Gaming und Multitasking.

Samsung 8Gb 2x 4Gb Ram für 2x 4GB Arbeitsspeicher RAM MSI MS-1738 DDR3 1066Samsung Speicher steht für Langlebigkeit, stabile Performance und nachhaltigen Werterhalt. Dank hochwertiger Komponenten liefert dieses Kit eine konstante Systemleistung, kurze Ladezeiten und eine hohe Ausfallsicherheit – auch bei intensiver Nutzung. Ideal für aufrüstbare Desktop-PCs und langlebige Office-Systeme.Die Module arbeiten energieeffizient und unterstützen einen zuverlässigen Dauerbetrieb, sodass Ihr System auch nach vielen Betriebsstunden performant und reaktionsschnell bleibt. Damit ist dieser Speicher die passende Wahl für alle, die langfristig in Qualität investieren möchten.Technische Daten:EAN: 4069043403755Artikelnummer: Sam_2x4GB3298Hersteller: SamsungStückliste: 7006Menge: 2Edition 3271 – optimierte Beschreibung für maximale Sichtbarkeit in Suchmaschinen.

Produktbeschreibung Unser 2GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-2G-SO-1066-2RX8-N läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 1066 MHz .Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-8500S-7 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL7. Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Produktdetails EAN: 4262360570906Speichertyp: DDR3 RAMMarke: BRAINZAPModellnummer: BS-D3-2G-SO-1066-2RX8-NKompat

Produktbeschreibung Unser 2GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-2G-1066-2RX8-N läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 1066 MHz .Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-8500U-7 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL7. Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten PCs mit DDR3 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Produktdetails EAN: 4262360570418Speichertyp: DDR3 RAMMarke: BRAINZAPModellnummer: BS-D3-2G-1066-2RX8-NKompatibel mit: De

Produktbeschreibung Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1066-2RX8-N läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 1066 MHz .Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-8500S-7 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL7. Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Produktdetails EAN: 4262360570708Speichertyp: DDR3 RAMMarke: BRAINZAPModellnummer: BS-D3-4G-SO-1066-2RX8-NKompat

Origin Storage ist ein globaler Anbieter von IT-Storage-Lösungen und Komponenten. Das Produktportfolio umfasst Festplattenlösungen, RAID-Lösungen und OEM-Teile. Origin Storage ist stolz auf seinen erstklassigen Kundenservice, wettbewerbsfähige Preise und kompetente Vertriebsmitarbeiter. Das Unternehmen ist einzigartig, nicht nur in seiner Produktpalette, sondern auch in seiner Philosophie, die ein professionelles Einkaufserlebnis bietet. Origin Storage ist der ideale Partner für alle Ihre Storage-Management-Bedürfnisse.

Samsung 8Gb 2x 4Gb Ram für Sony EliteBook 8740w 1066Mhz / ProBook 4320s 1066MhzSamsung Speicher steht für Langlebigkeit, stabile Performance und nachhaltigen Werterhalt. Dank hochwertiger Komponenten liefert dieses Kit eine konstante Systemleistung, kurze Ladezeiten und eine hohe Ausfallsicherheit – auch bei intensiver Nutzung. Ideal für langlebige Systemkonfigurationen mit Fokus auf Werterhalt.Die Module arbeiten energieeffizient und unterstützen einen zuverlässigen Dauerbetrieb, sodass Ihr System auch nach vielen Betriebsstunden performant und reaktionsschnell bleibt. Damit ist dieser Speicher die passende Wahl für alle, die langfristig in Qualität investieren möchten.Technische Daten:EAN: 4069043445663Artikelnummer: Sam_2x4GB7489Hersteller: SamsungStückliste: 2169Menge: 2Edition 7440 – optimierte Beschreibung für maximale Sichtbarkeit in Suchmaschinen.

Der Other World Computing DDR3-RAM ist ein leistungsstarkes Speicher-Kit, das speziell für bestimmte Apple-Geräte entwickelt wurde. Mit einer Gesamtkapazität von 8 GB, bestehend aus zwei 4 GB SO-DIMM-Modulen, bietet dieser RAM eine zuverlässige und effiziente Lösung für die Aufrüstung von Laptops wie dem iMac (Anfang und Ende 2009), Mac mini (Anfang und Ende 2009, Mitte 2010) sowie MacBook-Modellen (Ende 2008, Ende 2009, Mitte 2010). Der RAM arbeitet mit einer Geschwindigkeit von 1066 MHz (PC3-8500) und einer CAS-Latenz von 7, was eine schnelle Datenverarbeitung ermöglicht. Mit einer Spannung von 1,5 V und einem ungepufferten Design ist dieser Arbeitsspeicher ideal für den Einsatz in Notebooks, um die Systemleistung zu optimieren und die Multitasking-Fähigkeiten zu verbessern. Die 204-Pin-Konfiguration sorgt für eine einfache Installation und Kompatibilität mit den genannten Apple-Geräten. - Dual-Rank-Design für verbesserte Leistung - Ungepuffert und non-ECC für höhere Effizienz - Optimiert für spezifische Apple-Geräte - Einfache Installation dank 204-Pin SO-DIMM-Formfaktor - Hohe Geschwindigkeit von 1066 MHz für flüssige Abläufe.

Maximieren Sie die Performance Ihres Asus Workstation/Desktop P5G41T mit diesem Expert Memory 2GB DDR3 Mainboard-Arbeitsspeicher (RAM)-Upgrade. - Technische Details: 1x 2GB DDR3 1066MHZ 240 PIN DIMM PC3-8500U Asus Workstation/Desktop P5G41T RAM Upgrade - 100% kompatibel mit Asus Workstation/Desktop P5G41T Mainboard. - Unterstützt bis zu 8GB Gesamtspeicher (2 RAM-Slots vorhanden). - Einfache Installation – Plug & Play.

Der 8GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Lenovo IdeaPad V570 (1066) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1333 MHz und einer Kapazität von 8 GB ermöglicht dieser DDR3 SO-DIMM-RAM eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und eine schnellere Datenverarbeitung. Die Kompatibilität mit dem Lenovo IdeaPad V570 (1066) gewährleistet eine einfache Installation und optimale Leistung. Der RAM ist ideal für Nutzer, die ihre Systemleistung steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen, Multimedia oder anspruchsvollere Software. Mit einer Spannung von 1,5 Volt ist dieser Arbeitsspeicher energieeffizient und trägt zur Stabilität des Systems bei. Die Verwendung von DDR3L-1333 Chips sorgt für eine hohe Zuverlässigkeit und Langlebigkeit, was ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für Upgrades macht. - 100% kompatibel mit Lenovo IdeaPad V570 (1066) - Speichertaktfrequenz von 1333 MHz für verbesserte Leistung - Energieeffizient mit einer Spannung von 1,5 Volt - DDR3L-1333 Chips für hohe Zuverlässigkeit und Langlebigkeit.

Samsung 8Gb 2x 4Gb Ram für Sony ProBook 4525s 1066Mh / ProBook 6440b 1066MhSamsung Speicher steht für Langlebigkeit, stabile Performance und nachhaltigen Werterhalt. Dank hochwertiger Komponenten liefert dieses Kit eine konstante Systemleistung, kurze Ladezeiten und eine hohe Ausfallsicherheit – auch bei intensiver Nutzung. Ideal für aufrüstbare Desktop-PCs und langlebige Office-Systeme.Die Module arbeiten energieeffizient und unterstützen einen zuverlässigen Dauerbetrieb, sodass Ihr System auch nach vielen Betriebsstunden performant und reaktionsschnell bleibt. Damit ist dieser Speicher die passende Wahl für alle, die langfristig in Qualität investieren möchten.Technische Daten:EAN: 4069043445670Artikelnummer: Sam_2x4GB7490Hersteller: SamsungStückliste: 2169Menge: 2Edition 7441 – optimierte Beschreibung für maximale Sichtbarkeit in Suchmaschinen.

Maximieren Sie die Performance Ihres Dell Inspiron N7110 mit diesem Expert Memory 8GB DDR3 Laptop-Arbeitsspeicher (RAM)-Upgrade. - Technische Details: 2x 4GB DDR3 1066MHZ 204 PIN SO-DIMM PC3-8500S Dell Inspiron N7110 RAM Upgrade - 100% kompatibel mit Dell Inspiron N7110 Laptop. - Unterstützt bis zu 16GB Gesamtspeicher (2 RAM-Slots vorhanden). - Einfache Installation – Plug & Play.

Produktbeschreibung Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1066-2RN-07-10-F2 läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 1066 MHz .Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-8500S-07-10-F2 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL7. Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Kompatibel mit PC3-8500S-07-10-F2 wie z.B: Samsung M471B5273BH1-CF8 Samsung M471B5273CH0-CF8 Hynix

8GB DDR3 Apple Notebook-Speicher vom Typ: SODIMM 1066MHz Geschwindigkeit mit CAS Latenz: CL7 Non-ECC, Unbuffered, Apple kompatibel 1,5 Volt Lieferumfang: Kingston KTA-MB1066K2 Arbeitsspeicher 8GB (2x 4GB) DDR3 Kit

Der Other World Computing DDR3-RAM mit 8 GB Kapazität ist ein leistungsstarkes Speichermodul, das speziell für Notebooks entwickelt wurde. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz (PC3-8500) bietet dieses SO-DIMM-Modul eine zuverlässige und effiziente Leistung für verschiedene Anwendungen. Es ist ungepuffert und non-ECC, was es ideal für den Einsatz in Apple Mac mini und MacBook Modellen aus dem Jahr 2010 macht. Die CAS-Latenz von 7 sorgt für eine schnelle Datenverarbeitung, während die Betriebsspannung von 1,5 V eine stabile Leistung gewährleistet. Dieses Modul ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die die Leistung ihres Systems verbessern möchten. - Ungepuffertes und non-ECC Design für verbesserte Leistung - CAS-Latenz von 7 für schnelle Datenverarbeitung - Betriebsspannung von 1,5 V für Stabilität - Kompatibel mit Apple Mac mini und MacBook (Mitte 2010) - RoHS-zertifiziert für umweltfreundliche Nutzung.

4GB (1x 4GB) DDR3 RAM SO-DIMM PC3-8500S 2Rx8 1066 MHz 204 PIN 1.5V CL7 Arbeitsspeicher mit Lebenslanger Garantie. Wir verwenden auschließlich Markenchips. Für die meisten Laptops, Notebooks & Netbooks mit DDR3 RAM Für Dual-Channel Geeignet. Maximale Performance und Stabilität. Dual Rank / Beidseitig Bestückt / Doppelseitig Bestückt

Maximieren Sie die Performance Ihres Acer Aspire 5745G-7746G64 mit diesem Expert Memory 8GB DDR3 Laptop-Arbeitsspeicher (RAM)-Upgrade. - Technische Details: 1x 8GB DDR3 1066MHZ 204 PIN SO-DIMM PC3-8500S Acer Aspire 5745G-7746G64 RAM Upgrade - 100% kompatibel mit Acer Aspire 5745G-7746G64 Laptop. - Unterstützt bis zu 32GB Gesamtspeicher (4 RAM-Slots vorhanden). - Einfache Installation – Plug & Play.

Maximieren Sie die Performance Ihres HP Pavilion dv8-1180 mit diesem Expert Memory 4GB DDR3 Laptop-Arbeitsspeicher (RAM)-Upgrade. - Technische Details: 1x 4GB DDR3 1066MHZ 204 PIN SO-DIMM PC3-8500S HP Pavilion dv8-1180 RAM Upgrade - 100% kompatibel mit HP Pavilion dv8-1180 Laptop. - Unterstützt bis zu 8GB Gesamtspeicher (2 RAM-Slots vorhanden). - Einfache Installation – Plug & Play.

Samsung 4Gb Dimm 1066Mhz Technische Daten Marke: Samsung Speicherkapazität eines Riegels:4GB Geschwindigkeit:1066 Mhz Spannung: 1,5 Volt CAS-Latency: 8-8-8 DDR-Typ:DDR3 Verfügbar als:Einzelspeicher, 2 x 4GB, 4 x 4GB

Maximieren Sie die Performance Ihres Asus ROG G73JW mit diesem Expert Memory 8GB DDR3 Laptop-Arbeitsspeicher (RAM)-Upgrade. - Technische Details: 1x 8GB DDR3 1066MHZ 204 PIN SO-DIMM PC3-8500S Asus ROG G73JW RAM Upgrade - 100% kompatibel mit Asus ROG G73JW Laptop. - Unterstützt bis zu 16GB Gesamtspeicher (2 RAM-Slots vorhanden). - Einfache Installation – Plug & Play.