Der 8GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Intel DP67BAB3 Mainboard konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Lösung für Ihre Computerbedürfnisse. Mit einer Speicherkapazität von 8 GB und einer Taktfrequenz von 1333 MHz (1066 MHz) ermöglicht dieser DDR3 UDIMM Arbeitsspeicher eine verbesserte Systemleistung und Multitasking-Fähigkeiten. Der unbuffered Speicher ist einfach zu installieren und sorgt für eine nahtlose Integration in Ihr bestehendes System. Ideal für Benutzer, die eine kosteneffiziente Aufrüstung ihres Computers anstreben, bietet dieser RAM eine hervorragende Kompatibilität und Stabilität für das Intel DP67BAB3 Modell. Die 240-Pin Konfiguration gewährleistet eine einfache Handhabung und Installation, während die 1,5 Volt Spannung für einen energieeffizienten Betrieb sorgt. - Kompatibel mit Intel DP67BAB3 Mainboard - DDR3-RAM mit 8GB Speicherkapazität - Unbuffered U-DIMM Formfaktor - Energieeffiziente 1,5 Volt Spannung.

Der 8GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Samsung 4 Serie NP410B2B-A01 Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 8 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 1333 MHz (1066 MHz) ermöglicht dieser DDR3 SO-DIMM Speicher eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und eine schnellere Datenverarbeitung. Die Kompatibilität mit dem Samsung 4 Serie NP410B2B-A01 gewährleistet eine einfache Installation und optimale Leistung. Der Speicher ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen oder anspruchsvollere Aufgaben. Die Verwendung von LPDDR3 Chips sorgt für eine effiziente Energieverwaltung und eine verbesserte Systemstabilität. - 100% kompatibel mit Samsung 4 Serie NP410B2B-A01 - DDR3 SO-DIMM Formfaktor für einfache Installation - Optimierte Leistung durch 8GB Speicherkapazität - Energieeffiziente LPDDR3 Chips für verbesserte Systemstabilität.

Der 8GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Samsung NP-RV520-S06 konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 8 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 1333 MHz (1066 MHz) ermöglicht dieser DDR3 SO-DIMM RAM eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und eine schnellere Datenverarbeitung. Die Kompatibilität mit dem Samsung NP-RV520-S06 gewährleistet eine einfache Installation und eine nahtlose Integration in bestehende Systeme. Dieser RAM ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen oder anspruchsvollere Aufgaben. Die Verwendung von LPDDR3-Chips sorgt für eine effiziente Energieverwaltung und eine verbesserte Systemstabilität. - 100% kompatibel mit Samsung NP-RV520-S06 - DDR3 SO-DIMM Formfaktor für einfache Installation - Effiziente Energieverwaltung durch LPDDR3-Chips - Erhöhte Multitasking-Fähigkeit mit 8GB Speicherkapazität.

Der RAM von PHS-memory ist speziell für das Medion Akoya P4327 konzipiert und bietet eine Speicherkapazität von 8 GB. Dieser DDR3-RAM ist eine ideale Lösung zur Verbesserung der Systemleistung und sorgt für eine reibungslose Ausführung von Anwendungen und Multitasking. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz gewährleistet dieser Arbeitsspeicher eine effiziente Datenverarbeitung. Der unbuffered U-DIMM Formfaktor und die 240 Pins machen die Installation einfach und unkompliziert. Dieser RAM ist eine zuverlässige Wahl für alle, die die Leistung ihres Medion Akoya P4327 optimieren möchten. - Arbeitsspeichertyp: DDR3-RAM - Speicherkonfiguration: 1 x 8GB - Spannung: 1.5 Volt (V) - RAM-Puffer: unbuffered.

Der PHS-memory 8GB RAM Speicher ist speziell für das Mainboard Gigabyte GA-H67MA-D2H-B3 (rev. 1.1) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Lösung für Ihre Computeranwendungen. Mit einer Speicherkapazität von 8 GB und einer Taktfrequenz von 1066 MHz (PC3-10600U) gewährleistet dieser DDR3 UDIMM Arbeitsspeicher eine optimale Performance für verschiedene Anwendungen, sei es im Büro, beim Gaming oder bei kreativen Projekten. Der unbuffered RAM ist einfach zu installieren und bietet eine hohe Kompatibilität mit dem genannten Mainboard, was ihn zu einer idealen Wahl für Nutzer macht, die ihre Systemleistung steigern möchten. Die 240-Pin Konfiguration und die Betriebsspannung von 1,5 Volt sorgen für eine stabile und effiziente Energieversorgung, während die Verwendung von LPDDR3 Chips die Effizienz und Geschwindigkeit des Speichers weiter optimiert. - Kompatibel mit Gigabyte GA-H67MA-D2H-B3 (rev. 1.1) - Speicherkapazität von 8 GB für verbesserte Leistung - DDR3-RAM mit einer Taktfrequenz von 1066 MHz - Unbuffered Design für einfache Installation und hohe Effizienz.

Der 8GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LS11-HR-154GE konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM optimal für die Anforderungen moderner Anwendungen geeignet. Die 204 Pins und die Spannung von 1.5 Volt gewährleisten eine stabile Leistung und Kompatibilität mit dem entsprechenden Laptop-Modell. Durch die Installation dieses RAM-Moduls können Benutzer die Multitasking-Fähigkeiten ihres Geräts verbessern und die Gesamtleistung steigern, was besonders bei ressourcenintensiven Anwendungen von Vorteil ist. Die einfache Installation ermöglicht es auch weniger erfahrenen Nutzern, den Arbeitsspeicher problemlos zu erweitern und somit die Lebensdauer ihres Geräts zu verlängern. - 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS11-HR-154GE - Speichertaktfrequenz von 1066 MHz für verbesserte Leistung - DDR3 SO-DIMM Formfaktor für einfache Installation - 204 Pins und 1.5 Volt Spannung für stabile Leistung.

Der PHS-memory RAM ist ein leistungsstarker 8GB DDR3-RAM, der speziell für das Mainboard Gigabyte GA-EX58-UD3R (rev. 1.7) entwickelt wurde. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz bietet dieser Arbeitsspeicher eine zuverlässige und effiziente Leistung für verschiedene Anwendungen. Der U-DIMM Formfaktor sorgt für eine einfache Installation und Kompatibilität mit dem entsprechenden Mainboard. Der unbuffered RAM ist ideal für Benutzer, die eine verbesserte Systemleistung und Stabilität anstreben. Mit einer Spannung von 1.5 Volt ist dieser RAM sowohl energieeffizient als auch leistungsstark, was ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für Upgrades oder Neubauten macht. - Speichertaktfrequenz von 1066 MHz für verbesserte Leistung - Unbuffered RAM für höhere Stabilität - Energieeffiziente 1.5 Volt Spannung - Kompatibel mit Gigabyte GA-EX58-UD3R (rev. 1.7).

Der PHS-memory RAM ist ein leistungsstarker 8GB Arbeitsspeicher, der speziell für das Asus A54C-SO465V Modell entwickelt wurde. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz bietet dieser DDR3-RAM eine zuverlässige und effiziente Leistung, die für verschiedene Anwendungen und Multitasking-Szenarien geeignet ist. Der SO-DIMM Formfaktor sorgt für eine einfache Installation in kompatiblen Laptops. Dieser RAM ist nicht nur eine ideale Lösung zur Aufrüstung des Systems, sondern auch eine Möglichkeit, die Gesamtleistung und Reaktionsfähigkeit des Geräts zu verbessern. Mit einer Spannung von 1,5 Volt gewährleistet der Arbeitsspeicher eine stabile und energieeffiziente Nutzung, was ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für Nutzer macht, die Wert auf Leistung und Zuverlässigkeit legen. - Kompatibel mit Asus A54C-SO465V - Speichertaktfrequenz von 1066 MHz - Energieeffizient mit 1,5 Volt Spannung - LPDDR3 Arbeitsspeicherchip für verbesserte Leistung.

Der 8GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das HP Elite 8200 Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz sorgt dieser DDR3 UDIMM-RAM für eine verbesserte Systemleistung und reibungsloses Multitasking. Der unbuffered Speicher ist einfach zu installieren und ermöglicht eine nahtlose Integration in bestehende Systeme. Die 240-Pin-Konfiguration gewährleistet eine hohe Kompatibilität mit dem HP Elite 8200, sodass Nutzer von einer stabilen und effizienten Leistung profitieren können. Dieser RAM ist eine ideale Wahl für alle, die die Leistung ihres Systems steigern möchten, sei es für Büroanwendungen, Multimedia oder andere anspruchsvolle Aufgaben. - Kompatibel mit HP Elite 8200 - Speichertaktfrequenz von 1066 MHz - Unbuffered U-DIMM Formfaktor - Einfache Installation und Integration.

Der PHS-memory RAM ist ein leistungsstarker 8GB Arbeitsspeicher, der speziell für das Modell Asus X73SV-TY263V entwickelt wurde. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz bietet dieser DDR3-RAM eine zuverlässige und effiziente Leistung, die für verschiedene Anwendungen und Multitasking-Szenarien geeignet ist. Der SO-DIMM Formfaktor sorgt für eine einfache Installation in kompatiblen Laptops. Dieser RAM ist nicht nur mit einer Spannung von 1,5 Volt optimiert, sondern auch mit 204 Pins ausgestattet, was ihn zu einer idealen Wahl für Nutzer macht, die die Leistung ihres Systems steigern möchten. Die Verwendung von LPDDR3 Chips gewährleistet eine verbesserte Energieeffizienz und Stabilität, was zu einer insgesamt besseren Systemleistung führt. - 100% kompatibel mit Asus X73SV-TY263V - Speichertaktfrequenz von 1066 MHz - Energieeffizienter LPDDR3 Chip - Einfache Installation im SO-DIMM Format.

Der 8GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Asus X7BSV-V2G-TY436V konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 8 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 1333 MHz (1066 MHz) ermöglicht dieser DDR3 SO-DIMM RAM eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und eine schnellere Datenverarbeitung. Die Kompatibilität mit dem Asus X7BSV-V2G-TY436V gewährleistet eine einfache Installation und optimale Leistung. Der RAM ist mit 204 Pins ausgestattet und arbeitet bei einer Spannung von 1,5 Volt, was ihn zu einer energieeffizienten Wahl für Nutzer macht, die die Leistung ihres Systems steigern möchten. Dieses Speichermodul ist ideal für Anwendungen, die eine hohe Datenverarbeitung erfordern, und trägt zur Stabilität und Geschwindigkeit des Systems bei. - 100% kompatibel mit Asus X7BSV-V2G-TY436V - Speicherkapazität von 8GB für verbesserte Leistung - DDR3 SO-DIMM mit 204 Pins - Energieeffizient bei 1,5 Volt Betriebsspannung.

Der 8GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Asus K53SJ-SX216V konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 8 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 1333 MHz (1066 MHz) ermöglicht dieser DDR3 SO-DIMM RAM eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und eine schnellere Datenverarbeitung. Die Kompatibilität mit dem Asus K53SJ-SX216V gewährleistet eine einfache Installation und eine nahtlose Integration in bestehende Systeme. Dieser Arbeitsspeicher ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen, Multimedia oder anspruchsvollere Aufgaben. Die Verwendung von LPDDR3-Chips sorgt für eine effiziente Energieverwaltung und trägt zur Langlebigkeit des Geräts bei. - 100% kompatibel mit Asus K53SJ-SX216V - DDR3 SO-DIMM Formfaktor für einfache Installation - Optimierte Leistung mit 8GB Speicherkapazität - Energieeffiziente LPDDR3-Chips für längere Lebensdauer.

Produktbeschreibung Unser 8GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-8G-1600-2RX8-N läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz.Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-12800U-11 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11. Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten PCs mit DDR3 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Produktdetails EAN: 4262360570678Speichertyp: DDR3 RAMMarke: BRAINZ

Produktbeschreibung Unser 8GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-8G-1600-2RX8-L läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz.Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800U-11 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11. Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten PCs mit DDR3 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Produktdetails EAN: 4262360570685Speichertyp: DDR3 RAM

Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Motherboard Asus P5G41C-M konzipiert und bietet eine zuverlässige Leistung mit einer Taktfrequenz von 1066 MHz. Dieser DDR3 UDIMM Arbeitsspeicher ist eine ideale Lösung für Benutzer, die die Leistung ihres Systems verbessern möchten. Mit einer Speicherkapazität von 2 GB pro Modul ermöglicht dieser RAM eine effiziente Nutzung der verfügbaren Ressourcen. Der Speicher ist unbuffered und unterstützt eine Spannung von 1,5 Volt, was ihn zu einer stabilen Wahl für verschiedene Anwendungen macht. Es stehen zwei Steckplätze für DDR3-Speicher zur Verfügung, was eine flexible Erweiterung des Arbeitsspeichers ermöglicht. Beachten Sie, dass eine Mischbestückung mit DDR2-Speichern nicht möglich ist, was die Kompatibilität und Stabilität des Systems gewährleistet. - 100% kompatibel mit Asus P5G41C-M Motherboard - Maximale Speicherkapazität von 8GB bei Verwendung von DDR3 - Unbuffered RAM für verbesserte Systemleistung - Zwei Steckplätze für DDR3-Speicher verfügbar.

4GB DDR3 Crucial Ram Speicher 1066 Mhz 1067 Mhz MacBook Pro 5,2 5,3 2009 Apple PC3 Partn CT102464BF106B Wir bieten Ihnen hier den 100% kompatiblen RAM für Ihren Apple-Gerät an.Den Arbeitsspeicher erweiterten, ist eine einfache und günstigste Methode, um mehr Leistung aus Ihrem Mac herauszuholen.Profitieren Sie von schnelleren Zugriffszeiten auf Programme und Dateien und erhöhen Sie die Multitasking-Fähigkeit durch mehr Hauptspeicher.Wir greifen ausschließlich auf Speicherchips von renommierten Herstellern wie Hynix, Crucial oder Samsung zurück . auch für folgende Apple Modelle geeignet MacBook MacBook 5,1 Late 2008 MacBook Pro 2.00 GHz 13" Intel Core 2 DDR3 Version MacBook Pro 2.40 GHz 13" Intel Core 2 DDR3 Version (Bitte bei Late 2008 Hinweis am Ende des s beachten) MacBook 6,1 LATE 2009 Modelle (max 2x4GB = 8GB) MacBook Pro 2.26 GHz 13" Intel Core 2 DDR3 Version MacBook 7,1 LATE 2010 Modelle (max 2x4GB = 8GB) MacBook Pro 2.40 GHz 13" Intel Core 2 DDR3 Version MacBook Pro MacBook Pro 5,1 Late

Der PHS-memory RAM ist ein leistungsstarker 8GB Arbeitsspeicher, der speziell für das MSI Classic CX640MX entwickelt wurde. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz und dem DDR3-RAM-Typ bietet dieser SO-DIMM-RAM eine zuverlässige und effiziente Leistung für verschiedene Anwendungen. Die Kompatibilität mit dem MSI Classic CX640MX gewährleistet eine einfache Installation und nahtlose Integration in das bestehende System. Der RAM ist mit 204 Pins ausgestattet und arbeitet bei einer Spannung von 1,5 Volt, was ihn zu einer energieeffizienten Wahl für Nutzer macht, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten. Dieser RAM ist ideal für alltägliche Aufgaben sowie für anspruchsvollere Anwendungen, die eine verbesserte Reaktionsfähigkeit und Multitasking-Fähigkeit erfordern. - 100% kompatibel mit MSI Classic CX640MX - Speichertaktfrequenz von 1066 MHz - Energieeffizient mit 1,5 Volt Spannung - SO-DIMM Formfaktor für einfache Installation.

Der 8GB RAM für den Lenovo ThinkServer TS200 (6525) mit Celeron CPU bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Speichererweiterung für Server- und Workstation-Anwendungen. Dieser DDR3-RAM ist speziell für die Kompatibilität mit dem Lenovo ThinkServer konzipiert und gewährleistet eine nahtlose Integration in bestehende Systeme. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz und einer Spannung von 1,5 Volt ist dieser unbuffered U-DIMM-RAM optimal für den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen. Die 240-Pin-Konfiguration sorgt für eine einfache Installation und eine stabile Leistung, während die LPDDR3-Technologie eine effiziente Energieverwaltung ermöglicht. Dieser RAM ist ideal für Benutzer, die die Leistung ihres Servers steigern möchten, ohne Kompromisse bei der Zuverlässigkeit einzugehen. - 100% kompatibel mit Lenovo ThinkServer TS200 (6525) - Speichertaktfrequenz von 1066 MHz für verbesserte Leistung - Unbuffered U-DIMM-Formfaktor für einfache Installation - Optimiert für Server- und Workstation-Anwendungen.

Der PHS-memory 8GB RAM ist speziell für das Packard Bell EasyNote LS13-HR-269GE (LX.BTN02.006) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 8 GB und einer Taktfrequenz von 1066 MHz (PC3-8500S) ermöglicht dieser DDR3 SO-DIMM Arbeitsspeicher eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und eine schnellere Datenverarbeitung. Die Kompatibilität mit dem spezifischen Modell gewährleistet eine einfache Installation und optimale Leistung. Der RAM ist ideal für Benutzer, die die Leistung ihres Notebooks steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen oder anspruchsvollere Aufgaben. Mit einer Spannung von 1,5 Volt ist dieser Arbeitsspeicher energieeffizient und trägt zur Stabilität des Systems bei. - Kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS13-HR-269GE (LX.BTN02.006) - Speicherkapazität von 8 GB für verbesserte Leistung - Taktfrequenz von 1066 MHz für schnelle Datenverarbeitung - Energieeffizient mit einer Spannung von 1,5 Volt.

Der 8GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LS44-HR-1186GE konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser Arbeitsspeicher ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Notebooks steigern möchten. Die 204-Pin Konfiguration sorgt für eine einfache Installation und Kompatibilität mit dem entsprechenden Gerät. Der RAM ist nicht nur leistungsstark, sondern auch energieeffizient, da er mit einer Spannung von 1,5 Volt arbeitet. Dies macht ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für alle, die eine verbesserte Systemleistung und Multitasking-Fähigkeiten benötigen. - 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS44-HR-1186GE - Speichertaktfrequenz von 1066 MHz für verbesserte Leistung - Energieeffizient mit einer Spannung von 1,5 Volt - Einfache Installation dank 204-Pin SO-DIMM Konfiguration.