Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das MSI MS-163N Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 800 MHz und einer Speicherkapazität von 2 GB ermöglicht dieser DDR2 SO-DIMM RAM eine verbesserte Systemleistung und eine reibungslose Ausführung von Anwendungen. Die 200 Pins und die Spannung von 1,8 Volt sorgen für eine einfache Integration in das bestehende System. Dieser RAM ist eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres MSI MS-163N Laptops optimieren möchten, ohne Kompromisse bei der Kompatibilität einzugehen. - 100% kompatibel mit MSI MS-163N - Speichertaktfrequenz von 800 MHz für verbesserte Leistung - Einfache Installation dank SO-DIMM Formfaktor.

Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Mainboard Gigabyte GA-M55S-S3 (rev. 1.1) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 2GB und einer Taktfrequenz von 800MHz (PC2-6400U) ist dieser DDR2 UDIMM-RAM eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Systems steigern möchten. Der unbuffered RAM ist einfach zu installieren und sorgt für eine verbesserte Systemstabilität und -geschwindigkeit. Die Kompatibilität mit dem Gigabyte GA-M55S-S3 (rev. 1.1) gewährleistet, dass dieser Speicher nahtlos in bestehende Systeme integriert werden kann, ohne dass zusätzliche Anpassungen erforderlich sind. Mit einer Spannung von 1.8 Volt und 240 Pins erfüllt dieser RAM die gängigen Standards und Anforderungen für moderne Computeranwendungen. - Kompatibel mit Gigabyte GA-M55S-S3 (rev. 1.1) - Speicherkapazität von 2GB für verbesserte Leistung - Taktfrequenz von 800MHz für schnelle Datenverarbeitung - Unbuffered Design für einfache Installation und Stabilität.

Der PHS-memory 2GB RAM Speicher ist speziell für das Samsung NP-N230-HAV1 Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 2 GB und einer Taktfrequenz von 800 MHz (PC2-6400S) ermöglicht dieser DDR2 SO-DIMM RAM eine verbesserte Systemleistung und eine reibungslosere Ausführung von Anwendungen. Die 200-Pin-Konfiguration und die Betriebsspannung von 1,8 Volt sorgen für eine einfache Integration in das bestehende System. Dieser RAM-Speicher ist eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Samsung NP-N230-HAV1 optimieren möchten. - 100% kompatibel mit Samsung NP-N230-HAV1 - Speichertaktfrequenz von 800 MHz für verbesserte Leistung - Formfaktor SO-DIMM für einfache Installation - DDR2-RAM mit 200-Pin-Konfiguration.

Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Mainboard Gigabyte GA-M52L-S3P (rev. 1.2) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Taktfrequenz von 800 MHz (PC2-6400U) sorgt dieser DDR2 UDIMM-RAM für eine verbesserte Systemleistung und eine reibungslose Ausführung von Anwendungen. Der unbuffered Speicher ist einfach zu installieren und bietet eine Speicherkapazität von 2 GB pro Modul, was ihn zu einer idealen Wahl für Nutzer macht, die die Leistung ihres Systems steigern möchten. Die Kompatibilität mit der Gigabyte-Marke gewährleistet eine nahtlose Integration in bestehende Systeme, während die 240 Pins eine einfache Verbindung ermöglichen. Dieser RAM ist eine kosteneffiziente Lösung für alle, die ihre Hardware aufrüsten möchten. - Kompatibel mit Gigabyte GA-M52L-S3P (rev. 1.2) - DDR2-RAM mit 800 MHz Taktfrequenz - Unbuffered U-DIMM Formfaktor - 240 Pins für einfache Installation.

Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Mainboard Gigabyte GA-M68M-S2P (rev. 2.3) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 800 MHz und der DDR2 UDIMM Technologie sorgt dieser RAM für eine verbesserte Systemleistung und Stabilität. Die unbuffered Bauweise ermöglicht eine direkte Verbindung zwischen dem RAM und der CPU, was die Effizienz bei der Datenverarbeitung erhöht. Dieser Arbeitsspeicher ist eine ideale Lösung für Nutzer, die die Leistung ihres Systems optimieren möchten, sei es für alltägliche Anwendungen oder spezifische Aufgaben, die mehr RAM erfordern. Die Kompatibilität mit dem Gigabyte Mainboard gewährleistet eine einfache Installation und Nutzung, sodass Nutzer schnell von den Vorteilen des zusätzlichen Speichers profitieren können. - Speicherkapazität von 2GB pro Modul - Speichertaktfrequenz von 800 MHz - Unbuffered DDR2-RAM für verbesserte Effizienz - Kompatibel mit Gigabyte GA-M68M-S2P (rev. 2.3).

Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Mainboard Gigabyte GA-M55S-S3 (rev. 1.0) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 800 MHz und dem DDR2 UDIMM Standard sorgt dieser RAM für eine verbesserte Systemleistung und eine reibungslose Ausführung von Anwendungen. Die unbuffered Konfiguration ermöglicht eine direkte Verbindung zu den Speicherkanälen, was die Effizienz und Geschwindigkeit des Datenzugriffs erhöht. Dieser Arbeitsspeicher ist eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Systems optimieren möchten, ohne Kompromisse bei der Kompatibilität einzugehen. Die 240-Pin-Ausführung gewährleistet eine einfache Installation und Integration in das bestehende System. - Kompatibel mit Gigabyte GA-M55S-S3 (rev. 1.0) - Speichertaktfrequenz von 800 MHz - Unbuffered RAM für verbesserte Effizienz - 240-Pin U-DIMM Formfaktor.

Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Mainboard Gigabyte GA-EP45-UD3LR (rev. 1.1) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 800 MHz (PC2-6400U) gewährleistet dieser DDR2 UDIMM-RAM eine optimale Leistung für verschiedene Anwendungen. Die unbuffered Konfiguration sorgt für eine direkte Kommunikation zwischen dem RAM und der CPU, was die Effizienz und Geschwindigkeit des Systems erhöht. Mit einer Speicherkapazität von 2 GB pro Modul ist dieser RAM eine ideale Lösung für Benutzer, die ihre Systeme aufrüsten möchten, um eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und schnellere Datenverarbeitung zu erreichen. Die 240-Pin Konfiguration und die Betriebsspannung von 1,8 Volt machen diesen RAM zu einer kompatiblen und energieeffizienten Wahl für das genannte Mainboard. - Kompatibel mit Gigabyte GA-EP45-UD3LR (rev. 1.1) - Speichertaktfrequenz von 800 MHz für verbesserte Leistung - Unbuffered Design für direkte Kommunikation mit der CPU - 240-Pin Konfiguration für einfache Installation.

Der PHS-memory 2GB RAM Speicher ist speziell für das Modell Asus F5Z-AP146A konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 2 GB und einer Taktfrequenz von 800 MHz (PC2-6400S) ist dieser DDR2 SO-DIMM-RAM eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Systems steigern möchten. Die Kompatibilität mit dem Asus F5Z-AP146A gewährleistet eine einfache Installation und einen reibungslosen Betrieb. Der RAM ist mit 200 Pins ausgestattet und arbeitet bei einer Spannung von 1,8 Volt, was ihn zu einer energieeffizienten Lösung für verschiedene Anwendungen macht. Dieser Arbeitsspeicher ist eine hervorragende Option für alle, die die Leistung ihres Laptops optimieren möchten. - 100% kompatibel mit Asus F5Z-AP146A - Energieeffizient mit 1,8 Volt Spannung - Optimiert für Anwendungen mit DDR2-RAM.

Der PHS-memory 2GB RAM Speicher ist eine leistungsstarke Erweiterung für das Samsung NP-R700AS05. Mit einer Speichertaktfrequenz von 800 MHz und dem DDR2 SO-DIMM Formfaktor bietet dieser RAM eine zuverlässige und effiziente Leistung für verschiedene Anwendungen. Die 2 GB Speicherkapazität ermöglichen eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und tragen zur Optimierung der Systemgeschwindigkeit bei. Dieser Arbeitsspeicher ist speziell für das Samsung NP-R700AS05 konzipiert und gewährleistet eine 100%ige Kompatibilität, was ihn zu einer idealen Wahl für Nutzer macht, die die Leistung ihres Geräts steigern möchten. Die Installation ist einfach und erfordert keine speziellen Kenntnisse, sodass auch weniger erfahrene Nutzer von den Vorteilen profitieren können. - Kompatibel mit Samsung NP-R700AS05 - Speichertaktfrequenz von 800 MHz - Einfache Installation und Nutzung.

Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Samsung NP-N145-JPM3 Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 800 MHz und der DDR2-RAM-Technologie sorgt dieser SO-DIMM-RAM für eine verbesserte Systemleistung und eine reibungslose Ausführung von Anwendungen. Die 2GB Speicherkapazität pro Modul ermöglicht es, mehrere Programme gleichzeitig auszuführen, was die Effizienz und Produktivität steigert. Die Kompatibilität mit dem Samsung NP-N145-JPM3 gewährleistet eine einfache Installation und Nutzung, ohne dass zusätzliche Anpassungen erforderlich sind. Dieser RAM ist eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Laptops optimieren möchten. - Speichertaktfrequenz von 800 MHz für verbesserte Leistung - Kompatibel mit Samsung NP-N145-JPM3 für einfache Installation - DDR2-RAM-Technologie für effiziente Datenverarbeitung - 200 Pins für eine zuverlässige Verbindung im SO-DIMM-Format.

Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Samsung NP-NB30TSP-PS1 Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 2 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 800 MHz (PC2-6400S) sorgt dieser DDR2 SO-DIMM-RAM für eine verbesserte Systemleistung und reibungsloses Multitasking. Die Kompatibilität mit dem spezifischen Modell gewährleistet eine einfache Installation und optimale Funktionalität. Der Arbeitsspeicher ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Samsung Laptops steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen oder anspruchsvollere Aufgaben. Mit einer Spannung von 1,8 Volt ist dieser RAM effizient und trägt zur Stabilität des Systems bei. - 100% kompatibel mit Samsung NP-NB30TSP-PS1 - Speicherkapazität von 2GB für verbesserte Leistung - Taktfrequenz von 800MHz für schnelles Datenmanagement - Einfache Installation dank SO-DIMM Formfaktor.

Dieser 2GB Arbeitsspeicher ist für Asus PRO79AE-TY036V 100% kompatibel. Dual Channel Unterstützung: Das Gerät unterstützt die Dual-Channel Technik. Bei Einsatz von zwei gleichen Speichern wird der Takt auf dem Speicherbus verdoppelt. Die Mischbestückung mit verschiedenen Speicherkapazitäten ist ohne Probleme möglich, allerdings wird dann der Dual Channel nicht unterstützt. Bei Mischbestückung wird der normale Speichertakt des Arbeitsspeichers genutzt.

Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Toshiba Satellite Pro L300D konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 800 MHz und dem DDR2 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM optimal für die Anforderungen des Laptops geeignet. Die 2GB Speicherkapazität pro Modul ermöglicht eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und sorgt für eine flüssigere Nutzung von Anwendungen. Die Kompatibilität mit dem Toshiba Satellite Pro L300D gewährleistet eine einfache Installation und eine nahtlose Integration in das bestehende System. Dieser RAM ist eine ideale Wahl für alle, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten. - Speichertaktfrequenz von 800 MHz für verbesserte Leistung - Spezifisch für Toshiba Satellite Pro L300D entwickelt - Einfache Installation dank SO-DIMM Formfaktor - Bietet 2GB zusätzliche Speicherkapazität für Multitasking.

Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Samsung NP-NC10-KB03 Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 800 MHz und einer Speicherkapazität von 2 GB ermöglicht dieser DDR2 SO DIMM RAM eine verbesserte Systemleistung und eine reibungslose Ausführung von Anwendungen. Der SO-DIMM Formfaktor sorgt für eine einfache Installation in kompatiblen Geräten. Dieser RAM ist eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Samsung Notebooks steigern möchten, ohne auf Kompatibilität verzichten zu müssen. Die Speicherkonfiguration von 1 x 2GB gewährleistet eine optimale Nutzung des verfügbaren Platzes im Gerät. Mit einer Spannung von 1.8 Volt arbeitet dieser RAM effizient und zuverlässig. - 100% kompatibel mit Samsung NP-NC10-KB03 - Speichertaktfrequenz von 800 MHz für verbesserte Leistung - Einfache Installation dank SO-DIMM Formfaktor - Effiziente Energieversorgung mit 1.8 Volt Spannung.

Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Samsung NP-N145-JP02 Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 800 MHz und der DDR2 SO-DIMM Technologie gewährleistet dieser RAM eine optimale Leistung für alltägliche Anwendungen und Multitasking. Die 2GB Speicherkapazität pro Modul ermöglicht eine verbesserte Systemreaktionsfähigkeit und unterstützt die Ausführung mehrerer Programme gleichzeitig. Die Kompatibilität mit dem Samsung NP-N145-JP02 sorgt dafür, dass Nutzer eine einfache Installation und einen reibungslosen Betrieb erwarten können. Dieser RAM ist eine ideale Wahl für alle, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten, ohne auf Qualität und Zuverlässigkeit zu verzichten. - 100% kompatibel mit Samsung NP-N145-JP02 - Speichertaktfrequenz von 800 MHz für verbesserte Leistung - Einfache Installation dank SO-DIMM Formfaktor.

Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für die Verwendung mit dem Kontron COMe-cPV2 konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Lösung für Ihre Anforderungen. Mit einer Speicherkapazität von 2 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 800 MHz (PC2-6400S) gewährleistet dieser DDR2 SO-DIMM Arbeitsspeicher eine optimale Leistung und Kompatibilität. Die 200 Pins und die Betriebsspannung von 1,8 Volt machen ihn zu einer idealen Wahl für Systeme, die auf diese Spezifikationen angewiesen sind. Dieser RAM-Speicher ist eine hervorragende Option für alle, die die Leistung ihres Kontron COMe-cPV2-Systems verbessern möchten, sei es für industrielle Anwendungen oder andere spezialisierte Einsatzbereiche. - 100% kompatibel mit Kontron COMe-cPV2 - Speicherkapazität von 2GB für verbesserte Leistung - Taktfrequenz von 800MHz für schnelle Datenverarbeitung - Formfaktor SO-DIMM für kompakte Bauweise.

Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Samsung NP-NC10-KA03 konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 2 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 800 MHz (PC2-6400S) ist dieser DDR2 SO-DIMM-RAM eine ideale Lösung für Nutzer, die die Leistung ihres Geräts steigern möchten. Die Kompatibilität mit dem Samsung NP-NC10-KA03 gewährleistet eine einfache Installation und eine nahtlose Integration in bestehende Systeme. Der RAM ist mit 200 Pins ausgestattet und arbeitet bei einer Spannung von 1,8 Volt, was ihn zu einer energieeffizienten Wahl für verschiedene Anwendungen macht. Dieses Speichermodul ist eine hervorragende Option für alle, die die Leistung ihres Laptops optimieren möchten. - 100% kompatibel mit Samsung NP-NC10-KA03 - Speicherkapazität von 2GB für verbesserte Leistung - Taktfrequenz von 800MHz für schnelle Datenverarbeitung - Energieeffizient mit einer Spannung von 1.8V.

Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Motherboard ECS - Elitegroup AMD480XM-A konzipiert und bietet eine zuverlässige Leistung für verschiedene Anwendungen. Mit einer Speichertaktfrequenz von 800 MHz und dem DDR2-RAM-Typ gewährleistet dieser unbuffered U-DIMM Arbeitsspeicher eine effiziente Datenverarbeitung. Die 240-Pin-Konfiguration sorgt für eine einfache Installation und Kompatibilität mit dem entsprechenden System. Dieser RAM ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Systems verbessern möchten, ohne auf die Kompatibilität zu verzichten. Die Speicherkapazität von 2 GB ermöglicht es, mehrere Anwendungen gleichzeitig auszuführen und sorgt für ein reibungsloses Nutzererlebnis. - Kompatibel mit ECS - Elitegroup AMD480XM-A Motherboard - Speichertaktfrequenz von 800 MHz für verbesserte Leistung - Unbuffered U-DIMM Design für einfache Installation - 240-Pin Konfiguration für optimale Kompatibilität.

Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für die Elitegroup AMD690GM-M2 entwickelt und bietet eine zuverlässige Leistung für verschiedene Anwendungen. Mit einer Speichertaktfrequenz von 800 MHz (PC2-6400U) gewährleistet dieser DDR2 UDIMM Arbeitsspeicher eine effiziente Datenverarbeitung und ist ideal für Nutzer, die ihre Systeme aufrüsten oder reparieren möchten. Der unbuffered Speicher ist einfach zu installieren und bietet eine hohe Kompatibilität mit der ECS - Elitegroup Plattform. Mit einer Speicherkapazität von 2 GB pro Modul ist dieser RAM eine kosteneffiziente Lösung für alltägliche Computeranwendungen und sorgt für eine verbesserte Systemstabilität und -geschwindigkeit. - Kompatibel mit ECS - Elitegroup AMD690GM-M2 - Speichertaktfrequenz von 800 MHz für optimale Leistung - Unbuffered Design für einfache Installation - 240 Pins für eine zuverlässige Verbindung.

Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Samsung NP-NC10-HAZ1 Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Taktfrequenz von 800 MHz und einer Speicherkapazität von 2 GB ermöglicht dieser DDR2 SO-DIMM Speicher eine verbesserte Systemleistung und eine reibungslosere Nutzung von Anwendungen. Die Kompatibilität mit dem Samsung NP-NC10-HAZ1 gewährleistet eine einfache Installation und einen nahtlosen Betrieb. Der RAM ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Geräts steigern möchten, sei es für alltägliche Aufgaben oder spezifische Anwendungen. Mit einer Spannung von 1,8 Volt ist dieser Speicher effizient und trägt zur Stabilität des Systems bei. Die 200 Pins sorgen für eine sichere Verbindung und eine optimale Funktionalität. - 100% kompatibel mit Samsung NP-NC10-HAZ1 - Speichertaktfrequenz von 800 MHz für verbesserte Leistung - Einfache Installation dank SO-DIMM Formfaktor - Effiziente Spannung von 1,8 Volt für Stabilität.