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Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Packard Bell TX69HR
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Packard Bell TX69HRAbato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Terra 1450 II
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Terra 1450 IIAbato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Samsung NP305 E5A
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Samsung NP305 E5AAbato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Medion E6222 MD98780
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Medion E6222 MD98780Abato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Packard Bell LV11-HC
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Packard Bell LV11-HCAbato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Packard Bell TS44HR
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Packard Bell TS44HRAbato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für ASRock HT 321B
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: ASRock HT 321BAbato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Packard Bell TS13-HR
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Packard Bell TS13-HRAbato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Packard Bell TK13BZ
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Packard Bell TK13BZAbato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Crucial 2 x 8GB DDR3L, 16 GB, 2 x 8 GB, DDR3L, 1866 MHz CT2K8G3S186DM
Speicherkapazität:16 GBSpeicherlayout (Module x Größe):2 x 8 GBInterner Speichertyp:DDR3LKomponente für:LaptopCAS Latenz:13Speichertaktfrequenz:1866 MHzSpeicherspannung:1.35 VUnterstützt Mac-Betriebssysteme:Ja Als Marke von Micron, einem der größten Speicherhersteller der Welt, bieten wir Ihnen die Qualität und Expertise, die sich seit über 40 Jahren in neuen Computern findet. Sie merken den Unterschied. Allgemeine InformationenHersteller:Micron Technology, IncHersteller-Artikelnummer:CT2K8G3S186DMHersteller-Webseite:Marke:CrucialProduktbezeichnung:CT2K8G3S186DM RAM-ModulAnzahl in Packung:2Produkttyp:RAM-ModulTechnische InformationenSpeichergröße:16 GBSpeichertechnologie:DDR3L SDRAMSpeicherspannung:1,35 VAnzahl Module:2 x 8GBSpeichergeschwindigkeit:1866 MHzSpeicherstandard:DDR3L-1866/PC3-14900Speicherfehlerüberprüfung:Nicht-ECCSignalverarbeitung:UngepuffertCAS-Latenz:CL13Unterstützte Geräte:Desktop-PCAbmessungen / Gewicht / FarbeAnzahl Nadeln:204-poligFormfaktor:SoDIMM
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Packard Bell TS11HR
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Packard Bell TS11HRAbato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Packard Bell TE11HC
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Packard Bell TE11HCAbato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Packard Bell LV44-HC
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Packard Bell LV44-HCAbato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Dell E6420 (i7-2720QM)
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Dell E6420 (i7-2720QM)Abato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Synology DS418 Play
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Synology DS418 PlayAbato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Gigabyte GB-BPCE-3350C
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Gigabyte GB-BPCE-3350CAbato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Packard Bell LK11BZ
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Packard Bell LK11BZAbato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Lenovo Edge E420s
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Lenovo Edge E420sAbato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Dell XPS 17
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Dell XPS 17Abato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.
Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM Speicher für Lenovo Edge E135
Abato Samsung 8GB DDR3 1866MHz RAM SpeicherKapazität: 8GBGeschwindigkeit: DDR3-1866MHzBauform: SO-DIMMKompatible Gerätekategorie: NotebookChipqualität: Original Samsung Chips, exklusiv für Abato gefertigtKompatibel mit: Lenovo Edge E135Abato setzt bei diesem Modul auf streng selektierte Samsung Speicherchips für maximale Stabilität, Leistung und Langlebigkeit – ideal als Aufrüstung oder Ersatzspeicher.