8GB DDR3L SO-DIMM 1333MHz Team Group Laptop Speichermodul Notebook Speicher Team Group 8GB DDR3L SO-DIMM. RAM-Speicher: 8 GB, Interner Speichertyp: DDR3L, Speichertaktfrequenz: 1333 MHz Eigenschaften Speicher RAM-Speicher 8 GB Interner Speichertyp DDR3L Speichertaktfrequenz 1333 MHz Komponente für Notebook Memory Formfaktor 204-pin SO-DIMM Speicherlayout (Module x Größe) 1 x 8 GB CAS Latenz 11 Speicherspannung 1.35 V ECC Nicht Unbuffered Speicher Ja Sonstiges Model Nr. TED3L8G1600C11-S01

DDR3 NOTEBOOKS MEMORY Team-Gruppenmarke Qualitätsstandards wurden eingehalten, um dem Kunden eine großartige Erfahrung zu gewährleisten Entdecken Sie unser Produktsortiment

Hersteller: TeamGroupModellname: EliteGesamtkapazität: 8GBAnzahl der Module: 1xKapazität der Einzelmodule: 8GBArt des Speichers: DDR3L-1600JEDEC Norm: PC3L-12800SBauform: DIMMSpeicherinterface: DDR3Max. Frequenz: 1600MHzVerpackung: SingleSpannung: 1.35VAnschluss des Speichers: 204-pinLatenz (CL): CL11

1600 MT/s / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - ungepuffert - non-ECC

F3-1333C9D-16GIS, AEGIS-Serie Dieses G.Skill Dual-Channel-Kit besteht aus zwei 8-GB-DDR3-1333-Speichermodulen (PC3-10600) der AEGIS-Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die Module unterstützen Latenzen von 9-9-9-24 bei 1333 MHz.

Maximieren Sie die Systemleistung mit der G.Skill 16GB DDR3-1333 – die ideale Speicherlösung für anspruchsvolles Multitasking und zuverlässige Serveranwendungen. Eigenschaften Memoria RAM G.Skill 16GB DDR3-1333 2x8GB DDR3 1333MHz CL9 Dual Channel Die G.Skill 16GB DDR3-1333 sorgt mit ihren 2 x 8GB Modulen und 1333MHz Taktung für eine stabile und flotte Speicherbasis in Workstations Gaming-PCs und Servern. Durch die Dual Channel Architektur profitieren Sie von erhöhter Bandbreite mehr Datendurchsatz und schnelleren Programmstarts – perfekt für professionelle Anwender Entwickler und Power User. Mit einer CAS-Latenz von 9 erhalten Sie schnelle Reaktionszeiten für datenintensive Anwendungen während die unbuffered Bauweise (nicht ECC) für einfache Systemimplementierung und uneingeschränktes Overclocking sorgt. Optimal geeignet für Upgrades klassischer Systeme garantiert diese DDR3-Lösung maximale Kompatibilität mit einer Vielzahl von Mainboards für Desktop-PCs und Server. Ob für Virtualisierung Bildbearbeitung Soft...

G.Skill SQ Series - DDR3 - Modul - 4 GB - SO

Steigern Sie die Leistung Ihres Notebooks mit dem G.Skill F3-12800CL11S-4GBSQ 4GB DDR3 SO-DIMM – die optimale Lösung für flüssige Multitasking- und anspruchsvolle Anwendungen. Eigenschaften Memoria RAM G.Skill F3-12800CL11S-4GBSQ 4GB 1x4GB DDR3 1600MHz CL11 SO-DIMM Mit 4 GB DDR3 SO-DIMM und einer Taktfrequenz von 1600 MHz sorgt dieses Modul für eine deutliche Beschleunigung beim Systemstart Programmaufrufen und bei produktiver Arbeit. Die CAS-Latenz von 11 garantiert schnelle Reaktionszeiten und minimiert Verzögerungen bei speicherintensiven Aufgaben wie Bildbearbeitung Softwareentwicklung oder Multimedia-Streaming. Durch das unbuffered (nicht gepufferte) Design und 204-Pin-Bauform ist das Upgrade unkompliziert: einfach einsetzen und sofort von mehr Geschwindigkeit profitieren. Mit einem Standardspannung von 1 5 V bietet das Modul ein ideales Zusammenspiel aus Performance und Energieeffizienz – perfekt für Hardware-Enthusiasten Techniker und professionelle Anwender die Zuverlässigkeit und Stabilität verlangen...

Hersteller: G.SkillModellname: SQ SeriesGesamtkapazität: 4GBAnzahl der Module: 1xKapazität der Einzelmodule: 4GBArt des Speichers: DDR3-1600JEDEC Norm: PC3-12800SSpeichertyp: unbufferedBauform: SO-DIMMSpeicherinterface: DDR3Max. Frequenz: 1600MHzVerpackung: SingleSpannung: 1.50VAnschluss des Speichers: 204-pinLatenz (CL): CL11RAS to CAS Delay (tRCD): 11Ras Precharge Time (tRP): 11Row Active Time (tRAS): 28

DIMM 204-PIN - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - ungepuffert - non-ECC

G.Skill Ripjaws-X - DDR3 - Kit - 16 GB: 2 x 8

16GB (2x 8GB) G.Skill DDR3-1600 Kit CL9 9-9-24 F3-1600C9D-16

Speicherkapazität:4 GBSpeicherlayout (Module x Größe):1 x 4 GBInterner Speichertyp:DDR3LSpeicherdatenübertragungsrate:1600 MT/sKomponente für:LaptopMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMGepufferter Speichertyp:Unregistered (unbuffered)CAS Latenz:11Breite der Speicherschnittstelle:64 BitSpeicherrangfolge:1Speicherspannung:1.35 VModulkonfiguration:512M x 64Speichertyp:PC3-12800Produktfarbe:Schwarz, GrünBleiüberzug:GoldUnterstützt Windows-Betriebssysteme:JaUnterstützt Mac-Betriebssysteme:JaUnterstützte Linux-Betriebssysteme:JaKompatible Produkte:Acer: Aspire All-in-One Z3 Series AZ3-600-xxxx, Aspire All-in-One Z3 Series AZ3-605-xxxx, Aspire E Series E3-111-xxxx, Aspire E Series E3-112M-xxxx, Aspire E Series E5-411-xxxx, Aspire E Series E5-421-xxxx, Aspire E Series E5-471-xxxx, Aspire E Series E5-471G-xxxx, Aspire E Series E5-471P-xxxx, Aspire E Series E5-472G, Aspire E Series E5-473xx-xxx, Aspire E Series E5-511-xxxx, Aspire E Series E5-511G, Aspire E Series E5-511P-xxxx, Aspire E Series E5-521-xxxx, Aspire E Series E5-551-xxxx, Aspir

Kingston Technology System spezifischer Speicher-Modul mit 4 GB DDR3L Kapazität und einer Betriebsfrequenz von 1600 MHz. Dieser Speicherriegel wurde für die Kompatibilität mit spezifischen Notebook-Systemen führender Hersteller entwickelt, darunter Acer, Apple iMac, Dell, Fujitsu, Gateway, HP, Lenovo, NEC, Packard Bell, Panasonic, Samsung, Sony und Toshiba. Die DDR3L Niederspannungstechnologie gewährleistet einen effizienten Energieverbrauch bei gleichbleibend zuverlässiger Leistung. Jedes Modul durchläuft umfassende Test- und Qualifizierungsprozesse während der gesamten Produktion, um Kompatibilität und Zuverlässigkeit mit den vorgesehenen Systemen sicherzustellen. Dieser Speicherausbau kann die Systemreaktionsfähigkeit bei Multitasking-Vorgängen verbessern und die Verarbeitungseffizienz für Multimedia-Anwendungen steigern. Der systemspezifische Designansatz bedeutet, dass jedes Modul massgeschneidert ist, um die exakten technischen Spezifikationen der Ziel-Notebook-Modelle zu erfüllen. Die Fertigungsexpertise und Qualitätskontrollprozesse von Kingston tragen zu konsistenten Leistungsmerkmalen bei. Der Speicherriegel ist für den Betrieb innerhalb standardmässiger Notebook-Temperaturbereiche konzipiert, typischerweise zwischen 0 °C und 70 °C für optimale Leistung. Die physikalischen Abmessungen entsprechen den Standard-Notebook-Speicher-Formfaktor-Spezifikationen für eine unkomplizierte Installation in kompatiblen Systemen. Dieses Produkt repräsentiert Kingstons Fokus auf die Entwicklung von Speicherlösungen, die sich nahtlos in bestehende Hardware-Konfigurationen integrieren und gleichzeitig messbare Leistungsverbesserungen für alltägliche Computeraufgaben und Multimedia-Verarbeitungsanforderungen bieten.

Kingston ist Ihre beste Quelle für systemspezifische Desktop-Speicher Jedes Speichermodul von Kingston wurde entwickelt, hergestellt und getestet, um die Leistung eines marken-spezifischen Computersystems zu maximieren Alle Speichermodule von Kingston bestehen aus hochwertigen Komponenten und werden unterstützt durch strenge Tests und die Engineering-Kompetenz Kostenlosen technischen Support, eine lebenslange Garantie und die legendäre Zuverlässigkeit von Kingston Bitte überprüfen Sie vor dem Kauf dieses DRAM-Moduls immer die Kompatibilität mit dem Hersteller

MerkmaleGepufferter SpeichertypUnregistered (unbuffered)RAM-Speicher4 GBSpeicherlayout (Module x Größe)2 x 2 GBInterner SpeichertypDDR3Speichertaktfrequenz1600 MHzKomponente fürNotebookMemory Formfaktor204-pin SO-DIMMECCNeinCAS Latenz9SpeicherkanäleDual-channelSpeicherspannung1,5 VSPD profilJaVerpackungsdatenVerpackungsartSO-DIMM Speicherkapazität:4 GBSpeicherlayout (Module x Größe):2 x 2 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:LaptopMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMGepufferter Speichertyp:Unregistered (unbuffered)CAS Latenz:9Speichertaktfrequenz:1600 MHzSpeicherkanäle:ZweikanaligSpeicherspannung:1.5 VSPD profil:JaVerpackungsart:SO-DIMM SO-DIMM DDR3-1600 Kit Arbeitsspeicher Dieses G.Skill Dual-Channel Kit besteht aus zwei 2-GB-DDR3-1600-Speichermodulen in SO-DIMM-Bauform (PC3-12800). Die Gesamtkapazität beträgt 4 GB. Die Module sind auf Latenzen von 9-9-9-28 bei 1600 MHz programmiert und verfügen über Kontakte. - Typ: SDRAM-DDR3 - EAN: 4711148597333 - Hersteller-Nr.: F3-12800CL9D-4GBSQ - Serie: SQ - Kapazität: 4 GB (2 x 2 GB

F3-12800CL9D-4GBSQ, SQ-Serie Dieses G.Skill Dual-Channel Kit besteht aus zwei 2-GB-DDR3-1600-Speichermodulen in SO-DIMM-Bauform (PC3-12800). Die Gesamtkapazität beträgt 4 GB. Die Module sind auf Latenzen von 9-9-9-28 bei 1600 MHz programmiert und verfügen über vergoldete Kontakte.

Speicherkapazität:16 GBSpeicherlayout (Module x Größe):2 x 8 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:PC / ServerMemory Formfaktor:240-pin DIMMGepufferter Speichertyp:Unregistered (unbuffered)CAS Latenz:12Speichertaktfrequenz:2133 MHzSpeicherkanäle:ZweikanaligSpeicherspannung:1.6 VKühlung:KühlkörperBetriebstemperatur:0 - 85 °CTemperaturbereich bei Lagerung:-25 - 95 °CRelative Luftfeuchtigkeit in Betrieb:10 - 80%Luftfeuchtigkeit bei Lagerung:10 - 85%Höhe:40 mmWarentarifnummer (HS):84733020 Allgemeine InformationenHersteller:GSkill International EnterpriseHersteller-Artikelnummer:F3-2133C10D-16GXMHersteller-Webseite:Marke:G.SKILLProduktlinie:RipjawsXProdukttyp:RAM-ModulTechnische InformationenSpeichergröße:16 GBSpeichertechnologie:DDR3 SDRAMSpeicherspannung:1,60 VAnzahl Module:2 x 8GBSpeichergeschwindigkeit:2133 MHzSpeicherstandard:DDR3-2133/PC3-17000Speicherfehlerüberprüfung:Nicht-ECCSignalverarbeitung:UngepuffertCAS-Latenz:CL10Merkmale:WärmeableitblechAbmessungen / Gewicht / FarbeAnzahl Nadeln:240-poligFormfaktor:DIMMBreite:4

Hersteller: G.SkillModellname: RipJawsXGesamtkapazität: 16GBAnzahl der Module: 2xKapazität der Einzelmodule: 8GBArt des Speichers: DDR3-2133JEDEC Norm: PC3-17066USpeichertyp: unbufferedBauform: DIMMSpeicherinterface: DDR3Max. Frequenz: 2133MHzVerpackung: Dual KitSpannung: 1.50V-1.60VAnschluss des Speichers: 240-pinLatenz (CL): CL10RAS to CAS Delay (tRCD): 12Ras Precharge Time (tRP): 12Row Active Time (tRAS): 31

G.Skill RipjawsX 16GB (8GBx2) DDR3-2133 MHz. Komponente für: PC / Server, Speicherkapazität: 16 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 2 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR3, Speichertaktfrequenz: 2133 MHz, Memory Formfaktor: 240-pin DIMM, CAS Latenz: 12 Betriebsbedingungen Betriebstemperatur0 - 85 °C Temperaturbereich bei Lagerung-25 - 95 °C Relative Luftfeuchtigkeit in Betrieb10 - 80% Luftfeuchtigkeit bei Lagerung10 - 85% Gewicht und Abmessungen Höhe40 mm Logistikdaten Warentarifnummer (HS)84733020 Merkmale CAS Latenz12 Speicherkapazität16 GB Speicherlayout (Module x Größe)2 x 8 GB Interner SpeichertypDDR3 Speichertaktfrequenz2133 MHz Komponente fürPC / Server Memory Formfaktor240-pin DIMM ECCNein SpeicherkanäleZweikanalig Gepufferter SpeichertypUnregistered (unbuffered) Speicherspannung1.6 V KühlungKühlkörper