Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das HP G62-130EG Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 1066 MHz (PC3-8500S) sorgt dieser DDR3 SO-DIMM-RAM für eine verbesserte Systemleistung und reibungsloses Multitasking. Die Kompatibilität mit dem HP G62-130EG garantiert eine einfache Installation und nahtlose Integration in bestehende Systeme. Der RAM ist mit 204 Pins ausgestattet und arbeitet bei einer Spannung von 1,5 Volt, was ihn zu einer energieeffizienten Wahl für Nutzer macht, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten. Dieser Arbeitsspeicher ist eine ideale Lösung für alle, die die Leistung ihres HP G62-130EG optimieren möchten. - 100% kompatibel mit HP G62-130EG - DDR3 SO-DIMM mit 1066 MHz Taktfrequenz - Energieeffizient mit 1,5 Volt Betriebsspannung - Einfach zu installieren und nahtlos integrierbar.

Der PHS-memory 4GB RAM Speicher ist speziell für das Asus N71VN-TY013V Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten. Die 4 GB Speicherkapazität pro Modul ermöglicht eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und sorgt dafür, dass Anwendungen reibungslos laufen. Der Arbeitsspeicher ist mit einer Spannung von 1,5 Volt ausgelegt, was ihn energieeffizient macht und gleichzeitig die Systemstabilität gewährleistet. Die Kompatibilität mit dem Asus N71VN-TY013V garantiert eine einfache Installation und sofortige Nutzung ohne zusätzliche Anpassungen. - 100% kompatibel mit Asus N71VN-TY013V - Speichertaktfrequenz von 1066 MHz - Energieeffiziente 1,5 Volt Spannung - DDR3L-1066 Chip für verbesserte Leistung.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Samsung NP-SE11-AS02 konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz und der DDR3 SO-DIMM Technologie gewährleistet dieser RAM eine optimale Leistung für verschiedene Anwendungen. Die Kompatibilität mit dem Samsung NP-SE11-AS02 sorgt dafür, dass Nutzer eine einfache Installation und einen reibungslosen Betrieb erwarten können. Der Speicher ist ideal für alltägliche Aufgaben sowie für anspruchsvollere Anwendungen, die eine verbesserte Reaktionsfähigkeit und Multitasking-Fähigkeit erfordern. Mit einer Speicherkapazität von 4 GB ist dieser RAM eine ausgezeichnete Wahl für alle, die die Leistung ihres Geräts steigern möchten. - 100% kompatibel mit Samsung NP-SE11-AS02 - Speichertaktfrequenz von 1066 MHz - Arbeitsspeicher Typ: DDR3 SO-DIMM - Spannung von 1.5 Volt für effizienten Betrieb.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Asus U33JC-RX169X konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM optimal für die Anforderungen moderner Anwendungen geeignet. Die 4GB Kapazität ermöglicht eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und sorgt für eine flüssige Performance bei alltäglichen Aufgaben. Der Speicher ist mit einer Spannung von 1.5 Volt ausgelegt und bietet eine hohe Energieeffizienz. Die Kompatibilität mit dem Asus U33JC-RX169X gewährleistet eine einfache Installation und Nutzung, sodass Nutzer von einer sofortigen Leistungssteigerung profitieren können. - Speichertaktfrequenz von 1066 MHz für verbesserte Leistung - Energieeffizient mit 1.5 Volt Spannung - Optimiert für das Asus U33JC-RX169X Modell.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Samsung NP-R710FS05 Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Taktfrequenz von 1066 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten. Die Kompatibilität mit dem Samsung NP-R710FS05 gewährleistet eine einfache Installation und einen reibungslosen Betrieb. Der Speicher ist mit einer Spannung von 1,5 Volt ausgelegt und nutzt moderne LPDDR3-Chips, die eine effiziente Energieverwaltung ermöglichen. Diese Eigenschaften machen den PHS-memory RAM zu einer ausgezeichneten Wahl für alle, die die Leistung ihres Systems optimieren möchten. - 100% kompatibel mit Samsung NP-R710FS05 - Effiziente Energieverwaltung durch LPDDR3-Chips - Einfache Installation dank SO-DIMM Formfaktor.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Notebook-Modell Asus U33JC-RX099V konzipiert. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor bietet dieses Modul eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des internen Speichers. Der 204-Pin SO-DIMM Speicher ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Notebooks steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen oder anspruchsvollere Aufgaben. Die Kompatibilität mit dem Asus U33JC-RX099V gewährleistet eine einfache Installation und einen reibungslosen Betrieb. Dieser RAM-Speicher ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die die Effizienz und Geschwindigkeit ihres Systems verbessern möchten. - Kompatibel mit Asus U33JC-RX099V - Speichertaktfrequenz von 1066 MHz - 204-Pin SO-DIMM Formfaktor - DDR3-RAM für verbesserte Leistung.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Asus X64JV-JX536V konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM optimal für die Anforderungen moderner Anwendungen geeignet. Die 204-Pin Konfiguration gewährleistet eine einfache Installation und Kompatibilität mit dem entsprechenden Laptop-Modell. Der Arbeitsspeicher arbeitet mit einer Spannung von 1,5 Volt, was ihn energieeffizient macht und gleichzeitig die Systemleistung steigert. Diese RAM-Erweiterung ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Asus Laptops verbessern möchten, sei es für alltägliche Aufgaben oder anspruchsvollere Anwendungen. - 100% kompatibel mit Asus X64JV-JX536V - Energieeffizient mit 1,5 Volt Spannung - Optimale Leistung durch 1066 MHz Speichertaktfrequenz.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Asus A52JE-EX174V konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten. Die 4GB Kapazität ermöglicht eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und sorgt dafür, dass Anwendungen reibungslos laufen. Der Speicher ist einfach zu installieren und bietet eine 100%ige Kompatibilität mit dem Asus A52JE-EX174V, was ihn zu einer praktischen Lösung für alle macht, die die Leistung ihres Geräts optimieren möchten. Mit einer Spannung von 1.5 Volt ist dieser RAM energieeffizient und trägt zur Stabilität des Systems bei. - Kompatibel mit Asus A52JE-EX174V - Speichertaktfrequenz von 1066 MHz - Energieeffizient mit 1.5 Volt Spannung - Einfach zu installieren und zuverlässig.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Asus PRO5IJT-SX620V Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4GB und einer Taktfrequenz von 1066MHz (PC3-8500S) ermöglicht dieser DDR3 SO-DIMM Speicher eine verbesserte Systemleistung und eine reibungslose Ausführung von Anwendungen. Der SO-DIMM Formfaktor sorgt für eine einfache Installation in kompatiblen Laptops und Notebooks. Dieser Arbeitsspeicher ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Asus PRO5IJT-SX620V optimieren möchten, sei es für alltägliche Aufgaben oder anspruchsvollere Anwendungen. Die Kompatibilität und die technischen Spezifikationen garantieren eine nahtlose Integration in das bestehende System, wodurch die Effizienz und Geschwindigkeit des Geräts gesteigert werden. - 100% kompatibel mit Asus PRO5IJT-SX620V - Speichertaktfrequenz von 1066MHz - Formfaktor: SO-DIMM für einfache Installation - Betriebsspannung von 1.5 Volt.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Samsung NP-R560-AS0F konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM optimal für die Anforderungen moderner Anwendungen geeignet. Die 204-Pin Konfiguration und die Betriebsspannung von 1,5 Volt gewährleisten eine effiziente Energieverwendung und Kompatibilität mit dem entsprechenden Laptop-Modell. Dieser Arbeitsspeicher ist eine ideale Lösung für Nutzer, die die Leistung ihres Samsung NP-R560-AS0F steigern möchten, sei es für alltägliche Aufgaben oder anspruchsvollere Anwendungen. - 100% kompatibel mit Samsung NP-R560-AS0F - Speichertaktfrequenz von 1066 MHz - Energieeffizient mit 1,5 Volt Betriebsspannung - LPDDR3 Chip für verbesserte Leistung.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Asus X7BJF-TY047V konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4GB und einer Taktfrequenz von 1066MHz (PC3-8500S) ist dieser DDR3 SO-DIMM-RAM ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Systems steigern möchten. Der RAM ist mit einer Spannung von 1.5 Volt ausgelegt und gewährleistet eine effiziente Energieverwendung. Die 204 Pins sorgen für eine einfache Installation und Kompatibilität mit dem entsprechenden Laptop-Modell. Dieser Arbeitsspeicher ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die die Leistung ihres Asus X7BJF-TY047V optimieren möchten. - 100% kompatibel mit Asus X7BJF-TY047V - DDR3-RAM mit 1066MHz Taktfrequenz - Energieeffizient mit 1.5 Volt Spannung - Einfache Installation dank 204 Pins.

Dieser 32GB Arbeitsspeicher ist für HP ProLiant ML330 Gen6 (G6) 100% kompatibel. Speicherkonfiguration: Gerne unterstützt Sie unser Speicherteam bei der Wahl des richtigen Arbeitsspeichers und der Konfiguration Ihres Servers. Technologie GB / Modul Anzahl Gesamt Maximale Kapazität nach Speichertechnologie UDIMM ECC 4GB RAM 12 48GB RDIMM 16GB RAM 18 288GB RDIMM 32GB RAM 12 384GB UDIMM ECC Speicher und RDIMM (Registered) Serverspeicher können nicht gemeinsam eingesetzt werden. Bei einer Aufrüstung sollten Sie deshalb wissen, welche Speicher bereits vorhanden sind, oder komplett auf RDIMM Speicher aufrüsten. Der Einsatz von ECC UDIMM Speichern oder ECC RDIMM Speichern hängt von der vorhandenen CPU ab. Grundsätze der Speicherbestückung: Die Speichersteckplätze sind in 3er Gruppen organisiert. Pro 3er Gruppe jeweils nur maximal 2 Slots für UDIMM ECC Speicher. Pro 3er Gruppe jeweils nur maximal 2 Slots für 4Rank RDIMM Speicher. Die verschiedenen 3er Steckplatzgruppen müssen nicht die gleichen Kapazitäten haben. Es können nur die Speichersteckplätze genutzt werden, bei denen die jeweilige CPU vorhanden ist. Speicherbestückung für eine gute Systemperformance: Verteilen Sie die Speicher gleichmässig auf die Speichersteckplätze und gleichmässig auf die CPUs. Bei jeweils 3 gleichen Speichern pro 3er Steckplatzgruppe ist die Performance bis zum Dreifachen schneller gegenüber einer Bestückung der 3er Steckplatzgruppe mit nur einem Speicher. Wenn mehr als eine CPU vorhanden ist, sollten die Speicher pro CPU identisch (gespiegelt zur anderen CPU) bestückt werden.

PHS-memory 4GB RAM Speicher für Apple Mac mini Core 2 Duo 2.66 (Late 2009) DDR3 SO DIMM 1066MHz PC3-8500S (SP161608)

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Lenovo IdeaPad Y450 konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 1066 MHz (PC3-8500S) ermöglicht dieser DDR3 SO-DIMM Speicher eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und eine schnellere Datenverarbeitung. Die Kompatibilität mit dem Lenovo IdeaPad Y450 gewährleistet eine einfache Installation und optimale Leistung. Dieser RAM ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Notebooks steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen oder anspruchsvollere Aufgaben. Die Verwendung von LPDDR3-Technologie sorgt für eine effiziente Energieverwaltung und trägt zur Langlebigkeit des Geräts bei. - Kompatibel mit Lenovo IdeaPad Y450 - Speichertaktfrequenz von 1066 MHz für verbesserte Leistung - Energieeffiziente LPDDR3-Technologie.

Der 2GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Acer Aspire AX3910-U4022 konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Taktfrequenz von 1066 MHz und dem DDR3 U-DIMM Formfaktor ist dieser RAM eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Systems steigern möchten. Die unbuffered Konfiguration sorgt für eine direkte Kommunikation zwischen dem RAM und der CPU, was die Effizienz erhöht. Dieser Arbeitsspeicher ist nicht nur kompatibel, sondern auch einfach zu installieren, was ihn zu einer praktischen Lösung für die Aufrüstung Ihres Acer Aspire macht. Die Speicherkapazität von 2 GB ermöglicht es, mehrere Anwendungen gleichzeitig auszuführen und verbessert die Gesamtleistung des Systems. Ob für alltägliche Aufgaben oder anspruchsvollere Anwendungen, dieser RAM bietet die nötige Unterstützung. - Kompatibel mit Acer Aspire AX3910-U4022 - DDR3-RAM mit 1066 MHz Taktfrequenz - Unbuffered U-DIMM Formfaktor für verbesserte Effizienz - 240 Pins und 1.5 Volt Spannung für optimale Leistung.

Der PHS-memory 4GB RAM Speicher ist speziell für das Sony VAIO VGN-TT11RM Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz und der DDR3 SO-DIMM Technologie sorgt dieser RAM für eine verbesserte Systemleistung und eine reibungslose Ausführung von Anwendungen. Die 4 GB Speicherkapazität ermöglichen es, mehrere Programme gleichzeitig zu betreiben, was die Effizienz und Produktivität steigert. Der RAM ist mit einer Spannung von 1,5 Volt ausgelegt, was ihn energieeffizient macht und gleichzeitig die Anforderungen des Systems erfüllt. Die einfache Installation und die 100%ige Kompatibilität mit dem Sony VAIO VGN-TT11RM machen diesen RAM zu einer idealen Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Geräts optimieren möchten. - 100% kompatibel mit Sony VAIO VGN-TT11RM - Speichertaktfrequenz von 1066 MHz für verbesserte Leistung - Energieeffizient mit 1,5 Volt Spannung - Einfache Installation dank SO-DIMM Formfaktor.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Medion Akoya MD97207 Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 1066 MHz (PC3-8500S) sorgt dieser DDR3 SO-DIMM-RAM für eine verbesserte Systemleistung und reibungsloses Multitasking. Die Kompatibilität mit dem Medion Akoya MD97207 gewährleistet eine einfache Installation und Nutzung, sodass Benutzer die Vorteile eines erweiterten Arbeitsspeichers ohne Komplikationen geniessen können. Der RAM ist mit 204 Pins ausgestattet und arbeitet bei einer Spannung von 1,5 Volt, was ihn zu einer energieeffizienten Wahl für moderne Systeme macht. Diese Speichermodule sind ideal für alle, die die Leistung ihres Medion Akoya Laptops steigern möchten. - 100% kompatibel mit Medion Akoya MD97207 - Speicherkapazität von 4GB für verbesserte Leistung - Taktfrequenz von 1066 MHz für effizientes Multitasking - Energieeffizienter Betrieb bei 1,5 Volt.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für den Siemens SIMATIC IPC627C konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung für Ihr System. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz (PC3-8500U) gewährleistet dieser DDR3 UDIMM Arbeitsspeicher eine optimale Leistung und Kompatibilität. Die unbuffered Konfiguration sorgt für eine direkte Verbindung zwischen dem RAM und der CPU, was die Effizienz und Geschwindigkeit der Datenverarbeitung erhöht. Dank der Abwärtskompatibilität können Sie diesen Arbeitsspeicher problemlos mit bereits vorhandenen 1333 MHz Modulen kombinieren, was Ihnen Flexibilität bei der Speicheraufrüstungen bietet. Die 240-Pin U-DIMM Bauform ist standardisiert und ermöglicht eine einfache Installation in kompatiblen Systemen. Dieser RAM ist eine ideale Wahl für alle, die die Leistung ihres Siemens SIMATIC IPC627C steigern möchten. - Kompatibel mit Siemens SIMATIC IPC627C - Speichertaktfrequenz von 1066 MHz - Unbuffered DDR3-RAM für verbesserte Effizienz - Abwärtskompatibel zu 1333 MHz RAM-Modulen.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Acer Aspire 8735G-664G50Mn konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM optimal für den Einsatz in Notebooks geeignet. Die 204-Pin Konfiguration gewährleistet eine einfache Installation und Kompatibilität mit dem entsprechenden Modell. Dieser Arbeitsspeicher ermöglicht eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und sorgt für eine flüssigere Leistung bei Anwendungen und Programmen. Die Verwendung von LPDDR3 Chips und einer Betriebsspannung von 1,5 Volt sorgt für eine effiziente Energieverwaltung, was besonders wichtig für mobile Geräte ist. Insgesamt stellt dieser RAM eine ausgezeichnete Wahl für alle dar, die die Leistung ihres Acer Aspire 8735G-664G50Mn steigern möchten. - 100% kompatibel mit Acer Aspire 8735G-664G50Mn - Speichertaktfrequenz von 1066 MHz für verbesserte Leistung - 204-Pin SO-DIMM Formfaktor für einfache Installation - Energieeffizient mit einer Betriebsspannung von 1,5 Volt.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Dell Latitude E6320 konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4GB und einer Taktfrequenz von 1066MHz (PC3-8500S) sorgt dieser DDR3 SO-DIMM-RAM für eine verbesserte Systemleistung und reibungsloses Multitasking. Die Kompatibilität mit dem Dell Latitude E6320 gewährleistet eine einfache Installation und nahtlose Integration in bestehende Systeme. Der RAM ist ideal für Benutzer, die ihre Geräte aufrüsten möchten, um die Leistung bei Anwendungen und alltäglichen Aufgaben zu steigern. Mit einer Spannung von 1.5 Volt ist dieser Arbeitsspeicher energieeffizient und trägt zur Stabilität des Systems bei. - Kompatibel mit Dell Latitude E6320 - DDR3 SO-DIMM mit 1066MHz Taktfrequenz - Energieeffizient mit 1.5 Volt Spannung.