Samsung 8Gb 2x 4Gb Ram für 2x 4GB 8GB DDR3 1333Mhz ECC RAM Apple MacPro PC3Samsung Speicher steht für Langlebigkeit, stabile Performance und nachhaltigen Werterhalt. Dank hochwertiger Komponenten liefert dieses Kit eine konstante Systemleistung, kurze Ladezeiten und eine hohe Ausfallsicherheit – auch bei intensiver Nutzung. Besonders geeignet für zuverlässige Arbeitsrechner und leise Home-PCs.Die Module arbeiten energieeffizient und unterstützen einen zuverlässigen Dauerbetrieb, sodass Ihr System auch nach vielen Betriebsstunden performant und reaktionsschnell bleibt. Damit ist dieser Speicher die passende Wahl für alle, die langfristig in Qualität investieren möchten.Technische Daten:EAN: 4069043404677Artikelnummer: Sam_2x4GB3390Hersteller: SamsungStückliste: SP-A-1082Menge: 2Edition 3362 – optimierte Beschreibung für maximale Sichtbarkeit in Suchmaschinen.

Samsung 8Gb 2x 4Gb Ram für Dell Optiplex 780 DT DDR3 1333 Mhz Ram PC3-Samsung Speicher steht für Langlebigkeit, stabile Performance und nachhaltigen Werterhalt. Dank hochwertiger Komponenten liefert dieses Kit eine konstante Systemleistung, kurze Ladezeiten und eine hohe Ausfallsicherheit – auch bei intensiver Nutzung. Empfohlen für energieeffiziente PCs und Silent-Builds.Die Module arbeiten energieeffizient und unterstützen einen zuverlässigen Dauerbetrieb, sodass Ihr System auch nach vielen Betriebsstunden performant und reaktionsschnell bleibt. Damit ist dieser Speicher die passende Wahl für alle, die langfristig in Qualität investieren möchten.Technische Daten:EAN: 4069043438153Artikelnummer: Sam_2x4GB6738Hersteller: SamsungStückliste: SP-A-1082Menge: 2Edition 6689 – optimierte Beschreibung für maximale Sichtbarkeit in Suchmaschinen.

HPE 4 GB (1 x 4 GB) Single Rank x4 PC3-10600 (DDR3-1333) registriertes CAS-9-Speicherkit

Speicherkapazität:8 GBSpeicherlayout (Module x Größe):2 x 4 GBInterner Speichertyp:DDR3Memory Formfaktor:240-pin DIMMGepufferter Speichertyp:Registered (buffered)Speichertaktfrequenz:1333 MHzSpeicherrangfolge:1Speicherspannung:1.35 VSpeichertyp:PC3-10600Unterstützt Windows-Betriebssysteme:JaUnterstützte Linux-Betriebssysteme:JaBetriebstemperatur:0 - 85 °CTemperaturbereich bei Lagerung:-25 - 95 °CRelative Luftfeuchtigkeit in Betrieb:10 - 80%Luftfeuchtigkeit bei Lagerung:10 - 80%Verpackungsart:DIMM

Samsung 8Gb 2x 4Gb Ram für 2x 4GB 8GB DDR3 RAM 0x80ce 1333 Mhz f. Apple PC3Samsung Speicher steht für Langlebigkeit, stabile Performance und nachhaltigen Werterhalt. Dank hochwertiger Komponenten liefert dieses Kit eine konstante Systemleistung, kurze Ladezeiten und eine hohe Ausfallsicherheit – auch bei intensiver Nutzung. Perfekt für Gaming-Einsteiger und Multimedia-PCs mit solider Basis.Die Module arbeiten energieeffizient und unterstützen einen zuverlässigen Dauerbetrieb, sodass Ihr System auch nach vielen Betriebsstunden performant und reaktionsschnell bleibt. Damit ist dieser Speicher die passende Wahl für alle, die langfristig in Qualität investieren möchten.Technische Daten:EAN: 4069043404721Artikelnummer: Sam_2x4GB3395Hersteller: SamsungStückliste: SP-A-1082Menge: 2Edition 3367 – optimierte Beschreibung für maximale Sichtbarkeit in Suchmaschinen.

1x 4 GB RDIMM 2RX4 PC3-10600R

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Motherboard Asus P7P55-M konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 GB und einer Taktfrequenz von 1333 MHz (PC3-10600U) ist dieser DDR3 UDIMM-RAM ideal für Anwendungen, die eine stabile und schnelle Datenverarbeitung erfordern. Der unbuffered RAM sorgt für eine direkte Kommunikation mit dem Prozessor, was die Effizienz und Geschwindigkeit des Systems erhöht. Die Kompatibilität mit der Marke ASUS und dem spezifischen Modell P7P55-M gewährleistet eine einfache Installation und Nutzung. Dieser RAM ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die die Leistung ihres Systems verbessern möchten. - Speicherkapazität von 4 GB für verbesserte Systemleistung - Taktfrequenz von 1333 MHz für schnelle Datenverarbeitung - Unbuffered Design für direkte Kommunikation mit dem Prozessor - Kompatibel mit Asus P7P55-M für einfache Installation.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Fujitsu D2912-A Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1333 MHz (PC3-10600U) gewährleistet dieser DDR3 UDIMM RAM eine effiziente Datenverarbeitung und verbesserte Systemleistung. Der unbuffered Speicher ist ideal für Anwendungen, die eine schnelle und direkte Kommunikation zwischen dem RAM und der CPU erfordern. Die 240-Pin Konfiguration sorgt für eine einfache Installation und Kompatibilität mit dem Fujitsu D2912-A, wodurch Nutzer von einer nahtlosen Integration in bestehende Systeme profitieren können. Dieser RAM ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die die Leistung ihres Fujitsu D2912-A optimieren möchten. - Kompatibel mit Fujitsu D2912-A für einfache Integration - Speichertaktfrequenz von 1333 MHz für verbesserte Leistung - Unbuffered Design für direkte Kommunikation mit der CPU - 240-Pin U-DIMM Formfaktor für einfache Installation.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das MSI MS-7616 Mainboard konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 GB und einer Taktfrequenz von 1333 MHz (PC3-10600U) ist dieser DDR3 UDIMM-RAM ideal für Anwendungen, die eine stabile und schnelle Datenverarbeitung erfordern. Der unbuffered Speicher sorgt für eine direkte Kommunikation zwischen dem RAM und der CPU, was die Effizienz und Geschwindigkeit des Systems erhöht. Die 240-Pin-Konfiguration gewährleistet eine einfache Installation und Kompatibilität mit dem MSI MS-7616, sodass Nutzer ihre Systeme problemlos aufrüsten können. Dieser RAM ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die die Leistung ihres Computers steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen oder anspruchsvollere Aufgaben. - 100% kompatibel mit MSI MS-7616 - DDR3-RAM mit 1333 MHz Taktfrequenz - Unbuffered U-DIMM Formfaktor - 240-Pin Konfiguration für einfache Installation.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Supermicro X8SAX Mainboard konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Lösung für Ihre Computeranwendungen. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1333 MHz (PC3-10600U) gewährleistet dieser DDR3 UDIMM Arbeitsspeicher eine effiziente Datenverarbeitung und verbesserte Systemleistung. Der unbuffered Speicher ist ideal für Anwendungen, die eine schnelle und direkte Kommunikation zwischen dem RAM und der CPU erfordern. Die 240-Pin Konfiguration sorgt für eine einfache Installation und Kompatibilität mit dem Supermicro X8SAX, was ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für Upgrades oder Reparaturen macht. Dieser RAM ist nicht nur eine kosteneffiziente Lösung, sondern auch eine wichtige Komponente für die Optimierung der Gesamtleistung Ihres Systems. - Kompatibel mit Supermicro X8SAX Mainboard - Speichertaktfrequenz von 1333 MHz für verbesserte Leistung - Unbuffered Design für direkte Kommunikation mit der CPU - 240-Pin Konfiguration für einfache Installation.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Toshiba Portege R30-A-10H konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1600 MHz (PC3L-12800S) sorgt dieser DDR3 SO-DIMM-RAM für eine verbesserte Systemleistung und schnellere Reaktionszeiten. Die Kompatibilität mit dem Toshiba Portege R30-A-10H gewährleistet eine einfache Installation und nahtlose Integration in bestehende Systeme. Der RAM ist mit einer Spannung von 1,35 Volt optimiert, was zu einem geringeren Energieverbrauch und einer höheren Effizienz führt. Diese Speichermodul-Konfiguration ist ideal für Benutzer, die ihre Geräte aufrüsten möchten, um anspruchsvollere Anwendungen und Multitasking zu unterstützen. - Optimiert für Toshiba Portege R30-A-10H - DDR3 SO-DIMM mit 1600 MHz Taktfrequenz - Energieeffizient mit 1,35 Volt Spannung - Einfach zu installieren und kompatibel mit bestehenden Systemen.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Asus N750JK Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4GB und einer Taktfrequenz von 1600MHz (PC3L-12800S) ermöglicht dieser DDR3 SO-DIMM Speicher eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und eine schnellere Datenverarbeitung. Die Kompatibilität mit dem Asus N750JK gewährleistet eine einfache Installation und optimale Leistung. Der RAM ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen oder anspruchsvollere Aufgaben. Mit einer Spannung von 1.35 Volt ist dieser Speicher energieeffizient und trägt zur Verlängerung der Akkulaufzeit bei. Die 204 Pins sorgen für eine stabile Verbindung und eine zuverlässige Funktionalität. - 100% kompatibel mit Asus N750JK - Speicherkapazität von 4GB für verbesserte Leistung - Taktfrequenz von 1600MHz für schnelle Datenverarbeitung - Energieeffizient mit 1.35 Volt Spannung.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für den Terra PC-Business 5000S (1009393) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung für Ihr System. Mit einer Speicherkapazität von 4 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 1600 MHz (PC3-12800U) sorgt dieser DDR3 UDIMM Arbeitsspeicher für eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und schnellere Datenverarbeitung. Der U-DIMM Formfaktor und die 240 Pins gewährleisten eine einfache Installation und Kompatibilität mit dem entsprechenden System. Dieser Arbeitsspeicher ist ideal für Standardanwendungen und bietet eine Nennspannung von 1,5 Volt, was ihn energieeffizient macht. Vertrauen Sie auf die Qualität von PHS-memory, um die Leistung Ihres Terra PCs zu optimieren. - 100% kompatibel mit Terra PC-Business 5000S - Hohe Taktfrequenz von 1600 MHz für schnelle Leistung - Energieeffizient mit 1,5 Volt Nennspannung - Einfache Installation dank U-DIMM Formfaktor.

Hynix Ram Speichermodul 204 poliges SODIMM, DDR3 PC3 10600, 1333 MHz, SODIMM für Laptops 4 GB 1 x 4 GB INTERNER SPEICHER Hynix

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Mainboard MSI H55M-E23 konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 GB und einer Taktfrequenz von 1333 MHz (PC3-10600U) ist dieser DDR3 UDIMM-RAM ideal für Anwendungen, die eine stabile und schnelle Datenverarbeitung erfordern. Der unbuffered RAM sorgt für eine direkte Kommunikation mit dem Prozessor, was die Effizienz und Geschwindigkeit der Datenverarbeitung erhöht. Die Kompatibilität mit dem MSI H55M-E23 gewährleistet eine einfache Installation und Nutzung, sodass Nutzer ihre Systeme problemlos aufrüsten können. Dieser RAM ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die die Leistung ihres Computers steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen oder anspruchsvollere Aufgaben. - Kompatibel mit MSI H55M-E23 für einfache Installation - DDR3-RAM mit 1333 MHz Taktfrequenz für verbesserte Leistung - Unbuffered Design für direkte Kommunikation mit dem Prozessor - 240-Pin U-DIMM Formfaktor für breite Anwendbarkeit.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Toshiba Satellite C660D-1F1 Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4GB und einer Taktfrequenz von 1600MHz (PC3-12800S) ermöglicht dieser DDR3 SO-DIMM RAM eine verbesserte Systemleistung und eine flüssigere Nutzung von Anwendungen. Die Kompatibilität mit dem Toshiba Satellite C660D-1F1 gewährleistet eine einfache Installation und einen reibungslosen Betrieb. Der RAM ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten, sei es für alltägliche Aufgaben oder anspruchsvollere Anwendungen. Mit einer Spannung von 1.5 Volt und 204 Pins ist dieser Arbeitsspeicher eine effiziente Wahl für die Optimierung der Systemressourcen. - 100% kompatibel mit Toshiba Satellite C660D-1F1 - Erweiterung des Arbeitsspeichers auf 4GB - Taktfrequenz von 1600MHz für verbesserte Leistung - Einfache Installation dank SO-DIMM Formfaktor.

Der PHS-memory 4GB RAM Speicher ist speziell für die Synology DiskStation DS2015xs konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1600 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihrer DiskStation steigern möchten. Die Kompatibilität mit der Synology-Marke gewährleistet eine einfache Installation und optimale Funktionalität. Der RAM arbeitet mit einer Spannung von 1,35 Volt, was ihn energieeffizient macht und gleichzeitig die Systemstabilität unterstützt. Diese Speicherkapazität von 4 GB ermöglicht es, mehrere Anwendungen gleichzeitig auszuführen und die Gesamtleistung des Systems zu verbessern. - 100% kompatibel mit Synology DiskStation DS2015xs - Speichertaktfrequenz von 1600 MHz für verbesserte Leistung - Energieeffiziente 1,35 Volt Spannung - DDR3 SO-DIMM Formfaktor für einfache Installation.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Dell Latitude E6540 konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1600 MHz und der DDR3 SO-DIMM Technologie sorgt dieser RAM für eine verbesserte Systemleistung und eine reibungslose Ausführung von Anwendungen. Die Kompatibilität mit dem Dell Latitude E6540 gewährleistet eine einfache Installation und optimale Funktionalität. Der RAM ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten, sei es für alltägliche Aufgaben oder anspruchsvollere Anwendungen. Die Speicherkapazität von 4 GB ermöglicht es, mehrere Programme gleichzeitig auszuführen, ohne dass es zu Verzögerungen kommt. Dieser RAM ist eine kosteneffiziente Lösung, um die Lebensdauer und Effizienz des Dell Latitude E6540 zu verlängern. - Kompatibel mit Dell Latitude E6540 - Speichertaktfrequenz von 1600 MHz - Niedrige Spannung von 1,35 Volt für Energieeffizienz.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Toshiba Satellite C70-B konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 1600 MHz (PC3L-12800S) ermöglicht dieser DDR3 SO-DIMM Speicher eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und eine schnellere Datenverarbeitung. Die Kompatibilität mit dem Toshiba Satellite C70-B gewährleistet eine einfache Installation und eine nahtlose Integration in das bestehende System. Der RAM ist mit einer Spannung von 1.35 Volt optimiert, was zu einer energieeffizienten Leistung beiträgt. Dieses Speichermodul ist ideal für Benutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen oder anspruchsvollere Aufgaben. - Kompatibel mit Toshiba Satellite C70-B - DDR3 SO-DIMM mit 4GB Kapazität - Taktfrequenz von 1600 MHz für verbesserte Leistung - Energieeffizient mit 1.35 Volt Betriebsspannung.

Dieser 4GB Arbeitsspeicher ist für Axiomtek IMB211 100% kompatibel. Hilfe bei der Auswahl des richtigen Arbeitsspeichers: Wir bieten Ihnen die schnelleren 1600MHz Arbeitsspeicher für Ihr System an. Durch die Abwärtskompatibilität unserer Arbeitsspeicher auf 1333MHz können Sie diese auch mit bereits vorhandenen 1333MHz Speichern gemischt betreiben. Der Einsatz verschiedener RAM-Grössen in den Steckplätzen ist möglich. Der Dual Channel Mode wird auch hierbei durch die Intel Flex Memory Technologie unterstützt. Bei verschiedenen Arbeitsspeicher-Kapazitäten müssen Sie darauf achten, dass die Speicher in Speicherkanal A grösser sind als die Arbeitsspeicher in Speicherkanal B.