Speicherkapazität:4 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:LaptopMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMSpeichertaktfrequenz:1066 MHzSpeicherspannung:1.5 VJEDEC-Standard:JaKompatible Produkte:Acer Aspire 4752-2334G50Mnkk PHS-memory 4GB RAM Speicher für Acer Aspire 4752-2334G50Mnkk DDR3 SO DIMM 1333MHz (SP167021)

Speicherkapazität:4 GBSpeicherlayout (Module x Größe):1 x 4 GBInterner Speichertyp:DDR3Memory Formfaktor:204-pin SO-DIMMKompatible Produkte:Lenovo ThinkPad R400 (7439) PHS-memory 4GB RAM Speicher für Lenovo ThinkPad R400 (7439) DDR3 SO DIMM 1066MHz PC3-8500S (SP244057)

Der Other World Computing DDR3-RAM ist ein leistungsstarkes Speicher-Kit, das speziell für bestimmte Apple-Geräte entwickelt wurde. Mit einer Gesamtkapazität von 8 GB, bestehend aus zwei 4 GB SO-DIMM-Modulen, bietet dieser RAM eine zuverlässige und effiziente Lösung für die Aufrüstung von Laptops wie dem iMac (Anfang und Ende 2009), Mac mini (Anfang und Ende 2009, Mitte 2010) sowie MacBook-Modellen (Ende 2008, Ende 2009, Mitte 2010). Der RAM arbeitet mit einer Geschwindigkeit von 1066 MHz (PC3-8500) und einer CAS-Latenz von 7, was eine schnelle Datenverarbeitung ermöglicht. Mit einer Spannung von 1,5 V und einem ungepufferten Design ist dieser Arbeitsspeicher ideal für den Einsatz in Notebooks, um die Systemleistung zu optimieren und die Multitasking-Fähigkeiten zu verbessern. Die 204-Pin-Konfiguration sorgt für eine einfache Installation und Kompatibilität mit den genannten Apple-Geräten. - Dual-Rank-Design für verbesserte Leistung - Ungepuffert und non-ECC für höhere Effizienz - Optimiert für spezifische Apple-Geräte - Einfache Installation dank 204-Pin SO-DIMM-Formfaktor - Hohe Geschwindigkeit von 1066 MHz für flüssige Abläufe.

Speicherkapazität:4 GBInterner Speichertyp:DDR3Memory Formfaktor:204-pin SO-DIMMKompatible Produkte:Lenovo ThinkPad R400 (7438) PHS-memory 4GB RAM Speicher für Lenovo ThinkPad R400 (7438) DDR3 SO DIMM 1066MHz PC3-8500S (SP105224)

Speicherkapazität:4 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:LaptopMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMSpeichertaktfrequenz:1600 MHzSpeicherspannung:1.35 VJEDEC-Standard:JaKompatible Produkte:Acer TravelMate P258-M-5316 PHS-memory 4GB RAM Speicher für Acer TravelMate P258-M-5316 DDR3 SO DIMM 1600MHz (SP176688)

Speicherkapazität:4 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:LaptopMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMSpeichertaktfrequenz:1066 MHzSpeicherspannung:1.5 VJEDEC-Standard:JaKompatible Produkte:Acer TravelMate 7750G-2354G50MTSS PHS-memory 4GB RAM Speicher für Acer TravelMate 7750G-2354G50MTSS DDR3 SO DIMM 1333MHz (SP178315)

Das 4GB DDR3L SO-DIMM Speicher-Modul von Team Group Inc. ist eine leistungsstarke und zuverlässige Lösung für Notebooks, die eine verbesserte Leistung und Effizienz benötigen. Mit einer Speichertaktgeschwindigkeit von 1600 MHz und einer Spannung von nur 1,35 V bietet dieses Modul eine optimale Balance zwischen Energieverbrauch und Leistung. Es ist speziell für den Einsatz in mobilen Geräten konzipiert und ermöglicht eine einfache Installation dank des 204-Pin SO-DIMM Formfaktors. Der interne Speicher von 4 GB sorgt dafür, dass Anwendungen reibungslos laufen und Multitasking effizient durchgeführt werden kann. Dieses Modul ist unbuffered, was bedeutet, dass es direkt mit dem Speichercontroller kommuniziert, was die Latenzzeiten reduziert und die Gesamtleistung verbessert. Ideal für Benutzer, die ihre Notebook-Leistung steigern möchten, ist dieses RAM-Modul eine ausgezeichnete Wahl für verschiedene Anwendungen. - Speichertaktgeschwindigkeit von 1600 MHz für verbesserte Leistung - Niedrige Spannung von 1,35 V für Energieeffizienz - Unbuffered Design für reduzierte Latenzzeiten - Kompatibel mit einer Vielzahl von Notebooks - Einfache Installation dank 204-Pin SO-DIMM Formfaktor.

Das 8.0GB (2x 4GB) PC3-12800 DDR3L 1600MHz SO-DIMM 204 Pin CL11 Memory Upgrade Kit von Other World Computing bietet eine leistungsstarke Lösung zur Erweiterung des Arbeitsspeichers für Notebooks. Mit einer Gesamtkapazität von 8 GB, aufgeteilt in zwei Module zu je 4 GB, ermöglicht dieses Kit eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und eine schnellere Datenverarbeitung. Die Speichertaktfrequenz von 1600 MHz sorgt für eine effiziente Leistung, während die CAS-Latenz von 11 eine reaktionsschnelle Datenübertragung gewährleistet. Der SO-DIMM Formfaktor mit 204 Pins ist speziell für den Einsatz in Notebooks konzipiert und bietet eine einfache Installation. Mit einer Betriebsspannung von 1,35 V ist dieser RAM-Speicher energieeffizient und trägt zur Verlängerung der Akkulaufzeit bei. Das Kit ist RoHS-zertifiziert, was bedeutet, dass es umweltfreundlich ist und keine schädlichen Substanzen enthält. - Speicherkapazität von 8 GB, aufgeteilt in zwei 4 GB Module - Speichertaktfrequenz von 1600 MHz für verbesserte Leistung - CAS-Latenz von 11 für schnelle Datenübertragung - Energieeffiziente Betriebsspannung von 1,35 V - RoHS-zertifiziert für umweltfreundliche Nutzung.

Leistungsschub für Ihr QNAP NASOptimieren Sie die Performance Ihres QNAP Network Attached Storage (NAS) mit dem hochwertigen QNAP RAM 4GB DDR3L 1600MHz SO-DIMM. Dieser Arbeitsspeicher wurde speziell für QNAP-Systeme entwickelt, um eine nahtlose Kompatibilität und maximale Effizienz zu gewährleisten. Erleben Sie schnellere Datenzugriffe, flüssigeres Multitasking und eine insgesamt reaktionsfreudigere Systemleistung, die Ihre Produktivität spürbar steigert.Zuverlässigkeit und KompatibilitätDer QNAP RAM-4GDR3LA0-SO-1600 ist ein DDR3L SO-DIMM Modul, das mit einer Taktfrequenz von 1600 MHz arbeitet. Die "L" in DDR3L steht für Low Voltage, was einen geringeren Stromverbrauch und somit eine effizientere und kühlere Arbeitsweise in Ihrem NAS-System bedeutet. Vertrauen Sie auf die bewährte QNAP-Qualität, die eine hohe Stabilität und Langlebigkeit des Speichermoduls garantiert und Ihr System optimal unterstützt.Einfaches Upgrade für mehr MöglichkeitenEin Upgrade Ihres Arbeitsspeichers ist eine d

Leistungsschub für Ihr QNAP NASOptimieren Sie die Performance Ihres QNAP Network Attached Storage (NAS) mit dem hochwertigen QNAP RAM 4GB DDR3L 1600MHz SO-DIMM. Dieser Arbeitsspeicher wurde speziell für QNAP-Systeme entwickelt, um eine nahtlose Kompatibilität und maximale Effizienz zu gewährleisten. Erleben Sie schnellere Datenzugriffe, flüssigeres Multitasking und eine insgesamt reaktionsfreudigere Systemleistung, die Ihre Produktivität spürbar steigert.Zuverlässigkeit und KompatibilitätDer QNAP RAM-4GDR3LA0-SO-1600 ist ein DDR3L SO-DIMM Modul, das mit einer Taktfrequenz von 1600 MHz arbeitet. Die "L" in DDR3L steht für Low Voltage, was einen geringeren Stromverbrauch und somit eine effizientere und kühlere Arbeitsweise in Ihrem NAS-System bedeutet. Vertrauen Sie auf die bewährte QNAP-Qualität, die eine hohe Stabilität und Langlebigkeit des Speichermoduls garantiert und Ihr System optimal unterstützt.Einfaches Upgrade für mehr MöglichkeitenEin Upgrade Ihres Arbeitsspeichers ist eine d

Leistungsschub für Ihr QNAP NASOptimieren Sie die Performance Ihres QNAP Network Attached Storage (NAS) mit dem hochwertigen QNAP RAM 4GB DDR3L 1600MHz SO-DIMM. Dieser Arbeitsspeicher wurde speziell für QNAP-Systeme entwickelt, um eine nahtlose Kompatibilität und maximale Effizienz zu gewährleisten. Erleben Sie schnellere Datenzugriffe, flüssigeres Multitasking und eine insgesamt reaktionsfreudigere Systemleistung, die Ihre Produktivität spürbar steigert.Zuverlässigkeit und KompatibilitätDer QNAP RAM-4GDR3LA0-SO-1600 ist ein DDR3L SO-DIMM Modul, das mit einer Taktfrequenz von 1600 MHz arbeitet. Die "L" in DDR3L steht für Low Voltage, was einen geringeren Stromverbrauch und somit eine effizientere und kühlere Arbeitsweise in Ihrem NAS-System bedeutet. Vertrauen Sie auf die bewährte QNAP-Qualität, die eine hohe Stabilität und Langlebigkeit des Speichermoduls garantiert und Ihr System optimal unterstützt.Einfaches Upgrade für mehr MöglichkeitenEin Upgrade Ihres Arbeitsspeichers ist eine d

Der Klassiker Ripjaws wird als das schnellste SO-DIMM der Welt wiedergeboren. Mit verfügbaren Kits mit Geschwindigkeiten von bis zu DDR3-2133 MHz und 1,35 V DDR3L Low-Voltage-Unterstützung für die neueste Generation von Haswell-CPUs ist dies die beste Speicherwahl, um das volle Potenzial Ihres Laptops oder tragbaren Computersystems auszuschöpfen. Spüren Sie sofort den Geschwindigkeitszuwachs.

Der G.Skill DDR3 4GB 1600 MHz RAM ist eine leistungsstarke und zuverlässige Speicherlösung, die für verschiedene Anwendungen geeignet ist. Mit einer Kapazität von 4 GB und einer Geschwindigkeit von 1600 MHz bietet dieser RAM eine solide Leistung für alltägliche Aufgaben sowie für anspruchsvollere Anwendungen. Die Verwendung von DDR3 SDRAM-Technologie sorgt für eine effiziente Datenverarbeitung und verbesserte Systemreaktionszeiten. Der RAM ist mit einer niedrigen Spannung von 1,35 V konzipiert, was nicht nur den Energieverbrauch reduziert, sondern auch die Wärmeentwicklung minimiert. Dies macht ihn zu einer idealen Wahl für kompakte Systeme und Laptops, die eine effiziente Kühlung erfordern. Die CAS-Latenz von 9 gewährleistet eine schnelle Datenübertragung, was die Gesamtleistung des Systems weiter optimiert. Der G.Skill DDR3 RAM ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die eine zuverlässige und leistungsstarke Speichererweiterung suchen. - Niederspannung von 1,35 V für energieeffizienten Betrieb - CAS-Latenz von 9 für verbesserte Datenübertragung - Kompatibel mit SO-DIMM Steckplätzen - Ideal für Laptops und kompakte Systeme.

Maximieren Sie die Notebook-Performance mit der Goodram 4GB DDR3 SO-DIMM. Ideal für anspruchsvolle Multi-Tasking- und professionelle Anwendungen. Eigenschaften RAM Goodram 4GB 1x4GB DDR3 1600MHz SO-DIMM 204-polig 1.35V Verbessern Sie die Effizienz Ihres Laptops mit einem 4GB DDR3 SO-DIMM Modul von Goodram entwickelt für maximale Kompatibilität und stabile Geschwindigkeit. Die 1600 MHz Taktfrequenz ermöglicht flüssiges Arbeiten schnelle Reaktionszeiten beim Gaming oder professionelle Aufgaben wie Foto- und Videobearbeitung. Durch die kompakte 204-polige SO-DIMM Bauform eignet sich dieses RAM-Modul perfekt für Notebooks Ultrabooks und kompakte Rechner bei denen Platzersparnis und Energieeffizienz entscheidend sind. Dank des niedrigen 1 35V Betriebsspannung wird die Akkulaufzeit verlängert und die Hitzeentwicklung minimiert – perfekt für den mobilen Einsatz oder komplexe Rechentasks unterwegs. Die 1x4GB Einmodul-Konfiguration ist der ideale Einstieg für System-Updates und sorgt für zuverlässige Aufrüstung ohne K...

4GB DDR3 Apple Notebook-Speicher vom Typ: SODIMM 1600MHz Geschwindigkeit mit CAS Latenz: CL11 Non-ECC, Unbuffered, Apple kompatibel 1,5 Volt Lieferumfang: 1x Kingston 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 1600Mhz

MerkmaleRAM-Speicher4 GBInterner SpeichertypDDR3Speichertaktfrequenz1600 MHzKomponente fürNotebookSpeicherlayout (Module x Größe)1 x 4 GBCAS Latenz11SpeicherkanäleEins/Eine(r)Speicherspannung1,35 V Speicherkapazität:4 GBSpeicherlayout (Module x Größe):1 x 4 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:LaptopMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMCAS Latenz:11Speichertaktfrequenz:1600 MHzSpeicherkanäle:Einfach-KanalSpeicherspannung:1.35 V Funktionen Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 4 GBCAS-Latenz: 11Speichertaktrate: 1600 MHzSpeicherspannung: 1,35 VKomponente für: LaptopSpeicherkanäle: Single-ChannelInterner Speicher: 4 GBInterner Speichertyp: DDR3 SO-DIMM DDR-1600 Arbeitsspeicher Der Single-Channel F3-1600C11S-4GRSL besteht aus einem 4-GB-DDR3-1600-SO-DIMM (PC3-12800) von G.Skill. Das Modul ist auf die Latenzen von 11-11-11-28 bei 1600 MHz getestet. Das 204-pin Unbuffered SO-DIMM-Modul ist mit FBGA-Chips bestückt und besitzt Kontakte. - Typ: SDRAM-DDR3 - EAN: 4711148599948 - Hersteller-Nr.: F3-1600C11S-4GRSL - Serie: Ripjaws - Kapa

Speicherkapazität:4 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:PCMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMSpeichertaktfrequenz:1066 MHzSpeicherspannung:1.5 VJEDEC-Standard:JaKompatible Produkte:Apple Mac mini server Core 2 Duo 2.66 (Mid 2010) PHS-memory 4GB RAM Speicher für Apple Mac mini Server Core 2 Duo 2.66 (Mid 2010) DDR3 SO DIMM 1066MHz PC3-8500S (SP126149)

MerkmaleRAM-Speicher8 GBSpeicherlayout (Module x Größe)2 x 4 GBInterner SpeichertypDDR3Speichertaktfrequenz1600 MHzKomponente fürNotebookMemory Formfaktor204-pin SO-DIMMECCNeinCAS Latenz11Speicherspannung1,35 VRoHSBetriebsbedingungenTemperaturbereich in Betrieb0 - 85 °C RAM-Speicher:8 GBInterner Speichertyp:DDR3Speichertaktfrequenz:1600 MHzKomponente für:NotebookMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMSpeicherlayout (Module x Größe):2 x 4 GBCAS Latenz:11Speicherspannung:1.35 V:RoHSTemperaturbereich in Betrieb:0 - 85 °C Hauptmerkmale \r \r Speicher \r RAM-Speicher 8 GB \r Interner Speichertyp DDR3 \r Speichertaktfrequenz 1600 MHz \r Komponente für Notebook \r ECC Nicht \r Memory form faktor 204-pin SO-DIMM \r Speicherlayout (Module x Größe) 2 x 4 GB \r CAS Latenz 11 \r Speicherspannung 1,35V \r \r Design \r RoHS \r \r Betriebsbedingungen \r Temperaturbereich in Betrieb 0 - 85 °C \r Other World Computing - DDR3L - Kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO DIMM 204-PIN - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - ungepuffert - non-ECC - für Apple Mac mini

G.Skill 4GB DDR3-1600. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 4 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 4 GB, Interner Speichertyp: DDR3, Speichertaktfrequenz: 1600 MHz, Memory Formfaktor: 204-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 9 Gewicht und Abmessungen Breite67,6 mm Höhe30 mm Logistikdaten Warentarifnummer (HS)84733020 Merkmale CAS Latenz9 Speicherkapazität4 GB Speicherlayout (Module x Größe)1 x 4 GB Interner SpeichertypDDR3 Speichertaktfrequenz1600 MHz Komponente fürLaptop Memory Formfaktor204-pin SO-DIMM SpeicherkanäleEinfach-Kanal Speicherspannung1.35 V

G.Skill 4GB DDR3-1600. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 4 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 4 GB, Interner Speichertyp: DDR3, Speichertaktfrequenz: 1600 MHz, Memory Formfaktor: 204-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 11 Gewicht und Abmessungen Breite67,6 mm Höhe30 mm Logistikdaten Warentarifnummer (HS)84733020 Merkmale CAS Latenz11 Speicherkapazität4 GB Speicherlayout (Module x Größe)1 x 4 GB Interner SpeichertypDDR3 Speichertaktfrequenz1600 MHz Komponente fürLaptop Memory Formfaktor204-pin SO-DIMM SpeicherkanäleEinfach-Kanal Speicherspannung1.35 V