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Dell Inc. Dell DDR4 32GB SO DIMM 260-PIN (1 x 32GB, 3200 MHz, DDR4-RAM, SO-DIMM), RAM AB120716
Der DDR4 32GB SO DIMM 260-PIN von Dell Inc. ist ein leistungsstarker Arbeitsspeicher, der speziell für Notebooks entwickelt wurde. Mit einer Speichertaktfrequenz von 3200 MHz bietet dieser RAM-Modul eine hohe Geschwindigkeit und Effizienz, die für anspruchsvolle Anwendungen und Multitasking erforderlich sind. Die unbuffered Konfiguration sorgt für eine direkte Kommunikation zwischen dem RAM und der CPU, was die Leistung weiter optimiert. Der SO-DIMM Formfaktor ist ideal für kompakte Geräte, während die 32 GB Speicherkapazität ausreichend Platz für umfangreiche Datenverarbeitung und Speicheranforderungen bietet. Dieser Arbeitsspeicher ist eine ausgezeichnete Wahl für Benutzer, die ihre Systemleistung steigern möchten, sei es für Gaming, kreative Anwendungen oder professionelle Software. - Speichertaktfrequenz von 3200 MHz für hohe Leistung - Unbuffered RAM für verbesserte Kommunikation mit der CPU - 32 GB Kapazität für umfangreiche Datenverarbeitung - SO-DIMM Formfaktor für kompakte Geräte - CAS-Latenzzeit von 26 für optimierte Reaktionszeiten.
Der Klevv 16 GB DDR4-RAM SO-DIMM PC3200 CL22 ist eine leistungsstarke Speicherlösung, die speziell für Notebooks entwickelt wurde. Mit einer Speichertaktfrequenz von 3200 MHz und einer CAS-Latenz von 22 bietet dieser RAM eine hohe Datenübertragungsrate von 3200 MT/s, was eine verbesserte Systemleistung und schnellere Reaktionszeiten ermöglicht. Der unbuffered RAM sorgt für eine direkte Verbindung zwischen dem Speicher und der CPU, was die Effizienz und Geschwindigkeit weiter steigert. Dieser Arbeitsspeicher ist ideal für anspruchsvolle Anwendungen und Multitasking-Szenarien, bei denen eine hohe Leistung erforderlich ist. Die Kompatibilität mit JEDEC-Standards gewährleistet eine einfache Integration in verschiedene Systeme. Der Klevv DDR4-RAM ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die die Leistung ihres Notebooks optimieren möchten. - Hohe Speichertaktfrequenz von 3200 MHz - CAS-Latenz von 22 für verbesserte Reaktionszeiten - Unbuffered Design für direkte CPU-Verbindung - Kompatibel mit JEDEC-Standards für einfache Integration.
Der PNY 16GB DDR5 4800 SO-DIMM Speicher ist eine leistungsstarke Lösung für alle, die die Effizienz und Geschwindigkeit ihres Notebooks steigern möchten. Mit einer Datenrate von 4800 MHz bietet dieser RAM eine verbesserte Bandbreite und einen geringeren Energieverbrauch, was zu einer optimierten Leistung bei speicherintensiven Anwendungen führt. Ob für Grafikdesign, Video-Editing oder das gleichzeitige Arbeiten mit mehreren Browserfenstern – dieser Speicher ermöglicht eine reibungslose Nutzung. PNY hat über 40 Jahre Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung von Speichermodulen, was sich in der Stabilität und Zuverlässigkeit dieses Produkts widerspiegelt. Der SO-DIMM Formfaktor ist speziell für Notebooks konzipiert und sorgt dafür, dass Ihr Gerät auch bei anspruchsvollen Aufgaben schnell und reaktionsfähig bleibt. - Erhöhte Geschwindigkeit für speicherintensive Anwendungen - Geringerer Energieverbrauch für längere Akkulaufzeit - Optimierte thermische Leistung für stabile Nutzung - Zuverlässige Leistung durch jahrelange Erfahrung von PNY.
Der Patriot Memory SO-DIMM DDR4 8GB 3200MHz ist ein leistungsstarker Arbeitsspeicher, der speziell für den Einsatz in Notebooks konzipiert wurde. Mit einer Speicherkapazität von 8 GB und einer hohen Taktfrequenz von 3200 MHz bietet dieser RAM eine verbesserte Leistung und Reaktionsfähigkeit für verschiedene Anwendungen. Die unbuffered Bauweise sorgt für eine direkte Verbindung zwischen dem RAM und der CPU, was die Effizienz erhöht. Die CAS-Latenzzeit von 22 ermöglicht eine schnelle Datenverarbeitung, während die Spannung von 1,2 Volt für einen energieeffizienten Betrieb sorgt. Dieser SO-DIMM-RAM ist eine ideale Wahl für Nutzer, die ihre Systeme aufrüsten oder verbessern möchten, um eine flüssigere Benutzererfahrung zu erzielen. - Speicherkapazität von 8 GB für verbesserte Multitasking-Fähigkeiten - Taktfrequenz von 3200 MHz für schnelle Datenübertragung - Unbuffered Design für direkte Kommunikation mit der CPU - CAS-Latenzzeit von 22 für optimierte Leistung.
Verbessern Sie die PC-Leistung mit einem PNY DDR5 PC-Speicherupgrade. Sie möchten mit den neuesten speicherintensiven Anwendungen wie Grafikdesign- und Video-Editing-Tools arbeiten? Sie möchten viele Browserfenster für Arbeit, Schule oder Freizeit geöffnet halten? Hat Ihr PC Schwierigkeiten, Schritt zu halten? Ein DDR5 5600MHz Speicher-Upgrade von PNY bietet Ihnen die Geschwindigkeit, die Sie benötigen, um das Beste aus Ihrem aktuellen Windows-Notebook-PC herauszuholen. Seit mehr als 40 Jahren beschafft, testet und stellt PNY rigoros Speicher-Upgrades für Tausende der beliebtesten PC-Plattformen her. Egal, was Sie an Ihrem PC tun, Sie werden es besser und schneller mit einem DDR5 5600MHz Upgrade von PNY tun. DDR5 5600MHz Leistung. Der PNY DDR5-Speicher bietet schnellere Geschwindigkeiten, grössere Bandbreite, geringeren Stromverbrauch und verbesserte thermische Leistung für eine spürbare Verbesserung der PC-Reaktionszeiten bei der Nutzung speicherintensiver Anwendungen. Die PNY DDR5-Speichermodule sind rigoros konzipiert und getestet, um eine stabile, zuverlässige Leistung in realen Computerumgebungen zu gewährleisten.
Der M471A2K43DB1-CTD ist ein leistungsstarkes DDR4-RAM-Modul von Samsung, das eine Speicherkapazität von 16 GB bietet. Es besteht aus zwei 8 GB Modulen, die speziell für den Einsatz in Notebooks konzipiert sind. Mit einer Taktfrequenz von 2666 MHz gewährleistet dieses SO-DIMM-Modul eine schnelle und effiziente Datenverarbeitung, die für moderne Anwendungen und Multitasking erforderlich ist. Die 260 Pins sorgen für eine einfache Integration in kompatible Systeme. Dieses RAM-Modul ist ideal für Benutzer, die die Leistung ihres Notebooks steigern möchten, sei es für alltägliche Aufgaben, kreative Anwendungen oder Gaming. Die Verwendung von DDR4-Technologie ermöglicht eine verbesserte Energieeffizienz und höhere Geschwindigkeiten im Vergleich zu früheren Generationen von RAM. - Zwei 8 GB Module für eine Gesamtkapazität von 16 GB - Taktfrequenz von 2666 MHz für schnelle Datenverarbeitung - SO-DIMM Formfaktor, ideal für Notebooks - Kompatibel mit DDR4-Technologie für verbesserte Energieeffizienz.
Other World Computing OWC 8.0GB (2x 4GB) PC3-8500 DDR3 1066MHz SO-DIMM 204 Pin (2 x 4GB, 1066 MHz, DDR3-RAM, SO-DIMM), RAM OWC8566DDR3S8GP
Der Other World Computing DDR3-RAM ist ein leistungsstarkes Speicher-Kit, das speziell für bestimmte Apple-Geräte entwickelt wurde. Mit einer Gesamtkapazität von 8 GB, bestehend aus zwei 4 GB SO-DIMM-Modulen, bietet dieser RAM eine zuverlässige und effiziente Lösung für die Aufrüstung von Laptops wie dem iMac (Anfang und Ende 2009), Mac mini (Anfang und Ende 2009, Mitte 2010) sowie MacBook-Modellen (Ende 2008, Ende 2009, Mitte 2010). Der RAM arbeitet mit einer Geschwindigkeit von 1066 MHz (PC3-8500) und einer CAS-Latenz von 7, was eine schnelle Datenverarbeitung ermöglicht. Mit einer Spannung von 1,5 V und einem ungepufferten Design ist dieser Arbeitsspeicher ideal für den Einsatz in Notebooks, um die Systemleistung zu optimieren und die Multitasking-Fähigkeiten zu verbessern. Die 204-Pin-Konfiguration sorgt für eine einfache Installation und Kompatibilität mit den genannten Apple-Geräten. - Dual-Rank-Design für verbesserte Leistung - Ungepuffert und non-ECC für höhere Effizienz - Optimiert für spezifische Apple-Geräte - Einfache Installation dank 204-Pin SO-DIMM-Formfaktor - Hohe Geschwindigkeit von 1066 MHz für flüssige Abläufe.