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Hynix (HMT451S6BFR8A) 4GB SO-DIMM DDR3 1600 MHz, PC3-12800S, CL11, DIMM 204-PIN, Memory Modul mit HIGH-PERFORMANCE LPN-O9S-D4G
Hynix (HMT451S6BFR8A) 4GB SO-DIMM DDR3 1600 MHz, PC3-12800S, CL11, DIMM 204-PIN, Memory Modul mit HIGH-PERFORMANCE LPN-O9S-D4G
Hersteller: Hynix. Kapazität: 1 x 4.096 MB Geschwindigkeit: pc3 12800s, Chip und Aufbau: 2R x 8 Technologie: Ungepuffert, Dual Channel Fähigkeit Spezifikation: DDR3 1600MHz Pins: DIMM 204 polig, CAS Latenz: CL 11
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Kingston BULK Valueram/4GB 1600MHz DDR3 CL11 (1 x 4GB, 1600 MHz, DDR3-RAM, SO-DIMM), RAM KVR16S11S8/4BK
Kingston BULK Valueram/4GB 1600MHz DDR3 CL11 (1 x 4GB, 1600 MHz, DDR3-RAM, SO-DIMM), RAM KVR16S11S8/4BK
Kingston ValueRAM wird von Kunden gekauft, denen die genauen technischen Spezifikationen des gewünschten Speichers bekannt sind. Jeder ValueRAM Speicher entspricht den JEDEC-Spezifikationen, ist 100 % getestet und hat eine lebenslange Garantie.
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Other World Computing OWC OWC1600DDR3S4GB (1 x 4GB, 1600 MHz, DDR3-RAM, SO-DIMM), RAM
Other World Computing OWC OWC1600DDR3S4GB (1 x 4GB, 1600 MHz, DDR3-RAM, SO-DIMM), RAM
Der OWC-Speicher wurde speziell für die Kompatibilität mit Ihrem Mac entwickelt. Man beginnt mit den hochwertigsten Komponenten und erstellt dann Speicher, der den hohen Geschwindigkeits-, Kapazitäts- und Programmierspezifikationen nahezu aller aufrüstbaren Apple-Computer entspricht. Das Ergebnis ist ein JEDEC-kompatibler Speicher, der perfekt für einen schnelleren Mac geeignet ist. OWC-Speicher wird bei jedem Schritt des Herstellungsprozesses von Hand geprüft und auf Qualität getestet. Aber das ist noch nicht alles. OWC besitzt und unterhält hochmoderne Anlagen, in denen fast jeder Mac der letzten zwei Jahrzehnte hergestellt wurde. Das liegt daran, dass OWC nicht nur unermüdlich auf Qualität und Zuverlässigkeit testet. Sie testen in realen Maschinen, um sicherzustellen, dass der OWC-Speicher so optimiert ist, dass er ein Leben lang eine überragende Leistung in Ihrem Mac liefert. Das ist der OWC-Unterschied.
11-14 Werktage
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Lenovo 8GB DDR3L 1600 (1 x 8GB, 1600 MHz, DDR3L-RAM, SO-DIMM), RAM 11202082
Lenovo 8GB DDR3L 1600 (1 x 8GB, 1600 MHz, DDR3L-RAM, SO-DIMM), RAM 11202082
Der 8GB DDR3L 1600 RAM von Lenovo ist ein leistungsstarkes Speichermodul, das speziell für den Einsatz in Notebooks konzipiert wurde. Mit einer Speicherkapazität von 8 GB und einer Taktfrequenz von 1600 MHz bietet dieses Modul eine zuverlässige und effiziente Leistung für verschiedene Anwendungen. Der SO-DIMM Formfaktor sorgt für eine einfache Integration in kompatible Geräte, während die DDR3L-Technologie eine verbesserte Energieeffizienz ermöglicht. Dieses Modul ist ideal für Benutzer, die ihre Systemleistung steigern möchten, sei es für alltägliche Aufgaben oder anspruchsvollere Anwendungen. Hergestellt in Japan, erfüllt dieses Produkt hohe Qualitätsstandards und ist eine ausgezeichnete Wahl für die Aufrüstung von Notebooks. - Speicherkapazität von 8 GB für verbesserte Multitasking-Fähigkeiten - Taktfrequenz von 1600 MHz für schnelle Datenverarbeitung - SO-DIMM Formfaktor für einfache Installation in Notebooks - DDR3L-Technologie für geringeren Energieverbrauch und höhere Effizienz.
Sofort lieferbar, 2-3 Werktage
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Patriot SO-DIMM 4 GB DDR3-1600 (PSD34G16002S, Signature Line)
Patriot SO-DIMM 4 GB DDR3-1600 (PSD34G16002S, Signature Line)
Allgemeine InformationenHersteller:Patriot Memory, LLCHersteller-Artikelnummer:PSD34G16002SHersteller-Webseite:http://www.patriotmemory.comMarke:Patriot MemoryProduktfamilie:SignatureAnzahl in Packung:25Verpackung:BlisterProdukttyp:ArbeitsspeicherTechnische InformationenSpeichergröße:4 GBSpeichertechnologie:DDR3 SDRAMSpeicherspannung:1,5 VAnzahl Module:1 x 4 GBSpeichergeschwindigkeit:1600 MHzSpeicherstandard:DDR3-1600/PC3-12800Speicherfehlerüberprüfung:Nicht-ECCSignalverarbeitung:UngepuffertCAS-Latenz:CL11Abmessungen / Gewicht / FarbeAnzahl Pole:204-poligFormfaktor:SoDIMMDicke:16 mmBreite:53 mmLänge:168 mmGewicht:9,1 gVerschiedenesUmweltverträglich:jaProdukten:RoHSLebenslang MerkmaleGepufferter SpeichertypUnregistered (unbuffered)RAM-Speicher4 GBSpeicherlayout (Module x Größe)1 x 4 GBInterner SpeichertypDDR3Speichertaktfrequenz1600 MHzKomponente fürNotebookMemory Formfaktor204-pin SO-DIMMECCNeinCAS Latenz11Speicherrangfolge2Speicherspannung1,5 VSpeichertypPC3-12800RoHSSonstige FunktionenAbmessungen (BxTxH)67 x 3,9 x 30 mmWaren
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4GB Patriot Signature Line DDR3-1600 SO-DIMM CL11 Single-Patriot
Hersteller: PatriotModellname: Signature LineGesamtkapazität: 4GBAnzahl der Module: 1xKapazität der Einzelmodule: 4GBArt des Speichers: DDR3-1600JEDEC Norm: PC3-12800SBauform: SO-DIMMSpeicherinterface: DDR3Max. Frequenz: 1600MHzVerpackung: SingleSpannung: 1.50VAnschluss des Speichers: 204-pinLatenz (CL): CL11
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Kingston ValueRAM 4 GB DDR3 1600MHz RAM CL11 SO-DIMM 890185
Kingston ValueRAM 4 GB DDR3 1600MHz RAM CL11 SO-DIMM 890185
Technische Daten: Kapazität: 4 GB Speichertyp: DDR3 Bustakt: 1.600 MHz Latenzzeit des Speichers: CL 11 Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3-1600 Speichermodul 1 x 4 GB 1600 MHz Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3-1600, 4 GB, 1 x 4 GB, DDR3, 1600 MHz, 204-pin SO-DIMMKingston Technology ValueRAM 4GB DDR3-1600. Die Marke ValueRAM ist der beste Beweis dafür. Diese Module erfüllen alle branchenüblichen Vorgaben und maximieren die Leistung und Produktivität Ihres Systems.Merkmale RAM-Speicher: 4 GB Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 4 GB Interner Speichertyp: DDR3 Speichertaktfrequenz: 1600 MHz Komponente für: Notebook Memory Formfaktor: 204-pin SO-DIMM ECC: Nein Gepufferter Speichertyp: Unregistered (unbuffered) CAS Latenz: 11 Breite der Speicherschnittstelle: 64 Bit Speicherrangfolge: 1 Speicherspannung: 1.5 V Modulkonfiguration: 512M X 64 Row Cycle Time: 48,125 ns Refresh Row Cycle Time: 260 ns Row Active Time: 35 ns Bleiüberzug: Gold Betriebsbedingungen Temperaturbereich in Betrieb: 0 - 85 °C Temperaturbereich bei Lagerung:
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OWC 8 GB (1 x 8 GB) 1867 MHz DDR3 SO-DIMM PC3-14900 204-Pin-CL11-Speichererweiterung (OWC1867DDR3S8GB)
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