Dieser Speicher ist passend für folgende Apple Computer: iMac 2008, MacBook 2009

Dieser Speicher ist passend für folgende Apple Computer: iMac 2008, MacBook 2009

Produktbeschreibung Unser 4GB DDR2 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D2-4G-SO-800-N läuft mit 1.8V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 800 MHz und ist abwärtskompatibel zu 667 MHz.Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC2-6400S prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL6. Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Produktdetails EAN: 4262360570272Speichertyp: DDR2 RAMMarke: BRAINZAPModellnummer: BS-D2-4G-SO-800-NKompatibel mit: Notebooks - Intel und AM

4GB (1x 4GB) DDR2 RAM SO-DIMM PC2-6400S 2Rx8 800 MHz 200 PIN 1.8V CL6 Arbeitsspeicher mit Lebenslanger Garantie. Wir verwenden auschließlich Markenchips. Für die meisten Laptops, Notebooks & Netbooks mit DDR2 RAM Für Dual-Channel Geeignet. Maximale Performance und Stabilität. Dual Rank / Beidseitig Bestückt / Doppelseitig Bestückt

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für die Axiomtek eBOX800-841-FL konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 GB und einer Taktfrequenz von 1600 MHz (PC3L-12800S) gewährleistet dieser DDR3 SO-DIMM-RAM eine optimale Leistung für verschiedene Anwendungen. Die Kompatibilität mit der Axiomtek eBOX800-841-FL macht ihn zu einer idealen Wahl für Nutzer, die die Effizienz und Geschwindigkeit ihres Systems steigern möchten. Der RAM arbeitet mit einer Spannung von 1,35 Volt, was ihn energieeffizient und leistungsstark zugleich macht. Die 204 Pins sorgen für eine einfache Installation und einen stabilen Betrieb. Dieser RAM ist eine hervorragende Lösung für alle, die die Leistung ihrer Axiomtek eBOX800-841-FL verbessern möchten. - Spezifisch für Axiomtek eBOX800-841-FL entwickelt - Energieeffizient mit 1,35 Volt Betriebsspannung - 204 Pins für einfache Installation.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für den NCR Columbus 800 konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 GB und einer Taktfrequenz von 1600 MHz (PC3L-12800S) gewährleistet dieser DDR3 SO-DIMM-RAM eine optimale Leistung für verschiedene Anwendungen. Der Speicher ist mit einer Spannung von 1,35 Volt ausgelegt, was ihn energieeffizient macht und gleichzeitig die Systemstabilität unterstützt. Die 204 Pins des Moduls sorgen für eine einfache Installation und Kompatibilität mit dem entsprechenden System. Dieser RAM ist eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres NCR Columbus 800 verbessern möchten. - 100% kompatibel mit NCR Columbus 800 - Energieeffizient mit 1,35 Volt Spannung - Optimale Leistung mit 1600 MHz Taktfrequenz - Einfache Installation durch 204-Pin SO-DIMM-Formfaktor.

Produktbeschreibung Unser 8GB DDR2 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 4GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D2-8GK2-SO-800-N läuft mit 1.8V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 800 MHz und ist abwärtskompatibel zu 667 MHz.Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC2-6400S prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL6. Die Speichermodule sind für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Produktdetails EAN: 4262360570326Speichertyp: DDR2 RAMMarke: BRAINZAPModellnummer: BS-

8GB (2x 4GB) DDR2 RAM SO-DIMM PC2-6400S 2Rx8 800 MHz 200 PIN 1.8V CL6 Arbeitsspeicher mit Lebenslanger Garantie. Wir verwenden auschließlich Markenchips. Für die meisten Laptops, Notebooks & Netbooks mit DDR2 RAM Für Dual-Channel Geeignet. Maximale Performance und Stabilität. Dual Rank / Beidseitig Bestückt / Doppelseitig Bestückt

4GB (2x 2GB) DDR2 RAM SO-DIMM PC2-6400S 2Rx8 800 MHz 200 PIN 1.8V CL6 Arbeitsspeicher mit Lebenslanger Garantie. Wir verwenden auschließlich Markenchips. Für die meisten Laptops, Notebooks & Netbooks mit DDR2 RAM Für Dual-Channel Geeignet. Maximale Performance und Stabilität. Dual Rank / Beidseitig Bestückt / Doppelseitig Bestückt

Produktbeschreibung Unser 4GB DDR2 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 2GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D2-4GK2-SO-800-N läuft mit 1.8V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 800 MHz und ist abwärtskompatibel zu 667 MHz.Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC2-6400S-666 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL6. Die Speichermodule sind für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR2 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Produktdetails EAN: 4262360

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Toshiba TCx 800 Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 2400 MHz und dem DDR4 SO-DIMM Formfaktor gewährleistet dieser Arbeitsspeicher eine hohe Datenübertragungsrate und Effizienz. Die 1.2 Volt Spannung sorgt für einen energieeffizienten Betrieb, während die 260 Pins eine einfache Installation ermöglichen. Dieser RAM ist eine ideale Lösung für alle, die die Leistung ihres Toshiba TCx 800 optimieren möchten, sei es für geschäftliche Anwendungen oder alltägliche Aufgaben. Die Kompatibilität mit dem Toshiba TCx 800 garantiert eine nahtlose Integration und eine verbesserte Systemstabilität. - 100% kompatibel mit Toshiba TCx 800 - Speichertaktfrequenz von 2400 MHz - Energieeffizient mit 1.2 Volt Spannung - Einfache Installation durch 260 Pins.

Dieser Speicher ist passend für folgende Apple Computer: iMac 2008, MacBook 2009

Dieser Speicher ist passend für folgende Apple Computer: iMac 2008, MacBook 2009

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für den Lenovo ThinkCentre M800z (10EW) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 2133 MHz sorgt dieser DDR4 SO-DIMM-RAM für eine verbesserte Systemleistung und schnellere Datenverarbeitung. Die Kompatibilität mit dem Lenovo ThinkCentre M800z (10EW) gewährleistet eine einfache Installation und nahtlose Integration in bestehende Systeme. Der RAM ist ideal für Benutzer, die ihre Computerleistung steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen oder anspruchsvollere Aufgaben. Mit einer Spannung von 1,2 Volt ist dieser Arbeitsspeicher energieeffizient und trägt zur Reduzierung des Stromverbrauchs bei, während er gleichzeitig eine hohe Leistung bietet. - 100% kompatibel mit Lenovo ThinkCentre M800z (10EW) - Energieeffizient mit 1,2 Volt Spannung - Verbesserte Systemleistung durch 2133 MHz Speichertaktfrequenz.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Acer Aspire E1-572-6_BR800 Modell konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 GB und einer Taktfrequenz von 1600 MHz (PC3L-12800S) ermöglicht dieser DDR3 SO-DIMM Speicher eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und eine schnellere Datenverarbeitung. Die Kompatibilität mit dem Acer Aspire E1-572-6_BR800 gewährleistet eine einfache Installation und eine nahtlose Integration in bestehende Systeme. Der RAM arbeitet mit einer Spannung von 1,35 Volt, was ihn energieeffizient macht und gleichzeitig die Leistung optimiert. Diese Speichermodul ist eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen oder anspruchsvollere Aufgaben. - Kompatibel mit Acer Aspire E1-572-6_BR800 - Energieeffizienter Betrieb bei 1,35 Volt - Verbesserte Multitasking-Fähigkeit durch 4 GB RAM.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das HP EliteBook 800 konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 GB und einer Taktfrequenz von 2400 MHz ermöglicht dieser DDR4 SO-DIMM RAM eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und eine schnellere Datenverarbeitung. Die Kompatibilität mit dem HP EliteBook 800 gewährleistet eine einfache Installation und nahtlose Integration in bestehende Systeme. Dieser Arbeitsspeicher ist ideal für Benutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten, sei es für berufliche Anwendungen, kreative Projekte oder alltägliche Aufgaben. Die Verwendung von DDR4-Technologie sorgt für eine höhere Energieeffizienz und eine verbesserte Leistung im Vergleich zu älteren RAM-Generationen. - Kompatibel mit HP EliteBook 800 - DDR4 SO-DIMM Technologie für verbesserte Leistung - Taktfrequenz von 2400 MHz für schnellere Datenverarbeitung - Energieeffizient mit einer Spannung von 1,2 Volt.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für den Lenovo ThinkCentre M800z (10EV) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 2133 MHz ermöglicht dieser DDR4 SO-DIMM-RAM eine verbesserte Systemleistung und eine reibungslose Ausführung von Anwendungen. Die Kompatibilität mit dem Lenovo ThinkCentre M800z (10EV) gewährleistet eine einfache Installation und Nutzung. Der RAM ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Systems steigern möchten, sei es für Büroanwendungen, Multimedia oder andere anspruchsvolle Aufgaben. Mit einer Spannung von 1,2 Volt sorgt dieser Arbeitsspeicher zudem für eine energieeffiziente Nutzung. - 100% kompatibel mit Lenovo ThinkCentre M800z (10EV) - DDR4-RAM für verbesserte Leistung - 2133 MHz Taktfrequenz für schnelle Datenverarbeitung - Energieeffiziente 1,2 Volt Spannung.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für den Lenovo ThinkCentre M800z (10ET) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 2133 MHz sorgt dieser DDR4 SO DIMM für eine verbesserte Systemleistung und reibungsloses Multitasking. Die 1.2 Volt Spannung gewährleistet eine energieeffiziente Nutzung, während die 260 Pins eine einfache Installation ermöglichen. Dieser RAM ist eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Lenovo ThinkCentre M800z optimieren möchten, sei es für Büroanwendungen, Multimedia oder andere anspruchsvolle Aufgaben. - 100% kompatibel mit Lenovo ThinkCentre M800z (10ET) - Speichertaktfrequenz von 2133 MHz für verbesserte Leistung - Energieeffiziente Nutzung mit 1.2 Volt Spannung - Einfache Installation dank 260 Pins.

Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für den Lenovo ThinkCentre M800z (10EU) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 2133 MHz und dem DDR4 SO-DIMM Formfaktor ist dieser Arbeitsspeicher ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Systems steigern möchten. Die Kompatibilität mit dem Lenovo ThinkCentre M800z (10EU) gewährleistet eine einfache Installation und optimale Funktionalität. Der RAM ist mit einer Spannung von 1.2 Volt ausgelegt, was ihn energieeffizient macht und gleichzeitig die Systemstabilität unterstützt. Diese Speichermodul-Konfiguration ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die ihre Arbeitsumgebung verbessern und die Multitasking-Fähigkeiten ihres Systems erweitern möchten. - 100% kompatibel mit Lenovo ThinkCentre M800z (10EU) - DDR4 SO-DIMM Technologie für verbesserte Leistung - 2133 MHz Speichertaktfrequenz für schnelle Datenverarbeitung - Energieeffiziente 1.2 Volt Spannung für optimale Systemstabilität.

Arbeitsspeicher Upgrade kompatibel mit Toshiba Satellite C800 Spezifikation: 4GB DDR3 Sodimm 204 Pin PC3 Der Arbeisspeicher des Notebooks lässt sich ganz einfach aufrüsten. Einfache Plug & Play Installation. Das Ram Modul wird einfach in den Ram Slot eingesetzt und nach dem Start des Notebooks sofort erkannt. Die Gesamtleistung ihres Systems wird durch einen größeren Arbeitsspeicher verbessert. ProgRamme lassen sich dadurch schneller ausführen. Artikelnummer: S0DDR3-0424DK300R370503