CYPRESS CY7C1019DV33-10V - High-Speed SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 3,3 V, 10ns, SOJ-32 CY7C1019DV33-10VXI
Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 128kx8 10ns SOJ-32 Funktionale Beschreibung Der CY7C1019DV33 ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 131.072 Wörter zu 8 Bit organisiert ist. Eine einfache Speichererweiterung wird durch eine aktive LOW-Chip-Freigabe (CE), eine aktive LOW-Ausgangsfreigabe (OE) und Treiber mit drei Zuständen ermöglicht. Dieser Baustein verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die bei Abwahl den Stromverbrauch erheblich reduziert. Das Schreiben in den Baustein erfolgt über die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A16) angegebene Stelle geschrieben. Das Lesen aus dem Gerät erfolgt, indem Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW genommen werden, während Write Enable (WE) HIGH erzwungen wird. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den I/O-Pins. Die acht Eingangs-/Ausgangs-Pins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE HIGH), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW, und WE LOW).Der CY7C1019DV33 ist in Pb-freiem, 32-poligem, 400 Mil breitem, vergossenem SOJ-Gehäuse, erhältlich. Merkmale . Pin- und funktionskompatibel mit CY7C1019CV33 . Hohe Geschwindigkeit: taa = 10 ns . Niedrige Wirkleistung: Icc = 60 mA @ 10 ns . Niedrige CMOS-Standby-Leistung: Isb2 = 3 mA . 2,0 V Datenspeicherung . Automatische Abschaltung bei Abwahl . CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung . Zentrale Stromversorgung/Massebelegung . Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Optionen . Erhältlich in Pb-freien, 32-poligen, 400 Mil breiten, geformten SOJ-Gehäusen
PHS-memory 8GB RAM Speicher für Acer Aspire V3-572G-73CY DDR3 SO DIMM 1600MHz PC3L-12800S (Acer Aspire V3-572G-73CY, 1 x 8GB), RAM Modellspezifisch SP173994
Der 8GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Acer Aspire V3-572G-73CY konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1600 MHz und der DDR3 SO-DIMM Technologie sorgt dieser RAM für eine verbesserte Systemleistung und schnellere Reaktionszeiten. Die 8GB Kapazität ermöglicht es, mehrere Anwendungen gleichzeitig auszuführen, was die Effizienz und Produktivität steigert. Der RAM ist einfach zu installieren und bietet eine 100%ige Kompatibilität mit dem genannten Modell, was ihn zu einer idealen Wahl für Nutzer macht, die die Leistung ihres Laptops optimieren möchten. Die Verwendung von 1.35 Volt sorgt zudem für einen energieeffizienten Betrieb, was die Lebensdauer des Geräts verlängert. - Speichertaktfrequenz von 1600 MHz für verbesserte Leistung - 100%ige Kompatibilität mit Acer Aspire V3-572G-73CY - Energieeffizienter Betrieb bei 1.35 Volt - Einfach zu installieren und ideal für Multitasking.
Der 8GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für den Lenovo ThinkCentre M90t (11CY) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 2666 MHz und der DDR4-Technologie sorgt dieser unbuffered U-DIMM-RAM für eine verbesserte Systemleistung und schnellere Datenverarbeitung. Die 288-Pin-Konfiguration gewährleistet eine einfache Installation und Kompatibilität mit dem entsprechenden System. Dieser RAM ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Lenovo ThinkCentre M90t steigern möchten, sei es für Büroanwendungen, Multitasking oder anspruchsvollere Software. - Kompatibel mit Lenovo ThinkCentre M90t (11CY) - DDR4-RAM mit 2666 MHz Taktfrequenz - Unbuffered U-DIMM Formfaktor - Einfache Installation dank 288-Pin-Konfiguration.
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