GOODRAM 4GB [1x4GB 1600MHz DDR3 CL11 SODIMM] (GR1600S364L11S/4G) ist die perfekte Lösung für alle, die nach Hochleistungsspeicher für Laptops suchen. Mit einer Geschwindigkeit von 1600 MHz und einer CAS-Latenz von 11 bietet dieses SO-DIMM-Modul Stabilität und Geschwindigkeit, was bei der Arbeit mit anspruchsvollen Anwendungen entscheidend ist. Mit einer Kapazität von 4 GB passt der memora die Leistung an eine Vielzahl von Aufgaben an, von der täglichen Büroarbeit bis zur Multimedia-Unterhaltung.Kapazität des Einzelmoduls: 4 GBSpeicher-Typ: SO-DIMM (für Laptops)Verzögerung - Zykluslatenz: 11Anzahl der Kontakte [pin]: 204 Stk.Produktgruppe: GoodRAM RAMStandard: DDR3-1600 (PC3-12800)Betriebsfrequenz: 1600 MHzBandbreite: 12800 MB/s Die DDR3-Generation von SODIMM-Modulen ist die perfekte Lösung für diejenigen, die ihre Notebooks und Laptops aufrüsten möchten und gleichzeitig eine zuverlässige und qualitativ hochwertige Lösung bevorzugen, die eine schnelle Datenübertragung bei geringem Stromverbrauch (1,35 V) ermöglicht. Sodimm Form
Der 4GB 1600MHz UDIMM DDR3 von Lenovo ist ein leistungsstarker Arbeitsspeicher, der für den Einsatz in PCs und Servern konzipiert wurde. Mit einer Speicherkapazität von 4 GB und einer Taktfrequenz von 1600 MHz bietet dieser DDR3-RAM eine zuverlässige und effiziente Leistung für verschiedene Anwendungen. Der unbuffered DIMM-Formfaktor mit 240 Pins sorgt für eine einfache Integration in kompatible Systeme. Dieser Arbeitsspeicher ist ideal für Benutzer, die ihre Systeme aufrüsten oder die Leistung ihrer Workstations und Server optimieren möchten. Hergestellt in Japan, erfüllt dieser RAM die hohen Standards der Branche und ist für eine Vielzahl von Hardwareanwendungen geeignet. - Speicherkapazität von 4 GB für verbesserte Multitasking-Fähigkeiten - Taktfrequenz von 1600 MHz für schnelle Datenverarbeitung - Unbuffered DIMM-Formfaktor für einfache Installation - Kompatibel mit Servern und Workstations für vielseitige Anwendungen.
Other World Computing OWC OWC1600DDR3S4GB (1 x 4GB, 1600 MHz, DDR3-RAM, SO-DIMM), RAM, Grün
Der OWC-Speicher wurde speziell für die Kompatibilität mit Ihrem Mac entwickelt. Man beginnt mit den hochwertigsten Komponenten und erstellt dann Speicher, der den hohen Geschwindigkeits-, Kapazitäts- und Programmierspezifikationen nahezu aller aufrüstbaren Apple-Computer entspricht. Das Ergebnis ist ein JEDEC-kompatibler Speicher, der perfekt für einen schnelleren Mac geeignet ist. OWC-Speicher wird bei jedem Schritt des Herstellungsprozesses von Hand geprüft und auf Qualität getestet. Aber das ist noch nicht alles. OWC besitzt und unterhält hochmoderne Anlagen, in denen fast jeder Mac der letzten zwei Jahrzehnte hergestellt wurde. Das liegt daran, dass OWC nicht nur unermüdlich auf Qualität und Zuverlässigkeit testet. Sie testen in realen Maschinen, um sicherzustellen, dass der OWC-Speicher so optimiert ist, dass er ein Leben lang eine überragende Leistung in Ihrem Mac liefert. Das ist der OWC-Unterschied.
Mit einer 20-jährigen Garantie stehen wir hinter der hervorragenden Qualität und Leistung der ProXtend-Speichermodule. Durch die Verwendung von Chipsätzen der grössten Hersteller sind wir uns zu 100 % sicher, dass wir jedes Mal Kundenzufriedenheit liefern. Das Produktangebot der ProXtend-Speichermodule wird ständig mit den neuesten kompatiblen Modulen für Laptops, Desktop-Computer und Server aktualisiert.
Auf einen Blick Kapazität4 GB · 1 x 4 GB TypDDR3 · 1600 MHz · CL9 Bauform204-pin SO-DIMM Alle technischen Daten anzeigen (11 Angaben) MerkmaleCAS Latenz9Speicherkapazität4 GBSpeicherlayout (Module x Größe)1 x 4 GBInterner SpeichertypDDR3Speichertaktfrequenz1600 MHzKomponente fürLaptopMemory Formfaktor204-pin SO-DIMMSpeicherkanäleEinfach-KanalSpeicherspannung1.35 V Gewicht und AbmessungenBreite67,6 mmHöhe30 mm Technische Daten laut Hersteller, bereitgestellt über Icecat. Änderungen und Irrtümer vorbehalten.
Synology 4GB RAM DDR3-1600 SODIMM UN non-ECC CL11 RAM1600DDR3L-4G
- Wichtiger Hinweis: Aufgrund der aktuellen Marktsituation ist dieses Produkt ausschließlich als Bestandteil von Systemlösungen verfügbar. Einzelverkäufe sind nicht möglich. -
Auf einen Blick Kapazität4 GB · 1 x 4 GB TypDDR3 · 1600 MHz · CL5 Bauform240-pin DIMM Alle technischen Daten anzeigen (12 Angaben) MerkmaleCAS Latenz5Speicherkapazität4 GBSpeicherlayout (Module x Größe)1 x 4 GBInterner SpeichertypDDR3Speichertaktfrequenz1600 MHzKomponente fürPC / ServerMemory Formfaktor240-pin DIMMSpeicherkanäleEinfach-KanalGepufferter SpeichertypUnregistered (unbuffered)Speicherspannung1.5 V Gewicht und AbmessungenBreite133,3 mmHöhe30 mm Technische Daten laut Hersteller, bereitgestellt über Icecat. Änderungen und Irrtümer vorbehalten.
Auf einen Blick Kapazität4 GB · 1 x 4 GB TypDDR3 · 1600 MHz · CL5 Bauform240-pin DIMM Alle technischen Daten anzeigen (12 Angaben) MerkmaleCAS Latenz5Speicherkapazität4 GBSpeicherlayout (Module x Größe)1 x 4 GBInterner SpeichertypDDR3Speichertaktfrequenz1600 MHzKomponente fürPC / ServerMemory Formfaktor240-pin DIMMSpeicherkanäleEinfach-KanalGepufferter SpeichertypUnregistered (unbuffered)Speicherspannung1.5 V Gewicht und AbmessungenBreite133,3 mmHöhe30 mm Technische Daten laut Hersteller, bereitgestellt über Icecat. Änderungen und Irrtümer vorbehalten.
Die DDR3 DRAM-Module von Transcend arbeiten mit einer Nennspannung von 1,5 V oder 1,35 V und bieten aussergewöhnliche Taktraten, um den Anforderungen der Embedded-Industrie gerecht zu werden. Die Module sind in verschiedenen Formfaktoren und Technologien erhältlich, wie z. B. ECC und Unterstützung für erweiterte Temperaturen. Alle Komponenten sind von höchster Qualität, direkt von einem der weltweit führenden Anbieter von DRAM-Chips bezogen und strengen Tests unterzogen, um unvergleichliche Kompatibilität, Zuverlässigkeit und Leistung zu gewährleisten.
Allgemeine InformationenHersteller:IBM CorporationHersteller-Artikelnummer:90Y3178Hersteller-Webseite:http://www.ibm.com/de/de/Marke:IBMProdukttyp:ArbeitsspeicherTechnische InformationenSpeichergröße:4 GBSpeichertechnologie:DDR3 SDRAMSpeicherspannung:1,5 VAnzahl Module:1 x 4 GBSpeichergeschwindigkeit:1600 MHzSpeicherstandard:DDR3-1600/PC3-12800Speicherfehlerüberprüfung:ECCSignalverarbeitung:RegistriertCAS-Latenz:CL11Abmessungen / Gewicht / FarbeFormfaktor:DIMMVerschiedenesKompatibilität:IBM - System - x3650 M4 (7915) Arbeitsspeicher (RAM):4 GBInterner Speichertyp:DDR3Speichertaktfrequenz:1600 MHzECC:JaMemory layout (modules x size):1 x 4 GBCAS Latenz:11Speicherspannung:1.5 VVerpackungsart:DIMM Speicherkapazität:4 GBSpeicherlayout (Module x Größe):1 x 4 GBInterner Speichertyp:DDR3ECC:JaCAS Latenz:11Speichertaktfrequenz:1600 MHzSpeicherspannung:1.5 VVerpackungsart:DIMM Wenn Sie die ThinkServer Performance steigern möchten, um mehr Leistung für Datenbanken, Virtualisierung oder Branchenanwendungen verfügbar zu haben, sollten Sie
Fujitsus Markenversprechen, die Zukunft gemeinsam mit Ihnen zu gestalten, bezieht sich auf die Gestaltung der Zukunft von Gesellschaft und Wirtschaft. Es beschreibt unsere Art, Geschäfte zu tätigen, die auf unseren langfristigen Beziehungen zu unseren Kunden und der Gesellschaft basiert. Wir arbeiten mit unseren Stakeholdern zusammen, nutzen unsere Erfahrung und die Kraft der IKT, um zu ihrem Erfolg und zur Zukunft der Gesellschaft beizutragen.
G.Skill Value (1 x 4GB, 1600 MHz, DDR3-RAM, DIMM), RAM, Schwarz F3-1600C11S-4GNT
Mit dem Fokus auf das beste Preis-Leistungs-Verhältnis wird jedes G.SKILL Value-Speicherkit zu 100 % auf maximale Qualität geprüft und bietet dennoch eine beeindruckende Erschwinglichkeit. Es ist die beste Wahl, um einen Budget-Performance-PC zusammenzustellen.
Die DDR3 DRAM-Module von Transcend arbeiten mit einer Nennspannung von 1,5 V oder 1,35 V und bieten aussergewöhnliche Taktraten, um den Anforderungen der Embedded-Industrie gerecht zu werden. Die Module sind in verschiedenen Formfaktoren und Technologien erhältlich, darunter ECC und Unterstützung für erweiterte Temperaturen. Alle Komponenten sind von höchster Qualität, direkt von einem der weltweit führenden Anbieter von DRAM-Chips bezogen und streng auf unübertroffene Kompatibilität, Zuverlässigkeit und Leistung getestet.