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Samsung 870 EVO SSD 250 GB SATA3 2,5" intern (MZ-77E250B/EU)
Produktbeschreibung: Samsung 870 EVO MZ-77E250B - Solid-State-Drive - 250 GB - SATA 6Gb/s, Typ: Solid-State-Drive - intern, Kapazität: 250 GB, Hardwareverschlüsselung: Ja, Verschlüsselungsalgorithmus: 256-Bit-AES, NAND-Flash-Speichertyp: 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC), Formfaktor: 2.5" (6,4 cm), Schnittstelle: SATA 6Gb/s, Datenübertragungsrate: 600 MBps, Puffergrösse: 512 MB, Merkmale: TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667, Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe): 69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm, Gewicht: 45 g
Samsung 870 EVO SSD 4 TB SATA3 2,5" intern (MZ-77E4T0B/EU)
Produktbeschreibung: Samsung 870 EVO MZ-77E4T0B - Solid-State-Drive - 4 TB - SATA 6Gb/s, Typ: Solid-State-Drive - intern, Kapazität: 4 TB, Hardwareverschlüsselung: Ja, Verschlüsselungsalgorithmus: 256-Bit-AES, NAND-Flash-Speichertyp: 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC), Formfaktor: 2.5" (6,4 cm), Schnittstelle: SATA 6Gb/s, Datenübertragungsrate: 600 MBps, Puffergrösse: 4 GB, Merkmale: TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667, Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe): 69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm, Gewicht: 45 g
Produktbeschreibung: Intenso - SSD - 480 GB - SATA 6Gb/s, Typ: Solid State Drive - intern, Kapazität: 480 GB, Formfaktor: 2.5" (6,4 cm), Schnittstelle: SATA 6Gb/s, Datenübertragungsrate: 520 MBps, Merkmale: Stoßfest, TRIM-Unterstützung, S.M.A.R.T., Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe): 70 mm x 100 mm x 7 mm, Gewicht: 80 g
Samsung 870 EVO SSD 1 TB SATA3 2,5" intern (MZ-77E1T0B/EU)
Produktbeschreibung: Samsung 870 EVO MZ-77E1T0B - Solid-State-Drive - 1 TB - SATA 6Gb/s, Typ: Solid-State-Drive - intern, Kapazität: 1 TB, Hardwareverschlüsselung: Ja, Verschlüsselungsalgorithmus: 256-Bit-AES, NAND-Flash-Speichertyp: 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC), Formfaktor: 2.5" (6,4 cm), Schnittstelle: SATA 6Gb/s, Datenübertragungsrate: 600 MBps, Puffergrösse: 1 GB, Merkmale: TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), TurboWrite Technology, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667, Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe): 69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm, Gewicht: 45 g
Produktbeschreibung : SILICON POWER Ace A55 - SSD - 512 GB - SATA 6Gb/sTyp : Solid State Drive - internKapazität : 512 GBNAND-Flash-Speichertyp : 3D triple-level cell (TLC)Formfaktor : 2,5 (6.4 cm)Schnittstelle : SATA 6Gb/sDatenübertragungsrate : 600 MBpsMerkmale : SLC-Cache, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Native Command Queuing (NCQ), RAID bereit, Error Correction Code (ECC), stoßfest, Bad Block Management, S.M.A.R.T.Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) : 69.9 mm x 100 mm x 7 mmGewicht : 63 gSofort starten statt wartenReibungslose AbläufeKeine Chance für Bad Guys mit Bad Block ManagementSchlank, smart und verlässlich - eine Traum-SSDSLC Cache TechnologieInterne Auto-Copy Technologie