Jeder einzelne Speicher wurde gemäss dem jeweiligen JEDEC-Standard hergestellt. Bei der Auswahl der Komponenten verwenden wir DRAM- und Flash-Speicher von renommierten Herstellern wie Samsung, Micron und Hynix. Bereits während der Produktion werden die DRAMs einzeln getestet, bevor sie auf den Leiterplatten installiert werden.

Jeder einzelne Speicher wurde gemäss dem jeweiligen JEDEC-Standard hergestellt. Bei der Auswahl der Komponenten verwenden wir DRAM- und Flash-Speicher von renommierten Herstellern wie Samsung, Micron und Hynix. Bereits während der Produktion werden die DRAMs einzeln getestet, bevor sie auf den Leiterplatten installiert werden.

Produktbeschreibung Unser 4GB DDR4 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D4-4G-2400-1RX8-N läuft mit 1.2V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 2400 MHz und ist abwärtskompatibel zu 2133 MHz.Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC4-2400T prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL17. Das Speichermodul ist einseitig bestückt (Single-Rank 1Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten PCs mit DDR4 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Abswärtskompatibel zu 2133 MHz Speicher.Produktdetails EAN: 4262360571965Speichertyp: DDR4 RAMMarke: BRAINZAPModellnumm

Speicherkapazität:8 GBInterner Speichertyp:DDR4Komponente für:LaptopMemory Formfaktor:260-pin SO-DIMMSpeichertaktfrequenz:2400 MHzSpeicherspannung:1.2 VBreite:69 mmHöhe:30 mm Hauptmerkmale Merkmale RAM-Speicher 8 GB Interner Speichertyp DDR4 Speichertaktfrequenz 2400 MHz Komponente für Notebook Memory Formfaktor 260-pin SO-DIMM Speicherspannung 1.2 V Gewicht und Abmessungen Breite 69 mm Höhe 30 mm HP 855843-372. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 8 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2400 MHz, Memory Formfaktor: 260-pin SO-DIMM HP SODIMM 8Gb Ddr4-2400 Hynix M D Hynix - DDR4 - Modul - 8 GB - SO DIMM 260-PIN - 2400 MT/s

Produktbeschreibung Unser 4GB DDR2 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D2-4G-800-N läuft mit 1.8V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 800 MHz und ist abwärtskompatibel zu 667 MHz.Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC2-6400U-666 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL6. Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten Desktop-PCs mit DDR2 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Produktdetails EAN: 4262360570302Speichertyp: DDR2 RAMMarke: BRAINZAPModellnummer:

Der Kingston 64GB 6400MT/s DDR5 ECC Registered RAM ist eine leistungsstarke Speicherlösung, die speziell für Server und Workstations entwickelt wurde. Mit einer Speichertaktfrequenz von 6400 Megahertz (MHz) bietet dieser DDR5-RAM eine hohe Bandbreite und verbesserte Leistung für anspruchsvolle Anwendungen. Die ECC (Error-Correcting Code) Funktion sorgt für eine erhöhte Datensicherheit, indem sie Fehler im Speicher erkennt und korrigiert, was besonders in kritischen Umgebungen von Bedeutung ist. Der RAM ist im DIMM-Format und in einer Konfiguration von 1 x 64GB erhältlich, was eine flexible Erweiterung des Arbeitsspeichers ermöglicht. Hergestellt mit hochwertigen Hynix-Chips, gewährleistet dieser RAM eine zuverlässige und stabile Leistung, die für moderne Server- und Workstation-Anforderungen unerlässlich ist. - Speichertaktfrequenz von 6400 MHz für hohe Leistung - ECC Registered für verbesserte Datensicherheit - Optimiert für Server- und Workstation-Anwendungen - Hergestellt mit Hynix-Chips für Zuverlässigkeit.

Produktbeschreibung: SK Hynix - SSD - 512 GB - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - FRU, Typ: Solid State Drive - intern, Kapazität: 512 GB, Hardwareverschlüsselung: Ja, Formfaktor: M.2 2280, Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 (NVMe), Preistyp: Field Replaceable Unit (FRU)

32 GB Kapazität, DDR4 RAM - 2666 MHz, gepuffert, 1,2 V Alle Speicherchips von Origin sind Fabrik Original von Herstellern wie Samsung, Hynix und Micron. Lebenslange Garantie, kostenloser technischer Support. E-Mail an [email protected]. Die Abbildungen dienen nur zur Veranschaulichung.

16 GB Kapazität, DDR4 RAM - 2666 MHz, gepuffert, 1,2 V Alle Speicherchips von Origin sind Fabrik Original von Herstellern wie Samsung, Hynix und Micron. Lebenslange Garantie, kostenloser technischer Support. E-Mail an [email protected]. Die Abbildungen dienen nur zur Veranschaulichung.

32 GB Kapazität, DDR4 RAM - 2400 MHz, gepuffert, 1,2 V Alle Speicherchips von Origin sind Fabrik Original von Herstellern wie Samsung, Hynix und Micron. Lebenslange Garantie, kostenloser technischer Support. E-Mail an [email protected]. Die Abbildungen dienen nur zur Veranschaulichung.

32 GB Kapazität, DDR4 RAM - 2400 MHz, gepuffert, 1,2 V Alle Speicherchips von Origin sind Fabrik Original von Herstellern wie Samsung, Hynix und Micron. Lebenslange Garantie, kostenloser technischer Support. E-Mail an [email protected]. Die Abbildungen dienen nur zur Veranschaulichung.

16 GB Kapazität, DDR4 RAM - 2933 MHz, gepuffert, Dual Rank, 1,2 V Alle Speicherchips von Origin sind Fabrik Original von Herstellern wie Samsung, Hynix und Micron. Lebenslange Garantie, kostenloser technischer Support. E-Mail an [email protected]. Die Abbildungen dienen nur zur Veranschaulichung.

Produktbeschreibung Unser 16GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 4 Modulen mit jeweils 4GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-16GK4-1600-1RL-11-13-A1 läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz.Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800U-11-13-A1 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11. Die Speichermodule sind einseitig bestückt (Single-Rank 1Rx8). Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten Computern mit DDR3 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Kompatibel mit

Produktbeschreibung Unser 16GB DDR4 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 8GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D4-16GK2-1R-2400T-UA2-11 läuft mit 1.2V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 2400 MHz und ist abwärtskompatibel zu 2133 MHz.Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC4-2400T-UA2-11 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL17. Die Speichermodule sind einseitig bestückt (Single-Rank 1Rx8). Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten Computern mit DDR4 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Kompatibel mit PC4-2400T-UA2-11 wie z.B: Samsu

Produktbeschreibung Unser 16GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 8GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-16GK2-1600-2RX8-L läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz.Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800U-11 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11. Die Speichermodule sind für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten PCs mit DDR3 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweiche

64 GB Kapazität, DDR4 RAM - 2933 MHz, gepuffert, Dual Rank, ECC, 1,2 V Alle Speicherchips von Origin sind Fabrik Original von Herstellern wie Samsung, Hynix und Micron. Lebenslange Garantie, kostenloser technischer Support. E-Mail an [email protected]. Die Abbildungen dienen nur zur Veranschaulichung.

Produktbeschreibung Unser 4GB DDR2 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 2GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D2-4GK2-667-N läuft mit 1.8V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 667 MHz .Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC2-5300U-555 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL5. Die Speichermodule sind für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten Desktop-PCs mit DDR2 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Produktdetails EAN: 4262360570319Speichertyp: DDR2 RAMMarke: BRA

Produktbeschreibung Unser 8GB DDR2 RAM Speicherkit besteht aus 4 Modulen mit jeweils 2GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D2-8GK4-667-N läuft mit 1.8V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 667 MHz .Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC2-5300U-555 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL5. Die Speichermodule sind für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten Desktop-PCs mit DDR2 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Produktdetails EAN: 4262360570357Speichertyp: DDR2 RAMMarke: BRA

Produktbeschreibung Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-1600-1RL-11-13-A1 läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz.Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800U-11-13-A1 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11. Das Speichermodul ist einseitig bestückt (Single-Rank 1Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten Computern mit DDR3 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Kompatibel mit PC3L-12800U-11-13-A1Produktdetails EAN: 4262360571019Sp

Produktbeschreibung Unser 4GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 2GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-4GK2-SO-1066-2RX8-N läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 1066 MHz .Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-8500S-7 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL7. Die Speichermodule sind für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Produktdetails EAN: 4262360571408Speichertyp: DDR3 RAMMark