Überlegene Kompatibilität: DDR3/DDR3L 1333MHz UDIMM PC3/PC3L 10600U 16GB Kit (2x8GB) 1.35V 240-pin Ungepuffert NON-ECC Desktop Arbeitsspeicher. Hochwertiger und strenger Test: Der Speicher von Motoeagle verwendet hochwertige Chips (Samsung, SK Hynix, Kingston, Micron). Alle Chips 100% getestet, RoHS konform, JEDEC konform, mit starker Kompatibilität und hoher Stabilität mit Motherboards verschiedener Marken. Plug and Play: Die Speichererweiterung ist eine der schnellsten, einfachsten und kostengünstigsten Möglichkeiten, um die Leistung Ihres Computers sofort zu verbessern. Es kann Ihrem Computer eine überlegene Speicherqualität und die für einen langfristigen Systembetrieb erforderliche Stabilität bieten. Lebenslange Garantie und gebührenfreier technischer Support: Wenn Sie aus irgendeinem Grund mit unserem ddr3 1333 udimm Desktop Arbeitsspeicher nicht vollständig zufrieden sind, können Sie sich unter [email protected] an uns wenden. Achtung: Stellen Sie vor dem Kauf sicher, dass Ihr Computer RAM Modell, der maximale RAM und der RAM Steckplatz vorhanden sind. Wischen Sie den Verbindungsfinger vor der Installation vorsichtig mit dem Radiergummi ab.

1. Wlizedle 8GB Kit mit 2 x 4GB Modulen, DDR3 / DDR3L, U-DIMM, PC3-12800u / PC3L-12800u, 1600MHz, 240 Pins, 1,35 Volt / 1,5 Volt, 2Rx8 Dual Rank, Unbuffered Non-ECC, CL11.RPA2023 20232 . Adopt Samsung / Hyc / Kingston / Micron Hochleistungsspeicherpartikel 512MB * 16 Architektur-Modus, erhöht die Wärmeableitung, ist freundlicher zu alten Motherboard/CPU. 3. 1600 MHz RAM kann auf 1333 MHz oder 1066 MHz herunterschalten, wenn Ihre Computersystemspezifikation nur 1333 MHz oder 1066 MHz unterstützt. 5 Kompatibel mit allen Motherboards. Um Streitigkeiten zwischen den beiden Parteien zu vermeiden, überprüfen Sie vor dem Kauf die Spezifikationen des Gerätes. Beispielsweise Computer Motherboard Modell / RAM Modell / RAM Slot / RAM Frequenz / Max kompatible Speicherkapazität..6. Bitte kontaktieren Sie unser Servicemitarbeiter, wenn Sie Fragen haben, wir werden es innerhalb von 24 Stunden sortieren. Vielen Dank, dass Sie uns gewählt Wünschen Sie ein glückliches Einkaufserlebnis. International products have separate terms, are sold from abroad and may differ from local products, including fit, age ratings, and language of product, labeling or instructions.

1. Wlizedle 32GB Kit mit 4 x 8GB Modulen, DDR3 / DDR3L U-DIMM, PC3-12800u / PC3L-12800u, 1600MHz, 240 Pins, 1,35 Volt / 1,5 Volt, 2Rx8 Dual Rank, Unbuffered Non-ECC, CL11.RPA20202 32023 2. Adopt Samsung / Hyc / Kingston / Micron Hochleistungsspeicherpartikel 512MB * 16 Architektur-Modus, erhöht die Wärmeableitung, ist freundlicher zu alten Motherboard/CPU. 3. 1600 MHz RAM kann auf 1333 MHz oder 1066 MHz herunterschalten, wenn Ihre Computersystemspezifikation nur 1333 MHz oder 1066 MHz unterstützt. 5 Kompatibel mit allen Motherboards. Um Streitigkeiten zwischen den beiden Parteien zu vermeiden, überprüfen Sie vor dem Kauf die Spezifikationen des Gerätes. Beispielsweise Computer Motherboard Modell / RAM Modell / RAM Slot / RAM Frequenz / Max kompatible Speicherkapazität..6. Bitte kontaktieren Sie unser Servicemitarbeiter, wenn Sie Fragen haben, wir werden es innerhalb von 24 Stunden sortieren. Vielen Dank, dass Sie uns gewählt Wünschen Sie ein glückliches Einkaufserlebnis. International products have separate terms, are sold from abroad and may differ from local products, including fit, age ratings, and language of product, labeling or instructions.

Produktbeschreibung Unser 8GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 4GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-8GK2-SO-1600-2RN-11-11-F3 läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-12800S-11-11-F3 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11 . Die Speichermodule sind für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8) . Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Kompatibel mit PC3-12800S-11-11-F3 wie z.B: Hynix HMT351S6CFR8C-PB Samsung M471B5273DH0-CK0 Samsung M471B5273EB0-CK0 Ramaxel RMT3160ED58E9W-1600 Kingston ACR512X64D3S16C11G Produktdetails EAN: 4262360571231 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-2RN-11-11-F3 Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1600 MHz Modul-Einzelkapazität: 4GB Anzahl Module: 2 Gesamtkapazität: 8GB Speicher-Spezifikation: PC3-12800S-11-11-F3 JEDEC Norm: PC3-12800S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.5V Latenz (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Ras Precharge Time (tRP): 11 Chip-Anordnung: 2Rx8

Produktbeschreibung Unser 8GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 4GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-8GK2-SO-1600-1RX8-L läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800S-11 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11 . Die Speichermodule sind einseitig bestückt (Single-Rank 1Rx8) . Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Produktdetails EAN: 4262360571125 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-1RX8-L Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1600 MHz Modul-Einzelkapazität: 4GB Anzahl Module: 2 Gesamtkapazität: 8GB Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11 JEDEC Norm: PC3L-12800S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.35V Latenz (CL): 11 Chip-Anordnung: 1Rx8

Produktbeschreibung Unser 8GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 4GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-8GK2-SO-1600-2RX8-N läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-12800S-11 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11 . Die Speichermodule sind für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8) . Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Produktdetails EAN: 4262360571149 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-2RX8-N Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1600 MHz Modul-Einzelkapazität: 4GB Anzahl Module: 2 Gesamtkapazität: 8GB Speicher-Spezifikation: PC3-12800S-11 JEDEC Norm: PC3-12800S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.5V Latenz (CL): 11 Chip-Anordnung: 2Rx8

Produktbeschreibung Unser 16GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 8GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-16GK2-SO-1866-2RX8-N läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1866 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1600 MHz, 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-14900S-13 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL13 . Die Speichermodule sind für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8) . Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Produktdetails EAN: 4262360571583 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-8G-SO-1866-2RX8-N Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1866 MHz Modul-Einzelkapazität: 8GB Anzahl Module: 2 Gesamtkapazität: 16GB Speicher-Spezifikation: PC3-14900S-13 JEDEC Norm: PC3-14900S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.5V Latenz (CL): 13 Chip-Anordnung: 2Rx8

Überlegene Kompatibilität: DDR3 1333MHz SODIMM PC3 10600S 8GB Kit (2x4GB) 204-pin Ungepuffert NON-ECC Laptop-Speicher. Designed für ausgewählte MacBook Pro, iMac, Mac mini Modelle und AMD, Intel, Mac Systeme. Hochwertiger und strenger Test: Der Speicher von Motoeagle verwendet hochwertige Chips (Samsung, SK Hynix, Kingston, Micron). Alle Chips 100% getestet, mit starker Kompatibilität und hoher Stabilität mit Motherboards verschiedener Marken. Es kann Ihrem Computer eine überlegene Speicherqualität und die für einen langfristigen Systembetrieb erforderliche Stabilität bieten. Plug and Play: Die Speichererweiterung ist eine der schnellsten, einfachsten und kostengünstigsten Möglichkeiten, um die Leistung Ihres Computers sofort zu verbessern. Wenn Ihre PC Laptops oder Ihr Mac-System langsam laufen, kann ein Upgrade des Speichers Ihre Probleme lösen. Lebenslange Garantie und gebührenfreier technischer Support: Wenn Sie aus irgendeinem Grund mit unserem ddr3 1333 sodimm Laptop Ram nicht vollständig zufrieden sind, können Sie sich unter [email protected] an uns wenden Achtung: Stellen Sie vor dem Kauf sicher, dass Ihr Computer RAM Modell, der maximale RAM und der RAM Steckplatz vorhanden sind. Wischen Sie den Verbindungsfinger vor der Installation vorsichtig mit dem Radiergummi ab.

Produktbeschreibung Unser 8GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 4GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-8GK2-SO-1600-1RX8-N läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-12800S-11 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11 . Die Speichermodule sind einseitig bestückt (Single-Rank 1Rx8) . Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Produktdetails EAN: 4262360571132 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-1RX8-N Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1600 MHz Modul-Einzelkapazität: 4GB Anzahl Module: 2 Gesamtkapazität: 8GB Speicher-Spezifikation: PC3-12800S-11 JEDEC Norm: PC3-12800S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.5V Latenz (CL): 11 Chip-Anordnung: 1Rx8

Produktbeschreibung Unser 16GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 8GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-16GK2-SO-1866-2RX8-L läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1866 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1600 MHz, 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-14900S-13 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL13 . Die Speichermodule sind für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8) . Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Produktdetails EAN: 4262360571576 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-8G-SO-1866-2RX8-L Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1866 MHz Modul-Einzelkapazität: 8GB Anzahl Module: 2 Gesamtkapazität: 16GB Speicher-Spezifikation: PC3L-14900S-13 JEDEC Norm: PC3L-14900S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.35V Latenz (CL): 13 Chip-Anordnung: 2Rx8

Produktbeschreibung Unser 8GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 4GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-8GK2-SO-1866-2RX8-L läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1866 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1600 MHz, 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-14900S-13 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL13 . Die Speichermodule sind für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8) . Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Produktdetails EAN: 4262360571347 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1866-2RX8-L Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1866 MHz Modul-Einzelkapazität: 4GB Anzahl Module: 2 Gesamtkapazität: 8GB Speicher-Spezifikation: PC3L-14900S-13 JEDEC Norm: PC3L-14900S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.35V Latenz (CL): 13 Chip-Anordnung: 2Rx8

Produktbeschreibung Unser 16GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 8GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-16GK2-SO-1600-2RX8-L läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800S-11 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11 . Die Speichermodule sind für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8) . Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Produktdetails EAN: 4262360571118 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-8G-SO-1600-2RX8-L Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1600 MHz Modul-Einzelkapazität: 8GB Anzahl Module: 2 Gesamtkapazität: 16GB Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11 JEDEC Norm: PC3L-12800S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.35V Latenz (CL): 11 Chip-Anordnung: 2Rx8

Produktbeschreibung Unser 8GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 4GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-8GK2-SO-1866-2RX8-N läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1866 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1600 MHz, 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-14900S-13 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL13 . Die Speichermodule sind für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8) . Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Produktdetails EAN: 4262360571378 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1866-2RX8-N Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1866 MHz Modul-Einzelkapazität: 4GB Anzahl Module: 2 Gesamtkapazität: 8GB Speicher-Spezifikation: PC3-14900S-13 JEDEC Norm: PC3-14900S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.5V Latenz (CL): 13 Chip-Anordnung: 2Rx8

Produktbeschreibung Unser 8GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 4GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-8GK2-SO-1600-2RX8-L läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800S-11 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11 . Die Speichermodule sind für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8) . Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Produktdetails EAN: 4262360570241 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-2RX8-L Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1600 MHz Modul-Einzelkapazität: 4GB Anzahl Module: 2 Gesamtkapazität: 8GB Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11 JEDEC Norm: PC3L-12800S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.35V Latenz (CL): 11 Chip-Anordnung: 2Rx8

Produktbeschreibung Unser 8GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 4GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-8GK2-SO-1600-1RL-11-11-B4 läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800S-11-11-B4 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11 . Die Speichermodule sind einseitig bestückt (Single-Rank 1Rx8) . Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Kompatibel mit PC3L-12800S-11-11-B4 wie z.B: Ramaxel RMT3170EB68F9W-1600 Ramaxel RMT3170ME68F9F-1600 Produktdetails EAN: 4262360571279 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-1RL-11-11-B4 Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1600 MHz Modul-Einzelkapazität: 4GB Anzahl Module: 2 Gesamtkapazität: 8GB Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11-11-B4 JEDEC Norm: PC3L-12800S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.35V Latenz (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Ras Precharge Time (tRP): 11 Chip-Anordnung: 1Rx8

Produktbeschreibung Unser 8GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 4GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-8GK2-SO-1600-1RL-11-12-B4 läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800S-11-12-B4 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11 . Die Speichermodule sind einseitig bestückt (Single-Rank 1Rx8) . Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Kompatibel mit PC3L-12800S-11-12-B4 wie z.B: Hynix HMT451S6AFR8A-PB Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F Ramaxel RMT3170EF68F9W-1600 Produktdetails EAN: 4262360571262 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-1RL-11-12-B4 Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1600 MHz Modul-Einzelkapazität: 4GB Anzahl Module: 2 Gesamtkapazität: 8GB Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11-12-B4 JEDEC Norm: PC3L-12800S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.35V Latenz (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Ras Precharge Time (tRP): 11 Chip-Anordnung: 1Rx8

Produktbeschreibung Unser 8GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-8G-SO-1600-2RL-11-13-F3 läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800S-11-13-F3 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11 . Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8) . Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Kompatibel mit PC3L-12800S-11-13-B4 wie z.B: Hynix HMT41GS6AFR8A-PB Hynix HMT41GS6BFR8A-PB Samsung M471B1G73QH0-YK0 Samsung M471B1G73DB0-YK0 Samsung M471B1G73EB0-YK0 Produktdetails EAN: 4262360570814 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-8G-SO-1600-2RL-11-13-F3 Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1600 MHz Modul-Einzelkapazität: 8GB Anzahl Module: 1 Gesamtkapazität: 8GB Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11-13-F3 JEDEC Norm: PC3L-12800S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.35V Latenz (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Ras Precharge Time (tRP): 11 Chip-Anordnung: 2Rx8

Produktbeschreibung Unser 16GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 8GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-16GK2-SO-1600-2RL-11-13-F3 läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800S-11-13-F3 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11 . Die Speichermodule sind für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8) . Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Kompatibel mit PC3L-12800S-11-13-B4 wie z.B: Hynix HMT41GS6AFR8A-PB Hynix HMT41GS6BFR8A-PB Samsung M471B1G73QH0-YK0 Samsung M471B1G73DB0-YK0 Samsung M471B1G73EB0-YK0 Produktdetails EAN: 4262360571316 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-8G-SO-1600-2RL-11-13-F3 Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1600 MHz Modul-Einzelkapazität: 8GB Anzahl Module: 2 Gesamtkapazität: 16GB Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11-13-F3 JEDEC Norm: PC3L-12800S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.35V Latenz (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Ras Precharge Time (tRP): 11 Chip-Anordnung: 2Rx8

Produktbeschreibung Unser 8GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 4GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-8GK2-SO-1600-2RL-11-12-F3 läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800S-11-12-F3 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11 . Die Speichermodule sind für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8) . Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Kompatibel mit PC3L-12800S-11-12-F3 wie z.B: Hynix HMT351S6EFR8A-PB Hynix HMT351S6CFR8A-PB Samsung M471B5173QH0-YK0 Samsung M471B5173EB0-YK0 Micron MT8KTF51264HZ-1G6N1 Ramaxel RMT3170MN68F9F-1600 Produktdetails EAN: 4262360571286 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-2RL-11-12-F3 Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1600 MHz Modul-Einzelkapazität: 4GB Anzahl Module: 2 Gesamtkapazität: 8GB Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11-12-F3 JEDEC Norm: PC3L-12800S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.35V Latenz (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Ras Precharge Time (tRP): 11 Chip-Anordnung: 2Rx8

Produktbeschreibung Unser 8GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 4GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-8GK2-SO-1600-1RL-11-13-B4 läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800S-11-13-B4 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11 . Die Speichermodule sind einseitig bestückt (Single-Rank 1Rx8) . Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Kompatibel mit PC3L-12800S-11-13-B4 wie z.B: Hynix HMT451S6BFR8A-PB Samsung M471B5173DB0-YK0 Samsung M471B5173QH0-YK0 Samsung M471B5173EB0-YK0 Micron MT8KTF51264HZ-1G6N1 Ramaxel RMT3170MN68F9F-1600 Produktdetails EAN: 4262360571248 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-1RL-11-13-B4 Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1600 MHz Modul-Einzelkapazität: 4GB Anzahl Module: 2 Gesamtkapazität: 8GB Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11-13-B4 JEDEC Norm: PC3L-12800S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.35V Latenz (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Ras Precharge Time (tRP): 11 Chip-Anordnung: 1Rx8