Produktbeschreibung Unser 8GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 4GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-8GK2-SO-1600-2RL-11-11-FP läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800S-11-11-FP prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11 . Die Speichermodule sind für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8) . Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Kompatibel mit PC3L-12800S-11-11-FP wie z.B: Micron MT16KTF51264HZ-1G6M1 Micron MT16KTF1G64HZ-1G6E1 Produktdetails EAN: 4262360571309 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-2RL-11-11-FP Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1600 MHz Modul-Einzelkapazität: 4GB Anzahl Module: 2 Gesamtkapazität: 8GB Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11-11-FP JEDEC Norm: PC3L-12800S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.35V Latenz (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Ras Precharge Time (tRP): 11 Chip-Anordnung: 2Rx8

Produktbeschreibung Unser 8GB DDR3 RAM Speicherkit besteht aus 2 Modulen mit jeweils 4GB Kapazität mit der Artikelnummer BS-D3-8GK2-SO-1600-1RL-11-11-B2 läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft. Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz. Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Die Speichermodule sind mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800S-11-11-B2 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11 . Die Speichermodule sind einseitig bestückt (Single-Rank 1Rx8) . Die Speichermodule sind Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten. Neuer Speicher. Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston) Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher. Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen. Kompatibel mit PC3L-12800S-11-11-B2 wie z.B: Micron MT8KTF51264HZ-1G6E1 Micron MT8KTF51264HZ-1G6E2 Samsung M471B5173BH0-YK0 Samsung M471B5173CB0-YK0 Produktdetails EAN: 4262360571293 Speichertyp: DDR3 RAM Marke: BRAINZAP Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-1RL-11-11-B2 Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD Speicher-Frequenz: 1600 MHz Modul-Einzelkapazität: 4GB Anzahl Module: 2 Gesamtkapazität: 8GB Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11-11-B2 JEDEC Norm: PC3L-12800S Bauform: SO DIMM 204-pol. Unbuffered: ja ECC: nein Registriert: nein Spannung: 1.35V Latenz (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Ras Precharge Time (tRP): 11 Chip-Anordnung: 1Rx8