Längere mechanische Lebensdauer Kleine Größe, leicht, einfach zu installieren Dieser Endschalter kann weithin für die Positionskontrolle in verschiedenen Maschinen verwendet werden
PHS-memory 4GB RAM Speicher für Packard Bell EasyNote LS11-HR-007GE (LX.BVU02.030) DDR3 SO DIMM 1333MHz (Packard Bell EasyNote LS11-HR-007GE (LX.BVU02.030), 1 x 4GB), RAM Modellspezifisch SP139791
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LS11-HR-007GE (LX.BVU02.030) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1333 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser Arbeitsspeicher ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Notebooks steigern möchten. Die 4GB Kapazität ermöglicht eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und sorgt dafür, dass Anwendungen reibungslos laufen. Der RAM ist mit einer Spannung von 1.5 Volt ausgelegt und bietet eine hohe Energieeffizienz. Die Kompatibilität mit dem spezifischen Modell gewährleistet eine einfache Installation und optimale Leistung. - 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS11-HR-007GE (LX.BVU02.030) - Speichertaktfrequenz von 1333 MHz für verbesserte Leistung - Energieeffizienter Betrieb mit 1.5 Volt Spannung - LPDDR3 Chips für optimierte Datenverarbeitung.
PHS-memory 4GB RAM Speicher für Packard Bell EasyNote LS11-HR-158GE (LX.BRX02.031) DDR3 SO DIMM 1333MHz (Packard Bell EasyNote LS11-HR-158GE (LX.BRX02.031), 1 x 4GB), RAM Modellspezifisch SP140027
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LS11-HR-158GE (LX.BRX02.031) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 1333 MHz sorgt dieser DDR3 SO-DIMM RAM für eine verbesserte Systemleistung und reibungsloses Multitasking. Die Kompatibilität mit dem spezifischen Modell gewährleistet eine einfache Installation und optimale Funktionalität. Der Arbeitsspeicher ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Notebooks steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen oder anspruchsvollere Aufgaben. Mit einer Spannung von 1,5 Volt und einer Chip-Technologie von LPDDR3 ist dieser RAM sowohl energieeffizient als auch leistungsstark, was ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für das Packard Bell EasyNote macht. - 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS11-HR-158GE (LX.BRX02.031) - Optimierte Leistung für Multitasking und anspruchsvolle Anwendungen - Energieeffizient mit einer Spannung von 1,5 Volt.
PHS-memory 4GB RAM Speicher für Packard Bell EasyNote LS11-HR-085GE (LX.BSM02.008) DDR3 SO DIMM 1333MHz (Packard Bell EasyNote LS11-HR-085GE (LX.BSM02.008), 1 x 4GB), RAM Modellspezifisch SP140025
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LS11-HR-085GE konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1333 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser Arbeitsspeicher ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Notebooks steigern möchten. Die 4GB Speicherkapazität pro Modul ermöglicht eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und sorgt für ein reibungsloses Nutzererlebnis, egal ob beim Arbeiten, Surfen oder Spielen. Die Kompatibilität mit der spezifischen Modellreihe gewährleistet eine einfache Installation und optimale Leistung. Dieser RAM ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die die Effizienz ihres Packard Bell Notebooks erhöhen möchten. - 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS11-HR-085GE - Speichertaktfrequenz von 1333 MHz für verbesserte Leistung - DDR3 SO-DIMM Formfaktor für einfache Installation - Niedriger Stromverbrauch mit 1.5 Volt Spannung.
PHS-memory 4GB RAM Speicher für Packard Bell EasyNote LS11-HR-026GE (LX.BVV02.029) DDR3 SO DIMM 1333MHz (Packard Bell EasyNote LS11-HR-026GE (LX.BVV02.029), 1 x 4GB), RAM Modellspezifisch SP139989
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LS11-HR-026GE (LX.BVV02.029) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1333 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten. Die Kompatibilität mit dem spezifischen Modell gewährleistet eine einfache Installation und optimale Funktionalität. Der Arbeitsspeicher ist mit einer Spannung von 1,5 Volt ausgelegt und bietet eine Speicherkapazität von 4 GB, was ihn zu einer effektiven Lösung für Multitasking und anspruchsvolle Anwendungen macht. Die Verwendung von LPDDR3 Chips sorgt für eine verbesserte Energieeffizienz und Leistung. - 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS11-HR-026GE (LX.BVV02.029) - Speichertaktfrequenz von 1333 MHz für verbesserte Leistung - LPDDR3 Chips für höhere Energieeffizienz - Einfache Installation dank SO-DIMM Formfaktor.
PHS-memory 4GB RAM Speicher für Packard Bell EasyNote LS11-HR-035GE (NX.BYPEG.001) DDR3 SO DIMM 1333MHz (Packard Bell EasyNote LS11-HR-035GE (NX.BYPEG.001), 1 x 4GB), RAM Modellspezifisch SP139805
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LS11-HR-035GE (NX.BYPEG.001) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 1333 MHz sorgt dieser DDR3 SO-DIMM-RAM für eine verbesserte Systemleistung und eine reibungslose Ausführung von Anwendungen. Die Kompatibilität mit dem spezifischen Modell gewährleistet eine einfache Installation und optimale Funktionalität. Der Arbeitsspeicher ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Notebooks steigern möchten, sei es für alltägliche Aufgaben oder anspruchsvollere Anwendungen. Die Verwendung von LPDDR3-Chips und die Einhaltung der 1.5 Volt Spannung sorgen für eine effiziente Energieverwaltung und Stabilität. - 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS11-HR-035GE (NX.BYPEG.001) - Speicherkapazität von 4GB für verbesserte Leistung - Taktfrequenz von 1333 MHz für schnelle Datenverarbeitung - SO-DIMM Formfaktor für einfache Installation.
PHS-memory 4GB RAM Speicher für Packard Bell EasyNote LS11-SB-208GE (NX.BYSEG.003) DDR3 SO DIMM 1600MHz (Packard Bell EasyNote LS11-SB-208GE (NX.BYSEG.003), 1 x 4GB), RAM Modellspezifisch SP140565
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LS11-SB-208GE konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1600 MHz sorgt dieser DDR3 SO-DIMM RAM für eine verbesserte Systemleistung und eine reibungslose Ausführung von Anwendungen. Die Kompatibilität mit dem spezifischen Modell gewährleistet eine einfache Installation und optimale Funktionalität. Der Arbeitsspeicher ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Notebooks steigern möchten, sei es für alltägliche Aufgaben oder anspruchsvollere Anwendungen. Die Verwendung von LPDDR3-Chips und einer Betriebsspannung von 1,35 Volt sorgt für eine effiziente Energieverwaltung und trägt zur Langlebigkeit des Geräts bei. - 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS11-SB-208GE - Speichertaktfrequenz von 1600 MHz für verbesserte Leistung - Energieeffizienter LPDDR3-Chip mit 1,35 Volt Spannung - SO-DIMM Formfaktor für einfache Installation.
PHS-memory 4GB RAM Speicher für Packard Bell EasyNote LS11-HR-033GE (LX.BVV02.003) DDR3 SO DIMM 1333MHz (Packard Bell EasyNote LS11-HR-033GE (LX.BVV02.003), 1 x 4GB), RAM Modellspezifisch SP140105
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LS11-HR-033GE (LX.BVV02.003) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 1333 MHz ermöglicht dieser DDR3 SO DIMM Speicher eine verbesserte Systemleistung und eine reibungslose Ausführung von Anwendungen. Die Kompatibilität mit dem spezifischen Modell gewährleistet eine einfache Installation und optimale Funktionalität. Der Arbeitsspeicher ist mit 204 Pins ausgestattet und arbeitet bei einer Spannung von 1,5 Volt, was ihn zu einer energieeffizienten Wahl für Nutzer macht, die die Leistung ihres Notebooks steigern möchten. Diese RAM-Erweiterung ist ideal für alltägliche Aufgaben sowie für anspruchsvollere Anwendungen, die mehr Arbeitsspeicher erfordern. - 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS11-HR-033GE (LX.BVV02.003) - DDR3 SO DIMM mit einer Taktfrequenz von 1333 MHz - Energieeffizienter Betrieb bei 1,5 Volt - Einfach zu installieren mit 204 Pins.
PHS-memory 4GB RAM Speicher für Packard Bell EasyNote LS11-HR-202GE (LX.BSU02.014) DDR3 SO DIMM 1333MHz (Packard Bell EasyNote LS11-HR-202GE (LX.BSU02.014), 1 x 4GB), RAM Modellspezifisch SP132772
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LS11-HR-202GE konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 1066 MHz (DDR3 SO-DIMM) sorgt dieser RAM für eine verbesserte Systemleistung und eine flüssigere Nutzung von Anwendungen. Die Kompatibilität mit dem spezifischen Modell gewährleistet eine einfache Installation und optimale Funktionalität. Der Speicher ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Notebooks steigern möchten, sei es für alltägliche Aufgaben oder anspruchsvollere Anwendungen. Mit einer Spannung von 1.5 Volt und 204 Pins ist dieser RAM eine effiziente Wahl für das Packard Bell EasyNote LS11-HR-202GE. - 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS11-HR-202GE - Speicherkonfiguration: 1 x 4GB DDR3-RAM - Optimierte Leistung mit einer Taktfrequenz von 1066 MHz.
PHS-memory 4GB RAM Speicher für Packard Bell EasyNote LS11-HR-180GE (LX.BST02.009) DDR3 SO DIMM 1333MHz (Packard Bell EasyNote LS11-HR-180GE (LX.BST02.009), 1 x 4GB), RAM Modellspezifisch SP140145
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LS11-HR-180GE (LX.BST02.009) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1333 MHz und dem Formfaktor SO-DIMM ist dieser DDR3-RAM optimal für die Anforderungen des Geräts geeignet. Die 4GB Speicherkapazität pro Modul ermöglicht eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und sorgt für eine flüssigere Nutzung von Anwendungen. Der Arbeitsspeicher ist mit einer Spannung von 1,5 Volt ausgelegt und bietet eine hohe Energieeffizienz. Die Kompatibilität mit dem spezifischen Modell gewährleistet eine einfache Installation und einen reibungslosen Betrieb. - 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS11-HR-180GE (LX.BST02.009) - Speichertaktfrequenz von 1333 MHz für verbesserte Leistung - Energieeffizient mit einer Spannung von 1,5 Volt - LPDDR3 Chips für optimierte Leistung und Stabilität.
PHS-memory 4GB RAM Speicher für Packard Bell EasyNote LS11-HR-52458G50Mnkk (NX.BYPEG.008) DDR3 SO DIMM 1333MHz (Packard Bell EasyNote LS11-HR-52458G50Mnkk (NX.BYPEG.008), 1 x 4GB), RAM Modellspezifisch SP140481
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LS11-HR-52458G50Mnkk konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1333 MHz und der DDR3 SO-DIMM Technologie gewährleistet dieser Arbeitsspeicher eine optimale Leistung für alltägliche Anwendungen und Multitasking. Die 4GB Kapazität ermöglicht es, mehrere Programme gleichzeitig auszuführen, ohne die Systemgeschwindigkeit zu beeinträchtigen. Der RAM ist einfach zu installieren und bietet eine 100%ige Kompatibilität mit dem genannten Modell, was ihn zu einer idealen Wahl für Nutzer macht, die die Leistung ihres Laptops steigern möchten. - Kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS11-HR-52458G50Mnkk - DDR3-RAM mit einer Taktfrequenz von 1333 MHz - SO-DIMM Formfaktor für Laptops - Niedriger Stromverbrauch mit 1,5 Volt Spannung.
PHS-memory 4GB RAM Speicher für Packard Bell EasyNote LS11-SB-202GE (LX.BUZ02.004) DDR3 SO DIMM 1600MHz (Packard Bell EasyNote LS11-SB-202GE (LX.BUZ02.004), 1 x 4GB), RAM Modellspezifisch SP140198
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LS11-SB-202GE konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1600 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM optimal für die Anforderungen moderner Anwendungen geeignet. Die Kompatibilität mit dem spezifischen Modell gewährleistet eine einfache Installation und eine verbesserte Systemleistung. Der Speicher ist ideal für Nutzer, die die Effizienz ihres Notebooks steigern möchten, sei es für alltägliche Aufgaben oder anspruchsvollere Anwendungen. Die Verwendung von LPDDR3 Chips sorgt für eine verbesserte Energieeffizienz, was zu einer längeren Akkulaufzeit des Geräts beiträgt. Dieser RAM ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die die Leistung ihres Packard Bell EasyNote optimieren möchten. - 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS11-SB-202GE - Speichertaktfrequenz von 1600 MHz für verbesserte Leistung - Energieeffiziente LPDDR3 Chips für längere Akkulaufzeit - Einfach zu installieren dank SO-DIMM Formfaktor.
PHS-memory 4GB RAM Speicher für Packard Bell EasyNote LS11-HR-225GE (LX.BSU02.013) DDR3 SO DIMM 1333MHz (Packard Bell EasyNote LS11-HR-225GE (LX.BSU02.013), 1 x 4GB), RAM Modellspezifisch SP132776
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LS11-HR-225GE konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1066 MHz und einem SO-DIMM Formfaktor ist dieser DDR3-RAM optimal für die Anforderungen des Geräts geeignet. Die 204 Pins und die Spannung von 1,5 Volt gewährleisten eine einfache Installation und Kompatibilität. Dieser Arbeitsspeicher ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Notebooks steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen oder anspruchsvollere Aufgaben. Die Verwendung von LPDDR3 Chips sorgt für eine effiziente Energieverwaltung und trägt zur Stabilität des Systems bei. Mit diesem RAM-Modul können Sie die Multitasking-Fähigkeiten Ihres Notebooks verbessern und die Gesamtleistung steigern. - 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS11-HR-225GE - Optimale Speichertaktfrequenz von 1066 MHz für verbesserte Leistung - Energieeffiziente LPDDR3 Chips für stabile Systemleistung.
PHS-memory 4GB RAM Speicher für Packard Bell EasyNote LS11-HR-149GE (NX.BYPEG.012) DDR3 SO DIMM 1333MHz (Packard Bell EasyNote LS11-HR-149GE (NX.BYPEG.012), 1 x 4GB), RAM Modellspezifisch SP140425
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LS11-HR-149GE (NX.BYPEG.012) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4GB und einer Taktfrequenz von 1333MHz ermöglicht dieser DDR3 SO-DIMM Speicher eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und eine schnellere Datenverarbeitung. Die Kompatibilität mit dem spezifischen Modell gewährleistet eine einfache Installation und optimale Leistung. Der Speicher ist ideal für Nutzer, die die Leistung ihres Notebooks steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen oder anspruchsvollere Aufgaben. Mit einer Spannung von 1.5 Volt und einer Chip-Technologie von LPDDR3 ist dieser RAM eine effiziente Wahl für Ihr Gerät. - 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS11-HR-149GE (NX.BYPEG.012) - Speicherkapazität von 4GB für verbesserte Leistung - Taktfrequenz von 1333MHz für schnellere Datenverarbeitung - SO-DIMM Formfaktor für einfache Installation.
PHS-memory 4GB RAM Speicher für Packard Bell EasyNote LS11-HR-178GE (NX.BYREG.003) DDR3 SO DIMM 1333MHz (Packard Bell EasyNote LS11-HR-178GE (NX.BYREG.003), 1 x 4GB), RAM Modellspezifisch SP140277
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LS11-HR-178GE konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1333 MHz und dem Formfaktor SO-DIMM ist dieser DDR3-RAM eine ideale Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Notebooks steigern möchten. Der Arbeitsspeicher ist mit einer Spannung von 1,5 Volt ausgelegt und bietet eine Speicherkapazität von 4 GB pro Modul. Die Kompatibilität mit dem spezifischen Modell gewährleistet eine einfache Installation und einen reibungslosen Betrieb. Dieser RAM-Speicher ist eine hervorragende Lösung für alltägliche Anwendungen und Multitasking-Anforderungen. - 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS11-HR-178GE - Speichertaktfrequenz von 1333 MHz für verbesserte Leistung - SO-DIMM Formfaktor für einfache Installation in Notebooks - Niedriger Stromverbrauch mit 1,5 Volt Spannung.
PHS-memory 4GB RAM Speicher für Packard Bell EasyNote LS11-HR-034GE (LX.BVV02.026) DDR3 SO DIMM 1333MHz (Packard Bell EasyNote LS11-HR-034GE (LX.BVV02.026), 1 x 4GB), RAM Modellspezifisch SP139993
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LS11-HR-034GE (LX.BVV02.026) konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speicherkapazität von 4 Gigabyte und einer Taktfrequenz von 1333 MHz sorgt dieser DDR3 SO-DIMM-RAM für eine verbesserte Systemleistung und eine reibungslose Ausführung von Anwendungen. Der RAM ist mit einer Spannung von 1,5 Volt ausgelegt und bietet eine hohe Energieeffizienz, was ihn ideal für den Einsatz in Notebooks macht. Die 204-Pin-Konfiguration gewährleistet eine einfache Installation und Kompatibilität mit dem entsprechenden Gerät. Dieser Arbeitsspeicher ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die die Leistung ihres Packard Bell Notebooks steigern möchten. - 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS11-HR-034GE (LX.BVV02.026) - DDR3-RAM mit einer Taktfrequenz von 1333 MHz - Energieeffizienter LPDDR3-Chip mit 1,5 Volt Spannung - Einfach zu installierender SO-DIMM Formfaktor.
PHS-memory 4GB RAM Speicher für Packard Bell EasyNote LS11-HR-110GE (LX.BW702.005) DDR3 SO DIMM 1333MHz (Packard Bell EasyNote LS11-HR-110GE (LX.BW702.005), 1 x 4GB), RAM Modellspezifisch SP140210
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LS11-HR-110GE konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1333 MHz und dem DDR3 SO-DIMM Formfaktor ist dieser RAM optimal für die Anforderungen moderner Anwendungen geeignet. Die 204-Pin Konfiguration und die Betriebsspannung von 1,5 Volt gewährleisten eine effiziente Energieverwendung und Kompatibilität mit dem entsprechenden Laptop-Modell. Dieser Arbeitsspeicher ist eine ideale Lösung für Nutzer, die die Leistung ihres Geräts steigern möchten, sei es für alltägliche Aufgaben oder anspruchsvollere Anwendungen. - 100% kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS11-HR-110GE - Speichertaktfrequenz von 1333 MHz für verbesserte Leistung - Energieeffizient mit einer Spannung von 1,5 Volt - LPDDR3 Chip-Technologie für optimierte Leistung.
PHS-memory 8GB RAM Speicher für Packard Bell EasyNote LS11HR-195GE DDR3 SO DIMM 1600MHz PC3-12800S (Packard Bell EasyNote LS11-HR-195GE, 1 x 8GB), RAM Modellspezifisch SP239846
Der 8GB RAM Speicher von PHS-memory ist speziell für das Modell Packard Bell EasyNote LS11-HR-195GE konzipiert und bietet eine zuverlässige und leistungsstarke Erweiterung des Arbeitsspeichers. Mit einer Speichertaktfrequenz von 1600 MHz (PC3-12800S) sorgt dieser DDR3 SO-DIMM-RAM für eine verbesserte Systemleistung und reibungsloses Multitasking. Die 8GB Kapazität ermöglicht es, mehrere Anwendungen gleichzeitig auszuführen, ohne dass es zu Verzögerungen kommt. Der RAM ist einfach zu installieren und bietet eine 100%ige Kompatibilität mit dem genannten Laptop-Modell, was ihn zu einer idealen Wahl für Nutzer macht, die die Leistung ihres Geräts steigern möchten. Die Verwendung von LPDDR3-Chips sorgt zudem für eine effiziente Energieverwaltung, was die Lebensdauer des Geräts verlängert. - Kompatibel mit Packard Bell EasyNote LS11-HR-195GE - Speichertaktfrequenz von 1600 MHz für verbesserte Leistung - Einfache Installation dank SO-DIMM Formfaktor - Effiziente Energieverwaltung durch LPDDR3-Chips.