Das 8.0GB (2x 4GB) PC3-12800 DDR3L 1600MHz SO-DIMM 204 Pin CL11 Memory Upgrade Kit von Other World Computing bietet eine leistungsstarke Lösung zur Erweiterung des Arbeitsspeichers für Notebooks. Mit einer Gesamtkapazität von 8 GB, aufgeteilt in zwei Module zu je 4 GB, ermöglicht dieses Kit eine verbesserte Multitasking-Fähigkeit und eine schnellere Datenverarbeitung. Die Speichertaktfrequenz von 1600 MHz sorgt für eine effiziente Leistung, während die CAS-Latenz von 11 eine reaktionsschnelle Datenübertragung gewährleistet. Der SO-DIMM Formfaktor mit 204 Pins ist speziell für den Einsatz in Notebooks konzipiert und bietet eine einfache Installation. Mit einer Betriebsspannung von 1,35 V ist dieser RAM-Speicher energieeffizient und trägt zur Verlängerung der Akkulaufzeit bei. Das Kit ist RoHS-zertifiziert, was bedeutet, dass es umweltfreundlich ist und keine schädlichen Substanzen enthält. - Speicherkapazität von 8 GB, aufgeteilt in zwei 4 GB Module - Speichertaktfrequenz von 1600 MHz für verbesserte Leistung - CAS-Latenz von 11 für schnelle Datenübertragung - Energieeffiziente Betriebsspannung von 1,35 V - RoHS-zertifiziert für umweltfreundliche Nutzung.

Der Klassiker Ripjaws wird als das schnellste SO-DIMM der Welt wiedergeboren. Mit verfügbaren Kits mit Geschwindigkeiten von bis zu DDR3-2133 MHz und 1,35 V DDR3L Low-Voltage-Unterstützung für die neueste Generation von Haswell-CPUs ist dies die beste Speicherwahl, um das volle Potenzial Ihres Laptops oder tragbaren Computersystems auszuschöpfen. Spüren Sie sofort den Geschwindigkeitszuwachs.

Speicherkapazität:4 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:PCMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMSpeichertaktfrequenz:1333 MHzSpeicherspannung:1.35 VJEDEC-Standard:JaKompatible Produkte:Apple Mac mini Core i5 2.5 (Late 2012) PHS-memory 4GB RAM Speicher für Apple Mac mini Core i5 2.5 (Late 2012) DDR3 SO DIMM 1600MHz (SP128109)

Leistungsschub für Ihr QNAP NASOptimieren Sie die Performance Ihres QNAP Network Attached Storage (NAS) mit dem hochwertigen QNAP RAM 4GB DDR3L 1600MHz SO-DIMM. Dieser Arbeitsspeicher wurde speziell für QNAP-Systeme entwickelt, um eine nahtlose Kompatibilität und maximale Effizienz zu gewährleisten. Erleben Sie schnellere Datenzugriffe, flüssigeres Multitasking und eine insgesamt reaktionsfreudigere Systemleistung, die Ihre Produktivität spürbar steigert.Zuverlässigkeit und KompatibilitätDer QNAP RAM-4GDR3LA0-SO-1600 ist ein DDR3L SO-DIMM Modul, das mit einer Taktfrequenz von 1600 MHz arbeitet. Die "L" in DDR3L steht für Low Voltage, was einen geringeren Stromverbrauch und somit eine effizientere und kühlere Arbeitsweise in Ihrem NAS-System bedeutet. Vertrauen Sie auf die bewährte QNAP-Qualität, die eine hohe Stabilität und Langlebigkeit des Speichermoduls garantiert und Ihr System optimal unterstützt.Einfaches Upgrade für mehr MöglichkeitenEin Upgrade Ihres Arbeitsspeichers ist eine d

Leistungsschub für Ihr QNAP NASOptimieren Sie die Performance Ihres QNAP Network Attached Storage (NAS) mit dem hochwertigen QNAP RAM 4GB DDR3L 1600MHz SO-DIMM. Dieser Arbeitsspeicher wurde speziell für QNAP-Systeme entwickelt, um eine nahtlose Kompatibilität und maximale Effizienz zu gewährleisten. Erleben Sie schnellere Datenzugriffe, flüssigeres Multitasking und eine insgesamt reaktionsfreudigere Systemleistung, die Ihre Produktivität spürbar steigert.Zuverlässigkeit und KompatibilitätDer QNAP RAM-4GDR3LA0-SO-1600 ist ein DDR3L SO-DIMM Modul, das mit einer Taktfrequenz von 1600 MHz arbeitet. Die "L" in DDR3L steht für Low Voltage, was einen geringeren Stromverbrauch und somit eine effizientere und kühlere Arbeitsweise in Ihrem NAS-System bedeutet. Vertrauen Sie auf die bewährte QNAP-Qualität, die eine hohe Stabilität und Langlebigkeit des Speichermoduls garantiert und Ihr System optimal unterstützt.Einfaches Upgrade für mehr MöglichkeitenEin Upgrade Ihres Arbeitsspeichers ist eine d

Speicherkapazität:4 GBSpeicherlayout (Module x Größe):1 x 4 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:LaptopMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMSpeichertaktfrequenz:1600 MHzSpeicherspannung:1.35 VJEDEC-Standard:JaKompatible Produkte:Apple MacBook Pro Core i7 2.3GHz 15-Zoll (Mid 2012) PHS-memory 4GB RAM Speicher für Apple MacBook Pro Core i7 2.3GHz 38,10cm (15") (Mid 2012) DDR3 SO DIMM 1600MHz (SP128866)

Maße & Gewicht Breite , 9 cm, |Höhe , 1 cm, |Tiefe , 12,2 cm, | Technische Daten WEEE-Reg.-Nr. DE , 44938294, |

Der G.Skill DDR3 4GB 1600 MHz RAM ist eine leistungsstarke und zuverlässige Speicherlösung, die für verschiedene Anwendungen geeignet ist. Mit einer Kapazität von 4 GB und einer Geschwindigkeit von 1600 MHz bietet dieser RAM eine solide Leistung für alltägliche Aufgaben sowie für anspruchsvollere Anwendungen. Die Verwendung von DDR3 SDRAM-Technologie sorgt für eine effiziente Datenverarbeitung und verbesserte Systemreaktionszeiten. Der RAM ist mit einer niedrigen Spannung von 1,35 V konzipiert, was nicht nur den Energieverbrauch reduziert, sondern auch die Wärmeentwicklung minimiert. Dies macht ihn zu einer idealen Wahl für kompakte Systeme und Laptops, die eine effiziente Kühlung erfordern. Die CAS-Latenz von 9 gewährleistet eine schnelle Datenübertragung, was die Gesamtleistung des Systems weiter optimiert. Der G.Skill DDR3 RAM ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die eine zuverlässige und leistungsstarke Speichererweiterung suchen. - Niederspannung von 1,35 V für energieeffizienten Betrieb - CAS-Latenz von 9 für verbesserte Datenübertragung - Kompatibel mit SO-DIMM Steckplätzen - Ideal für Laptops und kompakte Systeme.

Entdecken Sie die Leistung und Zuverlässigkeit des 4 GBDDR3-RAM von Patriot Memory, der speziell für die Leistungssteigerung Ihres Notebooks entwickelt wurde.Hauptmerkmale:Kapazität: 4GBGeschwindigkeit: 1600MHzFormat: 204-poliges SO-DIMMTyp: DDR3 ungepuffertSpannung: 1.5VCAS-Latenzzeit: 11Dieser Patriot Memory RAM ist das ideale Upgrade für alle, die die Leistung ihres Laptops ohne Kompromisse verbessern möchten. Die Konfiguration mit 1 x 4 GB bietet die perfekte Balance zwischen Kapazität und Geschwindigkeit, so dass Ihr System Multitasking und anspruchsvolle Anwendungen mit Leichtigkeit bewältigen kann.Die DDR3-Technologie sorgt für einen optimierten Stromverbrauch und trägt dazu bei, die Akkulaufzeit Ihres Notebooks zu verlängern.Die RoHS- zeigt das Engagement von Patriot Memory für e Nachhaltigkeit und bietet ein Produkt, das frei von schädlichen Substanzen ist. Die kompakten Abmessungen (69 x 30 x 3 mm) und das geringe Gewicht von nur 19 g machen diesen Arbeitsspeicher zur perfekten Wahl für alle, die auf der Suche nach h

Der OWC-Speicher wurde speziell für die Kompatibilität mit Ihrem Mac entwickelt. Man beginnt mit den hochwertigsten Komponenten und erstellt dann Speicher, der den hohen Geschwindigkeits-, Kapazitäts- und Programmierspezifikationen nahezu aller aufrüstbaren Apple-Computer entspricht. Das Ergebnis ist ein JEDEC-kompatibler Speicher, der perfekt für einen schnelleren Mac geeignet ist. OWC-Speicher wird bei jedem Schritt des Herstellungsprozesses von Hand geprüft und auf Qualität getestet. Aber das ist noch nicht alles. OWC besitzt und unterhält hochmoderne Anlagen, in denen fast jeder Mac der letzten zwei Jahrzehnte hergestellt wurde. Das liegt daran, dass OWC nicht nur unermüdlich auf Qualität und Zuverlässigkeit testet. Sie testen in realen Maschinen, um sicherzustellen, dass der OWC-Speicher so optimiert ist, dass er ein Leben lang eine überragende Leistung in Ihrem Mac liefert. Das ist der OWC-Unterschied.

Steigern Sie die Leistung Ihres Notebooks mit dem Compustocx 4GB DDR3 RAM – ideal für flüssiges Multitasking und schnelle Reaktionszeiten. Eigenschaften Arbeitsspeicher RAM Compustocx CSXD3SO1600-2R8 4GB DDR3 1600MHz CL11 SO-DIMM Profitieren Sie von stabiler Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit dank DDR3 mit 1600 MHz. Das 4GB Modul im 1x4GB Single-Channel-Design eignet sich perfekt für Upgrades älterer Notebooks die eine bessere Performance bei Office Multimedia und leichtem Gaming benötigen. Die CAS-Latenz 11 sorgt für schnelle Zugriffszeiten während das 204-pin SO-DIMM Format eine einfache Installation in den meisten DDR3-kompatiblen Laptops ermöglicht. Mit 1 5 V arbeitet das Modul energieeffizient und bleibt auch bei längerer Nutzung kühl. Techniker Studenten und Content Creator profitieren von mehr Anwendungsvielfalt und weniger Verzögerungen im Alltag. Der Compustocx CSXD3SO1600-2R8 ist die zuverlässige Wahl für ein unkompliziertes Upgrade. Bringen Sie Ihr Notebook jetzt auf ein neues Leistungsniveau. Spe...

Speicherkapazität:4 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:PCMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMSpeichertaktfrequenz:1333 MHzSpeicherspannung:1.5 VJEDEC-Standard:JaKompatible Produkte:Apple iMac Core i3 3.1GHz 21.5-Zoll (Late 2011) PHS-memory 4GB RAM Speicher für Apple iMac Core i3 3.1GHz 21.5" (Late 2011) DDR3 SO DIMM 1333MHz (SP123776)

Maximieren Sie die Notebook-Performance mit der Goodram 4GB DDR3 SO-DIMM. Ideal für anspruchsvolle Multi-Tasking- und professionelle Anwendungen. Eigenschaften RAM Goodram 4GB 1x4GB DDR3 1600MHz SO-DIMM 204-polig 1.35V Verbessern Sie die Effizienz Ihres Laptops mit einem 4GB DDR3 SO-DIMM Modul von Goodram entwickelt für maximale Kompatibilität und stabile Geschwindigkeit. Die 1600 MHz Taktfrequenz ermöglicht flüssiges Arbeiten schnelle Reaktionszeiten beim Gaming oder professionelle Aufgaben wie Foto- und Videobearbeitung. Durch die kompakte 204-polige SO-DIMM Bauform eignet sich dieses RAM-Modul perfekt für Notebooks Ultrabooks und kompakte Rechner bei denen Platzersparnis und Energieeffizienz entscheidend sind. Dank des niedrigen 1 35V Betriebsspannung wird die Akkulaufzeit verlängert und die Hitzeentwicklung minimiert – perfekt für den mobilen Einsatz oder komplexe Rechentasks unterwegs. Die 1x4GB Einmodul-Konfiguration ist der ideale Einstieg für System-Updates und sorgt für zuverlässige Aufrüstung ohne K...

Samsung bleibt führend in der Branche mit dem umfangreichsten Portfolio an Speicherprodukten und Display-Technologie. Seine Display-Panels, DRAM, Flash-, Mobil- und Grafikspeicher sind in vielen Computern zu finden – von Ultrabooks bis hin zu leistungsstarken Servern – sowie in einer Vielzahl von Handheld-Geräten wie Smartphones und Tablets. Samsung ist auch ein führender Anbieter von TV-Displays. Darüber hinaus bietet Samsung die breiteste Palette an Speicherprodukten in der Branche, die von Verbraucherebene bis hin zu Unternehmenslösungen reicht. Dazu gehören optische Laufwerke sowie Flash-Speicher, wie z.B. Solid State Drives, und eine Reihe von eingebetteten Flash-Speicherprodukten.

Der CSX Memória Notebook ist ein leistungsstarker 4GB DDR3-RAM, der speziell für Notebooks entwickelt wurde. Mit einer Taktfrequenz von 1066 MHz bietet dieser Arbeitsspeicher eine zuverlässige und effiziente Leistung für alltägliche Anwendungen und Multitasking. Der SO-DIMM Formfaktor sorgt dafür, dass der RAM in eine Vielzahl von Notebooks passt, was ihn zu einer idealen Wahl für Upgrades oder Reparaturen macht. Die DDR3-Technologie ermöglicht eine verbesserte Energieeffizienz und eine höhere Datenübertragungsrate im Vergleich zu älteren RAM-Generationen. Dieser Arbeitsspeicher ist eine kosteneffektive Lösung, um die Leistung Ihres Notebooks zu steigern und eine reibungslose Benutzererfahrung zu gewährleisten. - Optimale Leistung für Notebooks - Energieeffiziente DDR3-Technologie - Einfaches Upgrade mit SO-DIMM Formfaktor.

MerkmaleRAM-Speicher4 GBInterner SpeichertypDDR3Speichertaktfrequenz1600 MHzKomponente fürNotebookSpeicherlayout (Module x Größe)1 x 4 GBCAS Latenz11SpeicherkanäleEins/Eine(r)Speicherspannung1,35 V Speicherkapazität:4 GBSpeicherlayout (Module x Größe):1 x 4 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:LaptopMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMCAS Latenz:11Speichertaktfrequenz:1600 MHzSpeicherkanäle:Einfach-KanalSpeicherspannung:1.35 V Funktionen Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 4 GBCAS-Latenz: 11Speichertaktrate: 1600 MHzSpeicherspannung: 1,35 VKomponente für: LaptopSpeicherkanäle: Single-ChannelInterner Speicher: 4 GBInterner Speichertyp: DDR3 SO-DIMM DDR-1600 Arbeitsspeicher Der Single-Channel F3-1600C11S-4GRSL besteht aus einem 4-GB-DDR3-1600-SO-DIMM (PC3-12800) von G.Skill. Das Modul ist auf die Latenzen von 11-11-11-28 bei 1600 MHz getestet. Das 204-pin Unbuffered SO-DIMM-Modul ist mit FBGA-Chips bestückt und besitzt Kontakte. - Typ: SDRAM-DDR3 - EAN: 4711148599948 - Hersteller-Nr.: F3-1600C11S-4GRSL - Serie: Ripjaws - Kapa

Speicherkapazität:4 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:PCMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMSpeichertaktfrequenz:1333 MHzSpeicherspannung:1.35 VJEDEC-Standard:JaKompatible Produkte:Apple iMac Core i7 2.8GHz 27-Zoll (Late 2009) PHS-memory 4GB RAM Speicher kompatibel mit Apple iMac Core i7 2.8GHz 68,60cm (27") (Late 2009) DDR3 SO DIMM 1066MHz PC3-8500S (SP114510)

Speicherkapazität:4 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:PCMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMSpeichertaktfrequenz:1066 MHzSpeicherspannung:1.5 VJEDEC-Standard:JaKompatible Produkte:Apple iMac Core i3 3.2GHz 21.5-Zoll (Mid 2010) PHS-memory 4GB RAM Speicher für Apple iMac Core i3 3.2GHz 21.5" (Mid 2010) DDR3 SO DIMM 1066MHz PC3-8500S (SP122954)

Hersteller: G.SkillModellname: ValueGesamtkapazität: 4GBAnzahl der Module: 1xKapazität der Einzelmodule: 4GBArt des Speichers: DDR3L-1600JEDEC Norm: PC3L-12800SSpeichertyp: unbufferedBauform: SO-DIMMSpeicherinterface: DDR3Max. Frequenz: 1600MHzVerpackung: SingleSpannung: 1.35VAnschluss des Speichers: 204-pinLatenz (CL): CL9RAS to CAS Delay (tRCD): 9Ras Precharge Time (tRP): 9Row Active Time (tRAS): 28

Hersteller: TeamGroupModellname: EliteGesamtkapazität: 4GBAnzahl der Module: 1xKapazität der Einzelmodule: 4GBArt des Speichers: DDR3L-1600JEDEC Norm: PC3-12800SSpeichertyp: unbufferedBauform: SO-DIMMSpeicherinterface: DDR3Max. Frequenz: 1600MHzVerpackung: SingleSpannung: 1.35VAnschluss des Speichers: 204-pinLatenz (CL): CL11