Lenovo 8 GB DDR3L Speichermodul, Modell FRU03T7118, entwickelt als zuverlässiges Aufrüstbauteil für kompatible Lenovo Systeme. Dieses 8 GB DDR3L SO-DIMM arbeitet mit einer Frequenz von 1600 MHz bei niedrigen Spannungsanforderungen und bietet eine effiziente Leistungssteigerung für Laptops und kompakte Computer. Die 204-Pin-Konfiguration gewährleistet korrekte Kompatibilität mit den vorgesehenen Lenovo Mainboard-Schnittstellen. Mit hochwertigen Komponenten konstruiert für stabilen Betrieb unter normalen Computerarbeitslasten unterstützt dieses Speichermodul Multitasking-Fähigkeiten und verbessert die Systemreaktionsfähigkeit. Die DDR3L-Technologie bietet im Vergleich zu Standard-DDR3-Modulen einen stromsparenden Betrieb bei gleichzeitiger Kompatibilität mit Systemen für Niederspannungsspeicher. Jedes Modul durchläuft eine Qualitätsprüfung für zuverlässige Leistung in kompatiblen Lenovo Geräten. Diese Komponente dient als direkter Ersatz oder Aufrüstoption für Systeme, die 8 GB DDR3L Speichererweiterung benötigen, und unterstützt verschiedene Computeranwendungen von Geschäftsproduktivität bis hin zu allgemeiner Multimedianutzung. Das kompakte SO-DIMM-Format macht es geeignet für platzbeschränkte Laptop- und Kleincomputer-Installationen.

Origin Storage ist ein globaler Anbieter von IT-Storage-Lösungen und Komponenten. Das Produktportfolio umfasst Festplattenlösungen, RAID-Lösungen und OEM-Teile. Origin Storage ist stolz auf seinen erstklassigen Kundenservice, wettbewerbsfähige Preise und kompetente Vertriebsmitarbeiter. Das Unternehmen ist einzigartig, nicht nur in seiner Produktpalette, sondern auch in seiner Philosophie, die ein professionelles Einkaufserlebnis bietet. Origin Storage ist der ideale Partner für alle Ihre Storage-Management-Bedürfnisse.

8,0 GB (1 x 8 GB) 1867 MHz DDR3 SO-DIMM PC3-14900 204 Pin CL11 Speicher-Upgrade Speicher-Upgrade-Kit Für 2015 (spät) iMac 27 "mit Retina 5K-Modellen (Oktober 2015) Modell-ID: iMac17,1: 3,2 GHz i5, 3,3 GHz i5, 4,0 GHz i7 OWC Memory Lifetime Limited Warranty, einschließlich des OWC Lifetime Advanced Replacement Program Produktspezifikationen: Technologie: DDR3 SO-DIMM RoHS: Ja Pinanzahl: 204-Pin Op. Datenrate: DDR3-1867 Geschwindigkeit: PC3-14900 CL: 11 Zykluszeit: 1,875 ns Spannung: 1,35 V ECC: Nicht-ECC-Modul Ränge: Dual Rank Register: Non Parity. Rauscharme 8-Lagen-Platine Erfüllt und / oder übertrifft die Apple / Intel-Spezifikationen. Vollständig konform mit der JEDEC-Spezifikation. RoHS-zertifiziert "

Hersteller: Origin StorageModellname: OM8G31600SO2RX8NE135Gesamtkapazität: 8GBAnzahl der Module: 1xKapazität der Einzelmodule: 8GBArt des Speichers: DDR3-1600JEDEC Norm: PC3-12800SSpeichertyp: unbufferedBauform: SO-DIMMSpeicherinterface: DDR3Max. Frequenz: 1600MHzVerpackung: SingleSpannung: 1.35VAnschluss des Speichers: 204-pinBesonderheiten: Dual Rank / Low Voltage

RAM-Speicher:8 GBInterner Speichertyp:DDR3Speichertaktfrequenz:1600 MHzKomponente für:NotebookMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMSpeicherlayout (Module x Größe):2 x 4 GBCAS Latenz:11Speicherspannung:1.35 V:RoHSTemperaturbereich in Betrieb:0 - 85 °C MerkmaleRAM-Speicher8 GBSpeicherlayout (Module x Größe)2 x 4 GBInterner SpeichertypDDR3Speichertaktfrequenz1600 MHzKomponente fürNotebookMemory Formfaktor204-pin SO-DIMMECCNeinCAS Latenz11Speicherspannung1,35 VRoHSBetriebsbedingungenTemperaturbereich in Betrieb0 - 85 °C Hauptmerkmale \r \r Speicher \r RAM-Speicher 8 GB \r Interner Speichertyp DDR3 \r Speichertaktfrequenz 1600 MHz \r Komponente für Notebook \r ECC Nicht \r Memory form faktor 204-pin SO-DIMM \r Speicherlayout (Module x Größe) 2 x 4 GB \r CAS Latenz 11 \r Speicherspannung 1,35V \r \r Design \r RoHS \r \r Betriebsbedingungen \r Temperaturbereich in Betrieb 0 - 85 °C \r Das OWC1600DDR3S08S ist ein Kit aus zwei 4-GB-DDR3L-1600-Speichermodulen (PC3-12800). Die Gesamtkapazität beträgt 8 GB. Die 204-pin-unbuffered-SO-DIMMs unt

Speicherkapazität:8 GBSpeicherlayout (Module x Größe):1 x 8 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:LaptopMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMCAS Latenz:11Speichertaktfrequenz:1600 MHzSpeicherkanäle:Einfach-KanalSpeicherspannung:1.35 VBreite:67,6 mmHöhe:30 mmWarentarifnummer (HS):84733020 G.Skill 8GB DDR3-1600. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR3, Speichertaktfrequenz: 1600 MHz, Memory Formfaktor: 204-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 11Gewicht und AbmessungenBreite67,6 mmHöhe30 mmLogistikdatenWarentarifnummer (HS)84733020MerkmaleCAS Latenz11Speicherkapazität8 GBSpeicherlayout (Module x Größe)1 x 8 GBInterner SpeichertypDDR3Speichertaktfrequenz1600 MHzKomponente fürLaptopMemory Formfaktor204-pin SO-DIMMSpeicherkanäleEinfach-KanalSpeicherspannung1.35 V MerkmaleRAM-Speicher8 GBSpeicherlayout (Module x Größe)1 x 8 GBInterner SpeichertypDDR3Speichertaktfrequenz1600 MHzKomponente fürNotebookMemory Formfaktor204-pin SO-DIMMCAS Latenz11SpeicherkanäleSingle-chann

Speicherkapazität:8 GBSpeicherlayout (Module x Größe):1 x 8 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:LaptopMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMCAS Latenz:11Speichertaktfrequenz:1600 MHzGepufferter Speichertyp:Unregistered (unbuffered)Speicherspannung:1.5 VBreite:67,6 mmHöhe:30 mmWarentarifnummer (HS):84733020 G.Skill 8GB DDR3-1600. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR3, Speichertaktfrequenz: 1600 MHz, Memory Formfaktor: 204-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 11Gewicht und AbmessungenBreite67,6 mmHöhe30 mmLogistikdatenWarentarifnummer (HS)84733020MerkmaleCAS Latenz11Speicherkapazität8 GBSpeicherlayout (Module x Größe)1 x 8 GBInterner SpeichertypDDR3Speichertaktfrequenz1600 MHzKomponente fürLaptopMemory Formfaktor204-pin SO-DIMMECCNeinGepufferter SpeichertypUnregistered (unbuffered)Speicherspannung1.5 V AllgemeinKapazität8 GBErweiterungstypSystemspezifischArbeitsspeicherTypDRAM SpeichermodulTechnologieDDR3 SDRAMFormfaktorSO DIMM 204-PINGeschwindigkeit1600 MHz (

Der OWC-Speicher wurde speziell für die Kompatibilität mit Ihrem Mac entwickelt. Man beginnt mit den hochwertigsten Komponenten und erstellt dann Speicher, der den hohen Geschwindigkeits-, Kapazitäts- und Programmierspezifikationen nahezu aller aufrüstbaren Apple-Computer entspricht. Das Ergebnis ist ein JEDEC-kompatibler Speicher, der perfekt für einen schnelleren Mac geeignet ist. OWC-Speicher wird bei jedem Schritt des Herstellungsprozesses von Hand geprüft und auf Qualität getestet. Aber das ist noch nicht alles. OWC besitzt und unterhält hochmoderne Anlagen, in denen fast jeder Mac der letzten zwei Jahrzehnte hergestellt wurde. Das liegt daran, dass OWC nicht nur unermüdlich auf Qualität und Zuverlässigkeit testet. Sie testen in realen Maschinen, um sicherzustellen, dass der OWC-Speicher so optimiert ist, dass er ein Leben lang eine überragende Leistung in Ihrem Mac liefert.

DDR3, Modul, 8 GB, SO DIMM 204-PIN, 1600 MHz / PC3-12800, ungepuffert, non-ECC

Samsung 8GB DDR3 1600MHz Notebook RAM – PC3L-12800 M471B1G73EB0-YK0Der Samsung 8GB DDR3 Notebook-Arbeitsspeicher bietet eine leistungsstarke und zuverlässige Lösung für Ihr Notebook. Mit 1600MHz Taktfrequenz (PC3L-12800), niedriger Spannung von 1,35V und CL11-Latenz ist dieses SODIMM-Modul ideal für energieeffiziente und leistungsstarke Systeme geeignet.Technische DatenHersteller: SamsungModell: M471B1G73EB0-YK0Kapazität: 8GBTyp: DDR3L SODIMMTaktfrequenz: 1600MHz (PC3L-12800)Latenz: CL11Spannung: 1,35V (Low Voltage)Anschluss: 204-PinBesonderheitenPerfekt für Upgrades oder als Ersatz für en Notebook-RAM. Die geringe Spannung ermöglicht einen sparsamen Betrieb, ideal für moderne und ältere Geräte mit DDR3L-Unterstützung.Zustand: Technisch einwandfrei, mit memtest86+ geprüft. Leichte möglich.Lieferumfang1× Samsung 8GB DDR3L PC3L-12800 SODIMM RAM-Modul Speicherkapazität:8 GBSpeicherlayout (Module x Größe):1 x 8 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:LaptopMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMCAS Latenz:11Speichertaktfrequenz:1600 M

Samsung DDR3 SO-DIMM-Karte, 8 GB Produktart: Interner Speicher Marke: SAMSUNG Größe: 8 GB 1 x 8 GB

Speicherkapazität:8 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:PCMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMSpeichertaktfrequenz:1333 MHzSpeicherspannung:1.35 VJEDEC-Standard:JaKompatible Produkte:Apple Mac mini Core i5 2.5 (Late 2012) PHS-memory 8GB RAM Speicher für Apple Mac mini Core i5 2.5 (Late 2012) DDR3 SO DIMM 1333MHz (SP128110)

Der 8GB DDR3L 1600 RAM von Lenovo ist ein leistungsstarkes Speichermodul, das speziell für den Einsatz in Notebooks konzipiert wurde. Mit einer Speicherkapazität von 8 GB und einer Taktfrequenz von 1600 MHz bietet dieses Modul eine zuverlässige und effiziente Leistung für verschiedene Anwendungen. Der SO-DIMM Formfaktor sorgt für eine einfache Integration in kompatible Geräte, während die DDR3L-Technologie eine verbesserte Energieeffizienz ermöglicht. Dieses Modul ist ideal für Benutzer, die ihre Systemleistung steigern möchten, sei es für alltägliche Aufgaben oder anspruchsvollere Anwendungen. Hergestellt in Japan, erfüllt dieses Produkt hohe Qualitätsstandards und ist eine ausgezeichnete Wahl für die Aufrüstung von Notebooks. - Speicherkapazität von 8 GB für verbesserte Multitasking-Fähigkeiten - Taktfrequenz von 1600 MHz für schnelle Datenverarbeitung - SO-DIMM Formfaktor für einfache Installation in Notebooks - DDR3L-Technologie für geringeren Energieverbrauch und höhere Effizienz.

RAM-Speicher:8 GBInterner Speichertyp:DDR3Speichertaktfrequenz:1600 MHzKomponente für:NotebookECC:NichtMemory form faktor:204-pin SO-DIMMSpeicherlayout (Module x Größe):1 x 8 GBCAS Latenz:11Speicherspannung:1,35VModulkonfiguration:512M x 8Unbuffered Speicher:JaMemory ranking:2Temperaturbereich in Betrieb:0 - 85 °C Technische DatenTyp: DDR3L SO-DIMM 204-PinTakt: :1600MHzModule: 1x 8GBJEDEC: PC3L-12800SRanks/Bänke: dual rank, x8CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)Row-to-Column Delay tRCD: 11 (entspricht 13.75ns)Row Precharge Time tRP: 11 (entspricht 13.75ns)Spannung: 1.35VModulhöhe: 30mmBesonderheiten: Standard-SPD

DDR3L, Modul, 8 GB, SO DIMM 204-PIN, 1600 MHz / PC3L-12800, 1.35 V, ungepuffert, non-ECC

Der 8GB 1600MHz DDR3 Low Voltage RAM von Lenovo ist ein leistungsstarkes Speichermodul, das für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet ist. Mit einer Speicherkapazität von 8 GB und einer Taktfrequenz von 1600 MHz bietet dieses DDR3L-RAM eine effiziente und zuverlässige Leistung, die den Anforderungen moderner Computeranwendungen gerecht wird. Der SO-DIMM Formfaktor macht ihn ideal für Laptops und kompakte Systeme, während die niedrige Spannung für einen geringeren Energieverbrauch sorgt, was die Lebensdauer der Batterie in tragbaren Geräten verlängert. Das Modul ist mit 204 Pins ausgestattet und wurde in Japan hergestellt, was auf eine hohe Qualität und Zuverlässigkeit hinweist. Die Verwendung von DDR3L-1600 Chips gewährleistet eine optimale Leistung und Kompatibilität mit einer Vielzahl von Motherboards. Dieses RAM-Modul ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die die Leistung ihres Systems steigern möchten, sei es für alltägliche Aufgaben, Multimedia-Anwendungen oder anspruchsvolle Software. Mit dem Engagement des Herstellers für Nachhaltigkeit und Umweltbewusstsein ist dieses Produkt nicht nur leistungsstark, sondern auch verantwortungsbewusst hergestellt.

Der Lenovo Memory 8GB DDR3L 1600 ist ein leistungsstarkes Speichermodul, das speziell für Notebooks entwickelt wurde. Mit einer Speicherkapazität von 8 GB und einer Taktfrequenz von 1600 MHz bietet dieses DDR3L-RAM eine zuverlässige und effiziente Leistung für verschiedene Anwendungen. Die unbuffered Konfiguration sorgt für eine direkte Kommunikation zwischen dem RAM und der CPU, was die Reaktionsgeschwindigkeit und die Gesamtleistung des Systems verbessert. Mit einer Spannung von nur 1,35 Volt ist dieses Modul energieeffizient und trägt zur Verlängerung der Akkulaufzeit von Laptops bei. Hergestellt in Japan, erfüllt es hohe Qualitätsstandards und ist ideal für Nutzer, die eine zuverlässige Speichererweiterung für ihre mobilen Geräte suchen. - Speicherkapazität von 8 GB für verbesserte Multitasking-Fähigkeiten - Energieeffiziente 1,35 Volt Spannung - Unbuffered Design für schnellere Datenübertragung - Kompatibel mit einer Vielzahl von Notebooks.

Speicherkapazität:8 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:PCMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMSpeichertaktfrequenz:1333 MHzSpeicherspannung:1.5 VJEDEC-Standard:JaKompatible Produkte:Apple iMac Core i7 3.4GHz 27-Zoll (Late 2012) PHS-memory 8GB RAM Speicher für Apple iMac Core i7 3.4GHz 68,60cm (27") (Late 2012) DDR3 SO DIMM 1600MHz PC3-12800S (SP128170)

Speicherkapazität:8 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:PCMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMSpeichertaktfrequenz:1333 MHzSpeicherspannung:1.5 VJEDEC-Standard:JaKompatible Produkte:Apple iMac Core i5 2.9GHz 27-Zoll (Late 2012) PHS-memory 8GB RAM Speicher für Apple iMac Core i5 2.9GHz 68,60cm (27") (Late 2012) DDR3 SO DIMM 1600MHz PC3-12800S (SP128174)

8GB GSkill RipJaws SO-DIMM 8GB, DDR3-1600, CL11