4GB (1x 4GB) DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 204 PIN 1.5V CL9 Arbeitsspeicher mit Lebenslanger Garantie. Wir verwenden auschließlich Markenchips. Für die meisten Laptops, Notebooks & Netbooks mit DDR3 RAM Für Dual-Channel Geeignet. Maximale Performance und Stabilität. Dual Rank / Beidseitig Bestückt / Doppelseitig Bestückt

4GB (1x 4GB) DDR3 RAM SO-DIMM PC3L-12800S 2Rx8 1600 MHz 204 PIN 1.35V CL11 Arbeitsspeicher mit Lebenslanger Garantie. Wir verwenden auschließlich Markenchips. Für die meisten Laptops, Notebooks & Netbooks mit DDR3 RAM Für Dual-Channel Geeignet. Maximale Performance und Stabilität. Dual Rank / Beidseitig Bestückt / Doppelseitig Bestückt

Produktbeschreibung Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1333-2RN-09-11-F3 läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 1333 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1066 MHz.Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-10600S-09-11-F3 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL9. Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Kompatibel mit PC3-10600S-09-11-F3 wie z.B: Samsung M471B5273

Produktbeschreibung Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1600-2RL-11-12-F3 läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz.Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800S-11-12-F3 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11. Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Kompatibel mit PC3L-12800S-11-12-

Produktbeschreibung Unser 8GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-8G-SO-1600-2RX8-L läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz.Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3L-12800S-11 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL11. Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Produktdetails EAN: 4262360570593Speichertyp:

Produktbeschreibung Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1866-2RX8-N läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 1866 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1600 MHz, 1333 MHz, und 1066 MHz.Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-14900S-13 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL13. Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Produktdetails EAN: 4262360570876Speichertyp: DD

Produktbeschreibung Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1066-2RN-07-10-F2 läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.Die Speicherfrequenz beträgt 1066 MHz .Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-8500S-07-10-F2 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL7. Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix).Neuer Speicher.Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher.Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.Kompatibel mit PC3-8500S-07-10-F2 wie z.B: Samsung M471B5273BH1-CF8 Samsung M471B5273CH0-CF8 Hynix

Kingston Technology bietet verlässliche und kostengünstige Speicherlösungen für Desktops, Laptops, Workstations und Server an, die branchenführend sind. Die Speicherprodukte von Kingston werden gemäss den Industriestandardspezifikationen von JEDEC entwickelt. Dabei arbeitet Kingston eng mit Chipsatz-Architekten wie Intel, AMD und den führenden Herstellern von Hauptplatinen zusammen, um die Qualifikation ihrer Speicher zu gewährleisten und Kompatibilität sicherzustellen – sei es für Systeme grosser Marken oder für massgeschneiderte Lösungen. Mit einer lebenslangen eingeschränkten Garantie, kostenlosem technischen Support und einem Ruf für Zuverlässigkeit ist Kingston die Marke, der die Branche in Bezug auf ihre Speicherbedürfnisse vertraut.

G.Skill 4GB DDR3-1600. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 4 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 4 GB, Interner Speichertyp: DDR3, Speichertaktfrequenz: 1600 MHz, Memory Formfaktor: 204-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 9 Gewicht und Abmessungen Breite67,6 mm Höhe30 mm Logistikdaten Warentarifnummer (HS)84733020 Merkmale CAS Latenz9 Speicherkapazität4 GB Speicherlayout (Module x Größe)1 x 4 GB Interner SpeichertypDDR3 Speichertaktfrequenz1600 MHz Komponente fürLaptop Memory Formfaktor204-pin SO-DIMM ECCNein SpeicherkanäleEinfach-Kanal Speicherspannung1.35 V

G.Skill 8GB DDR3-1600. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 2 x 4 GB, Interner Speichertyp: DDR3, Speichertaktfrequenz: 1600 MHz, Memory Formfaktor: 204-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 11 Gewicht und Abmessungen Breite67,6 mm Höhe30 mm Logistikdaten Warentarifnummer (HS)84733020 Merkmale CAS Latenz11 Speicherkapazität8 GB Speicherlayout (Module x Größe)2 x 4 GB Interner SpeichertypDDR3 Speichertaktfrequenz1600 MHz Komponente fürLaptop Memory Formfaktor204-pin SO-DIMM ECCNein SpeicherkanäleZweikanalig Speicherspannung1.35 V

Das KCP3L16SD8/8 von Kingston ist ein SO-DDR3-Speichermodul für diverse Notebooks nach DDR3-1600-Standard mit einer Speicherkapazität von 8 GB. Es ist einseitig mit acht 512-Mbit-FBGA-Chips ausgestattet, die eine Datendichte von 4096 Mbit pro Speicherchip bieten. Der Anschluss erfolgt über 204-Pin, indem das Modul senkrecht zur Platine eingesetzt wird und parallel zu dieser liegt. Dank Low Voltage kann die Spannung auf bis zu 1,28 V reduziert werden, wodurch die Betriebstemperatur verringert wird.

PC3-12800 (1600 MHz) Datenrate 204-poliges Dual-Inline-Speichermodul Nicht-ECC ungepuffert Serial Presence-Detect (SPD) RoHS- und JEDEC-konform 100 % getestet. Kostenloser technischer Support und lebenslange Garantie

Speicherkapazität:8 GBSpeicherlayout (Module x Größe):1 x 8 GBInterner Speichertyp:DDR3LKomponente für:LaptopMemory Formfaktor:SO-DIMMSpeichertaktfrequenz:1600 MHzUnterstützt Windows-Betriebssysteme:Ja Lenovo - DDR3L - Modul - 8 GB - SO DIMM 204-PIN - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - ungepuffert - non-ECC - für G400| G405| G410| G500| G505| G510| G700| G710| IdeaPad Z710 Lenovo 11201514. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR3L, Speichertaktfrequenz: 1600 MHz, Memory Formfaktor: SO-DIMM Lenovo DDR3L 1600 (11201514)

Lenovo - DDR3L - Modul - 8 GB - SO DIMM 204-PIN - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - ungepuffert - non-ECC - für G50| G50-30| G50-45| G50-70| G70-70| G70-80| Y50| Y50-70| Z40-70| Z50-70| Z50-75| Z70-80 Lenovo 11201304. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR3L, Speichertaktfrequenz: 1600 MHz Lenovo DDR3L 1600 8GB (11201304)

Arbeitsspeicher - 1 × 8GB in der Packung, Typ: DDR3L, Frequenz: 1600 MHz, Durchlässigkeit: 12800 MB/s, Spannung: 1,35 V, Modul: PC3-12800, Unbuffered Arbeitsspeicher von Patriot, der für die Verwendung in modernen Ultrabooks entworfen wurde. Er ist also voll kompatibel mit Intel-Core-Prozessoren der 3. Generation und braucht nur 1,35 Volt. Das

Micron 8GB DDR4 3200MHz SO-DIMM Arbeitsspeicher MTA4ATF1G64HZ-3G2F1_0,007_6, Computer, Tablets & Netzwerk > Computer-Komponenten & -Teile > Arbeitsspeicher (RAM)

Samsung SO-DIMM 16GB DDR5 5600MHz PC5-44800 M425R2GA3BB0-CWM Ram Speicher, Computer, Tablets & Netzwerk > Computer-Komponenten & -Teile > Arbeitsspeicher (RAM)

8GB PC3-12800 DDR3-1600MHz non-ECC Unbuffered CL11 Chiphersteller:SamsungChiporganisation:512Mx8Datenintegritätsprüfung:non-ECCForm Faktor:SO-DIMM 204pinGeschwindigkeit:1600 MHz (PC3-12800)Jedec-Norm:Jedec NormKapazität:8GBLatenzzeit:CL11Modulhersteller:SamsungRAM-Merkmale:unbufferedTechnologie:DDR3 SDRAMVersorgungsspannung:1.35 V M471B1G73QH0-YK0 204PIN 16C/DS 2R 1,35V 1,18' Pb-/Halogen-free RoHS PC3-12800 2Y RAM SO-DIMM DDR3L 8GB / PC1600 /UB/ Samsung***

Samsung 2x 8GB Ram für Samsung NP-RF710-S02 DDR3 1600MHz SO-DIMM Samsung 16GB Kit.1600 MHzSamsung NP-RF710-S02 DDR3 1600MHz SO-DIMM