Das Speichermodul M391A2K43BB1-CPB von Samsung ist ein DDR4 UDIMM unbuffered ECC Dualrank Modul mit einer Kapazität von 16 GB und der Geschwindigkeit von 2133MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC4-2133P-E und hat die Organisation 2Rx8. Dabei ist es mit insgesamt 18 Chips beidseitig bestückt.
Das Speichermodul M471A2G43AB2-CWE von Samsung ist ein DDR4 SODIMM unbuffered Singlerank Modul mit einer Kapazität von 16 GB und der Geschwindigkeit von 3200MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC4-3200AA-S und hat die Organisation 1Rx8. Dabei ist es mit insgesamt 8 Chips beidseitig bestückt.
Das Speichermodul M471A1K43BB1-CPB von Samsung ist ein DDR4 SODIMM unbuffered Dualrank Modul mit einer Kapazität von 16 GB und der Geschwindigkeit von 2133MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC4-2133P-S und hat die Organisation 2Rx8. Dabei ist es mit insgesamt 16 Chips beidseitig bestückt.
Das Speichermodul M425R4GA3BB0-CWM von Samsung ist ein DDR5 SODIMM Dualrank Modul mit einer Kapazität von 32GB und der Geschwindigkeit von 5600MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC5-5600B-S und hat die Organisation 2Rx8. Dabei ist es mit insgesamt 16 Chips beidseitig bestückt.
Das Speichermodul M471A4G43AB1-CWE von Samsung ist ein DDR4 SODIMM unbuffered Dualrank Modul mit einer Kapazität von 32 GB und der Geschwindigkeit von 3200MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC4-3200AA-S und hat die Organisation 2Rx8. Dabei ist es mit insgesamt 16 Chips beidseitig bestückt.
Das Speichermodul M471A4G43MB1-CTD von Samsung ist ein DDR4 SODIMM unbuffered Dualrank Modul mit einer Kapazität von 32 GB und der Geschwindigkeit von 2666MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC4-2666V-S und hat die Organisation 2Rx8. Dabei ist es mit insgesamt 16 Chips beidseitig bestückt.
Das Speichermodul M393A4K40BB0-CPB von Samsung ist ein DDR4 RDIMM registered ECC Dualrank Modul mit einer Kapazität von 32 GB und der Geschwindigkeit von 2133MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC4-2133P-R und hat die Organisation 2Rx4. Dabei ist es mit insgesamt 36 Chips beidseitig bestückt.
Das Speichermodul M386A4G40DM0-CPB von Samsung ist ein DDR4 LRDIMM load reduced ECC Quadrank Modul mit einer Kapazität von 32 GB und der Geschwindigkeit von 2133MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC4-2133P-L und hat die Organisation 4DRx4. Dabei ist es mit insgesamt 36 Chips beidseitig bestückt.
Das Speichermodul M393A4K40CB2-CVF von Samsung ist ein DDR4 RDIMM registered ECC Dualrank Modul mit einer Kapazität von 32 GB und der Geschwindigkeit von 2933MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC4-2933Y-R und hat die Organisation 2Rx4. Dabei ist es mit insgesamt 36 Chips beidseitig bestückt.
Das Speichermodul M393A8G40MB2-CVF von Samsung ist ein DDR4 RDIMM registered ECC Dualrank Modul mit einer Kapazität von 64 GB und der Geschwindigkeit von 2933MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC4-2933Y-R und hat die Organisation 2Rx4. Dabei ist es mit insgesamt 36 Chips beidseitig bestückt.
Das Speichermodul M393A8G40BB4-CWE von Samsung ist ein DDR4 RDIMM registered ECC Dualrank Modul mit einer Kapazität von 64 GB und der Geschwindigkeit von 3200MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC4-3200AA-R und hat die Organisation 2Rx4. Dabei ist es mit insgesamt 36 Chips beidseitig bestückt.
Das Speichermodul M393A8G40AB2-CWE von Samsung ist ein DDR4 RDIMM registered ECC Dualrank Modul mit einer Kapazität von 64 GB und der Geschwindigkeit von 3200MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC4-3200AA-R und hat die Organisation 2Rx4. Dabei ist es mit insgesamt 36 Chips beidseitig bestückt.
Das Speichermodul M393A8K40B22-CWD von Samsung ist ein DDR4 RDIMM 3DS registered ECC Dualrank Modul mit einer Kapazität von 64 GB und der Geschwindigkeit von 2666MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC4-2666V-R und hat die Organisation 2S2Rx4. Dabei ist es mit insgesamt 36 Chips beidseitig bestückt.
Das Speichermodul M321R8GA0BB0-CQK von Samsung ist ein DDR5 RDIMM registered ECC Dualrank Modul mit einer Kapazität von 64 GB und der Geschwindigkeit von 4800MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC5-4800B-R und hat die Organisation 2Rx4. Dabei ist es mit insgesamt 40 Chips beidseitig bestückt.
Das Speichermodul M386A8K40BM2-CTD von Samsung ist ein DDR4 LRDIMM load reduced ECC Quadrank Modul mit einer Kapazität von 64 GB und der Geschwindigkeit von 2666MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC4-2666V-L und hat die Organisation 4DRx4. Dabei ist es mit insgesamt 36 Chips beidseitig bestückt.
Das Speichermodul M471A1K43DB1-CWE von Samsung ist ein DDR4 SODIMM unbuffered Singlerank Modul mit einer Kapazität von 8 GB und der Geschwindigkeit von 3200MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC4-3200AA-S und hat die Organisation 1Rx8. Dabei ist es mit insgesamt 8 Chips beidseitig bestückt.
Das Speichermodul HMAA4GS7AJR8N-WM von SK Hynix ist ein DDR4 SODIMM unbuffered ECC Dualrank Modul mit einer Kapazität von 32 GB und der Geschwindigkeit von 2933MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC4-2933Y-T und hat die Organisation 2Rx8. Dabei ist es mit insgesamt 18 Chips beidseitig bestückt.
Das Speichermodul HMAA4GU7AFR8N-WM von SK Hynix ist ein DDR4 UDIMM unbuffered ECC Dualrank Modul mit einer Kapazität von 32 GB und der Geschwindigkeit von 2933MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC4-2933Y-E und hat die Organisation 2Rx8. Dabei ist es mit insgesamt 18 Chips beidseitig bestückt.
Das Speichermodul HMAA4GS6AJR8N-XN von Hynix ist ein DDR4 SODIMM unbuffered Dualrank Modul mit einer Kapazität von 32 GB und der Geschwindigkeit von 3200MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC4-3200AA-S und hat die Organisation 2Rx8. Dabei ist es mit insgesamt 16 Chips beidseitig bestückt.
Das Speichermodul HMAA8GL7AMR4N-VK von Hynix ist ein DDR4 LRDIMM load reduced ECC Quadrank Modul mit einer Kapazität von 64 GB und der Geschwindigkeit von 2666MT/s. Es entspricht damit der Klasse PC4-2666V-L und hat die Organisation 4DRx4. Dabei ist es mit insgesamt 36 Chips beidseitig bestückt.