Frequenz: 1600 MHz Speicherkapazität: 8GB Chipsorganisation: 512x8

Das Silicon Power SODIMM DDR3 8GB 1600MHz CL11 1.35V RAM ist ideal für Laptop-Benutzer, die nach einer zuverlässigen und effizienten Komponente suchen, um die Leistung ihres Gerätes zu verbessern. Dieses Modul bietet 8 GB Arbeitsspeicher, der sowohl den Anforderungen alltäglicher Anwendungen als auch anspruchsvolleren Aufgaben gerecht wird. Die verwendete Low-Voltage-Technologie von 1,35 V ermöglicht eine höhere , was besonders bei der Arbeit mit Laptops wichtig ist. Dank des DDR3L-Standards erhalten wir eine hohe Leistung mit einer Taktrate von 1600 MHz und einer niedrigen CAS-11-Latenz, was sich in einer besseren Leistung bei alltäglichen Anwendungen niederschlägt.Speicherchip: 1 x 8 GBARBEITSSPEICHER: 8 GBECC-Korrektur: NeinSpeicher-Typ: 204-Stift SO-DIMMSpeicherspannung: 1.35 VModus-Einstellung: 512M x 8Typ des gepufferten Speichers: Unregistriert (ungepuffert)Taktrate des Speichers: 1600 MHzRAM-Typ: DDR3LCAS-Latenzzeit: 11 SILICON POWER DDR3 8 GB 1600 MHz CL11 SO-DIMM 1,35 V NiederspannungSILICON POWER DDR3 8 GB 1600 MHz

Samsung 2x 8GB Ram für Toshiba Satellite Pro L850-1G5 DDR3 1600MHz SO-DIMM Samsung 16GB Kit.1600 MHzToshiba Satellite Pro L850-1G5 DDR3 1600MHz SO-DIMM

Der DDR3L 8 GB SO DIMM 204-PIN von Lenovo ist ein leistungsstarker Arbeitsspeicher, der speziell für Notebooks entwickelt wurde. Mit einer Speicherkapazität von 8 GB und einer Taktfrequenz von 1600 MHz bietet dieser RAM-Modul eine zuverlässige und effiziente Leistung für verschiedene Anwendungen. Der SO-DIMM Formfaktor sorgt für eine kompakte Bauweise, die ideal für mobile Geräte ist. Der unbuffered RAM ermöglicht eine schnellere Datenverarbeitung, was die Gesamtleistung des Systems verbessert. Mit einer Betriebsspannung von nur 1,35 Volt ist dieser Arbeitsspeicher energieeffizient und trägt zur Verlängerung der Akkulaufzeit von Notebooks bei. Hergestellt in Japan, erfüllt dieser Speicher die hohen Qualitätsstandards von Lenovo und ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die die Leistung ihres Notebooks steigern möchten. - Speicherkapazität von 8 GB für verbesserte Multitasking-Fähigkeiten - Taktfrequenz von 1600 MHz für schnelle Datenverarbeitung - Unbuffered Design für optimierte Systemleistung - Energieeffiziente 1,35 Volt Betriebsspannung.

Das 8.0GB PC3-10600 DDR3 1333MHz SO-DIMM 204 Pin CL9 SO-DIMM Speicher-Modul von Other World Computing ist eine leistungsstarke und zuverlässige Lösung zur Erweiterung des Arbeitsspeichers für kompatible Apple-Geräte. Mit einer Kapazität von 8 GB und einer Geschwindigkeit von 1333 MHz (PC3-10600) bietet dieses Modul eine verbesserte Leistung für Anwendungen, die eine hohe Speicherkapazität erfordern. Es ist speziell für den Einsatz in iMacs und MacBook Pros konzipiert, die eine SO-DIMM 204-Pin-Schnittstelle nutzen. Das Modul ist ungepuffert und non-ECC, was es ideal für den Einsatz in Desktop-Umgebungen macht, in denen Stabilität und Geschwindigkeit gefragt sind. Die CL9-Latenz sorgt für eine effiziente Datenverarbeitung, während die Betriebsspannung von 1,5 V eine optimale Energieeffizienz gewährleistet. Dieses Modul ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die die Leistung ihrer Systeme steigern möchten. - Kompatibel mit Apple Mac mini (Mitte 2011) und MacBook Pro (Anfang und Ende 2011) - Ungepuffert und non-ECC für verbesserte Stabilität - Dual Rank Konfiguration für optimierte Leistung - Energieeffizient mit einer Betriebsspannung von 1,5 V - CL9 Latenz für schnelle Datenverarbeitung.