Das ADATA AX5U5600C468G-SLABWH ist ein Kit aus zwei 8 GB DDR5-5600-Speichermodul (PC5-44800) aus der XPG Lancer Blade Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 16 GB. Die 288-Pin-DIMMs unterstützen eine Latenz von 46-45-45 bei 5600 MHz und benötigen eine Spannung von 1,4 Volt. Intels XMP Version 3.0 und AMD EXPO werden unterstützt.
Steigern Sie die Systemleistung und sorgen Sie für zuverlässige Stabilität mit der G.Skill F3-1600C11D-8GIS dem idealen Upgrade für anspruchsvolle PC-Enthusiasten Gamer und IT-Profis. Eigenschaften Memoria RAM G.Skill F3-1600C11D-8GIS 8GB 2x4GB DDR3 1600MHz CL11 Die G.Skill F3-1600C11D-8GIS nutzt die Dual-Channel-Technologie mit insgesamt 8 GB (2 x 4 GB) und hebt Multitasking und rechenintensive Anwendungen auf ein neues Level. Mit einer Frequenz von 1600 MHz und CAS-Latenz CL11 liefert sie die nötige Geschwindigkeit für aktuelle Betriebssysteme flüssiges Gaming professionelle Bild- und Videobearbeitung oder Virtualisierung. Ungepufferter (unbuffered) Speicher garantiert maximale Kompatibilität zu den meisten Desktop-Mainboards und sorgt für eine einfache Installation. Die Module im DIMM-Format mit 240 Pins ermöglichen schnelle Datenübertragungen und sind für den Betrieb mit 1 5 Volt optimiert was geringe Wärmeentwicklung und stabilen Dauerbetrieb gewährleistet. Der verbaute Kühlkörper sichert zusätzliche the...
Hersteller: G.SkillModellname: RipJawsGesamtkapazität: 8GBAnzahl der Module: 2xKapazität der Einzelmodule: 4GBArt des Speichers: DDR4-2400JEDEC Norm: PC4-19200SSpeichertyp: unbufferedBauform: SO-DIMMSpeicherinterface: DDR4Max. Frequenz: 2400MHzVerpackung: Dual KitSpannung: 1.20VAnschluss des Speichers: 260-pinLatenz (CL): CL16RAS to CAS Delay (tRCD): 16Ras Precharge Time (tRP): 16Row Active Time (tRAS): 39
Hersteller: G.SkillModellname: AegisGesamtkapazität: 8GBAnzahl der Module: 2xKapazität der Einzelmodule: 4GBArt des Speichers: DDR3-1600JEDEC Norm: PC3-12800USpeichertyp: unbufferedBauform: DIMMSpeicherinterface: DDR3Max. Frequenz: 1600MHzVerpackung: Dual KitSpannung: 1.50VAnschluss des Speichers: 240-pinLatenz (CL): CL11RAS to CAS Delay (tRCD): 11Ras Precharge Time (tRP): 11Row Active Time (tRAS): 28