8GB G.Skill Value DDR4-2133 DIMM CL15 Dual Kit-G.Skill
Hersteller: G.SkillModellname: ValueGesamtkapazität: 8GBAnzahl der Module: 2xKapazität der Einzelmodule: 4GBArt des Speichers: DDR4-2133JEDEC Norm: PC4-17066USpeichertyp: unbufferedBauform: DIMMSpeicherinterface: DDR4Max. Frequenz: 2133MHzVerpackung: Dual KitSpannung: 1.20VAnschluss des Speichers: 288-pinLatenz (CL): CL15RAS to CAS Delay (tRCD): 15Ras Precharge Time (tRP): 15Row Active Time (tRAS): 35
Hersteller: CorsairModellname: VengeanceGesamtkapazität: 16GBAnzahl der Module: 2xKapazität der Einzelmodule: 8GBArt des Speichers: DDR4-2933JEDEC Norm: PC4-23466SSpeichertyp: unbufferedBauform: SO-DIMMSpeicherinterface: DDR4Max. Frequenz: 2933MHzVerpackung: Dual KitSpannung: 1.20VAnschluss des Speichers: 260-pinLatenz (CL): CL19RAS to CAS Delay (tRCD): 19Ras Precharge Time (tRP): 19Row Active Time (tRAS): 47
Hersteller: G.SkillModellname: AegisGesamtkapazität: 16GBAnzahl der Module: 2xKapazität der Einzelmodule: 8GBArt des Speichers: DDR4-2400JEDEC Norm: PC4-19200USpeichertyp: unbufferedBauform: DIMMSpeicherinterface: DDR4Max. Frequenz: 2400MHzVerpackung: Dual KitSpannung: 1.20VAnschluss des Speichers: 288-pinLatenz (CL): CL17RAS to CAS Delay (tRCD): 17Ras Precharge Time (tRP): 17Row Active Time (tRAS): 39
DDR4 8 GB Single 2666 MHz neue Generation von DRAM-Modul 1,2 niedrige Betriebsspannung Perfekte Übereinstimmung mit den Spezifikationen von JEDEC QVL-genehmigt von Mainstream-Motherboard-Herstellern Internationale Produkte haben separate Bedingungen, werden aus dem Ausland verkauft und können sich von lokalen Produkten unterscheiden, einschließlich Passform, Alterseinstufungen und Sprache des Produkts, Kennzeichnung oder Anweisungen.
Hersteller: CorsairModellname: VengeanceGesamtkapazität: 32GBAnzahl der Module: 2xKapazität der Einzelmodule: 16GBArt des Speichers: DDR4-3000JEDEC Norm: PC4-24000SSpeichertyp: unbufferedBauform: SO-DIMMSpeicherinterface: DDR4Max. Frequenz: 3000MHzVerpackung: Dual KitSpannung: 1.20VAnschluss des Speichers: 260-pinLatenz (CL): CL18RAS to CAS Delay (tRCD): 20Ras Precharge Time (tRP): 20Row Active Time (tRAS): 38