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Kapazitäten: 1 TB, 2 TB und 4 TB Leistungsstarke NVMe-SSD im M.2-Formfaktor (2280) V-NAND Speichertechnologie Lesegeschwindigkeit bis zu 7.150 MB/s, Schreibgeschwindigkeit bis zu 6.900 MB/s 73 % energieeffizienter pro Watt im Vergleich zur 990 EVO Intelligentes Temperaturmanagement für konstante Leistung
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Produktbeschreibung : Samsung 980 MZ-V8V500BW - Solid-State-Disk - 500 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe)Typ : Solid-State-Disk - internKapazität : 500 GBHardwareverschlüsselung : JaVerschlüsselungsalgorithmus : 256-Bit-AESFormfaktor : M.2 2280Schnittstelle : PCI Express 3.0 x4 (NVMe)Merkmale : TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), NVM Express (NVMe) 1.4, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Samsung Pablo Controller, Intelligent TurboWrite Technology, moderne Temperaturregelung, S.M.A.R.T.Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) : 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mmGewicht : 8 gLeistungsstarke und kosteneffiziente PCIe 3.0 NVMe SSD für Gaming und AlltagsanwendungenModerne V-NAND Speichertechnologie im kompakten M.2-Formfaktor (2280)Hohe DatentransfergeschwindigkeitenIntelligent TurboWrite 2.0 mit dynamischem Pufferspeicher für eine lang anhaltend hohe PerformanceUnterstützt den Full Power Mode für höchstmögliche Performance bei niedriger Latenz
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Produktbeschreibung : Samsung 980 MZ-V8V1T0BW - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe)Typ : Solid-State-Disk - internKapazität : 1 TBHardwareverschlüsselung : JaVerschlüsselungsalgorithmus : 256-Bit-AESFormfaktor : M.2 2280Schnittstelle : PCI Express 3.0 x4 (NVMe)Merkmale : TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), NVM Express (NVMe) 1.4, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Samsung Pablo Controller, Intelligent TurboWrite Technology, moderne Temperaturregelung, S.M.A.R.T.Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) : 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mmGewicht : 8 gLeistungsstarke und kosteneffiziente PCIe 3.0 NVMe SSD für Gaming und AlltagsanwendungenModerne V-NAND Speichertechnologie im kompakten M.2-Formfaktor (2280)Hohe DatentransfergeschwindigkeitenIntelligent TurboWrite 2.0 mit dynamischem Pufferspeicher für eine lang anhaltend hohe PerformanceUnterstützt den Full Power Mode für höchstmögliche Performance bei niedriger Latenz
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