32GB RAM-KIT bestehend aus 1x 32GB 2Rx8 PC4-25600 DDR4 3200MHz 1.2 V ECC UNBUFFERED (MTA18ASF4G72AZ-3G2). Das Micron UDIMM hat 288-Pin und eine Latenz von CL22.
32GB RAM-KIT bestehend aus 1x 32GB 2Rx4 PC4-21300 DDR4 2666MHZ 1.2 V ECC REGISTERED (M393A4K40CB2-CTD). Das Samsung RDIMM hat 288-Pin und eine Latenz von CL19. Es ist mit 36 FBGA(78ball) 2Gx4 DRAM Bausteinen aufgebaut.
64GB RAM-KIT bestehend aus 1x 64GB 4DRx4 PC4-21300 DDR4 2666MHZ 1.2 V ECC LOAD REDUCED DIMM (M386A8K40CM2-CTD). Das Samsung LRDIMM hat 288-Pin und eine Latenz von CL19. Es ist mit 36 FBGA(78ball) 4Gx4 (DDP) DRAM Bausteinen aufgebaut.
64GB RAM-KIT bestehend aus 1x 64GB 4DRx4 PC4-21300 DDR4 2666MHZ 1.2 V ECC LOAD REDUCED DIMM (M386A8K40CM2-CTD). Das Samsung LRDIMM hat 288-Pin und eine Latenz von CL19. Es ist mit 36 FBGA(78ball) 4Gx4 (DDP) DRAM Bausteinen aufgebaut.