ADESTO CORPORATIO AT45DB641E-SHN - NOR-Flash-Speicher 64Mb, 2,3V, Seriell, SPI, 85MHz, SOL-8 AT45DB641E-SHN-T
Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, SPI, SOL-8 0.208'', 85Mhz, 32K Seiten x 264 Byte Merkmale: . Versorgungsspannung 1,7V - 3,6V . Serielle Peripherieschnittstelle (SPI) kompatibel - Unterstützt die SPI-Modi 0 und 3 - Unterstützt den Betrieb von RapidS . Kontinuierliche Lesefähigkeit über das gesamte Array hinweg - Bis zu 85MHz - Low-Power-Leseoption bis zu 15MHz - Clock-to-Output-Zeit (tV) von maximal 6ns . Benutzerdefinierbare Seitengröße - 256 Bytes pro Seite - 264 Bytes pro Seite (Standard) - Die Seitengröße kann werkseitig für 256 Byte vorkonfiguriert werden. . 2 unabhängige SRAM-Datenpuffer (256/264 Bytes) - Ermöglicht den Empfang von Daten während der Neuprogrammierung der Hauptspeicheranordnung . Flexible Programmiermöglichkeiten - Byte/Seitenprogramm (1 bis 256/264 Bytes) direkt in den Hauptspeicher - Puffer-Schreiben - Pufferung zum Hauptspeicherseitenprogramm . Flexible Löschoptionen - Seitenlöschung (256/264 Bytes) - Block löschen (2KB) - Sektor löschen (256KB) - Chip-Löschung (64-Mbit/s) . Suspend / Resume programmieren und löschen . Erweiterte Funktionen zum Schutz von Hard- und Softwaredaten - Individueller Sektorenschutz - Individuelle Sektorsperre, um jeden Sektor dauerhaft schreibgeschützt zu machen. . 128-Byte-OTP-Sicherheitsregister (One-Time Programmable) - 64 Bytes werkseitig mit einer eindeutigen Kennung programmiert - 64 Byte benutzerdefiniert programmierbar . Hardware- und softwaregesteuerte Reset-Optionen . JEDEC Standard Hersteller und Geräte-ID . Geringe Verlustleistung - 400nA Ultra-Deep Power-Down Strom (typisch) - 5µA Deep Power-Down Strom (typisch) - 25µA Standby-Strom (typisch) - 7mA Aktiv Lesestrom (typisch) . Lebensdauer: 100.000 Programm-/Löschzyklen pro Seite . Vorratsdatenspeicherung: 20 Jahre . Entspricht den gesamten industriellen Temperaturbereich . Grüne (Pb/Halide-Free/RoHS-konform) . Gehäusebauform - 8-pol-SOIC ( 0.208'' breit)