Der 4GB DDR3L RAM mit einer Taktfrequenz von 1600 MHz ist ein leistungsstarker Arbeitsspeicher, der speziell für den Einsatz in Notebooks konzipiert wurde. Mit einem SO-DIMM Formfaktor und einer Spannung von nur 1,35 Volt bietet dieser RAM eine energieeffiziente Lösung für mobile Geräte. Die unbuffered Konfiguration sorgt für eine direkte Verbindung zwischen dem RAM und der CPU, was die Datenübertragungsgeschwindigkeit optimiert. Mit 204 Pins ist dieser Arbeitsspeicher kompatibel mit einer Vielzahl von Notebooks, die DDR3L unterstützen. Die Speicherkapazität von 4GB ermöglicht eine flüssige Ausführung von Anwendungen und verbessert die Multitasking-Fähigkeiten des Geräts. Dieser RAM ist ideal für Benutzer, die eine zuverlässige und effiziente Speichererweiterung suchen, um die Leistung ihres Notebooks zu steigern. Die Verwendung von DDR3L-Technologie gewährleistet eine hohe Datenübertragungsrate und eine verbesserte Energieeffizienz, was ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für moderne mobile Computer macht.

Das 4.0GB (2x 2GB) PC-8500 DDR3 1066MHz SO-DIMM Speicherupgrade-Modul von Other World Computing ist eine leistungsstarke Lösung zur Erweiterung des Arbeitsspeichers für Laptops. Mit einer Speicherkapazität von 4 GB, aufgeteilt in zwei Module zu je 2 GB, bietet dieses SO-DIMM-Modul eine zuverlässige und effiziente Leistung. Es ist speziell für den Einsatz in Notebooks konzipiert und unterstützt eine Speichertaktfrequenz von 1066 MHz, was eine schnelle Datenverarbeitung ermöglicht. Die unbuffered und non-ECC Eigenschaften sorgen für eine verbesserte Stabilität und Zuverlässigkeit, während die CAS-Latenz von 7 eine reaktionsschnelle Leistung gewährleistet. Dieses Modul ist eine ideale Wahl für Benutzer, die die Leistung ihrer Geräte steigern möchten, sei es für alltägliche Anwendungen oder anspruchsvollere Aufgaben. - Speicherkapazität von 4 GB, aufgeteilt in 2 Module zu je 2 GB - Unterstützt eine Speichertaktfrequenz von 1066 MHz - Unbuffered und non-ECC für verbesserte Stabilität - CAS-Latenz von 7 für reaktionsschnelle Leistung.

Speicherkapazität:4 GBInterner Speichertyp:DDR3Memory Formfaktor:204-pin SO-DIMMKompatible Produkte:Shuttle XPC all-in-one X50V2 PLUS PHS-memory 4GB RAM Speicher für Shuttle X50V2 PLUS DDR3 SO DIMM (SP128071)

Speicherkapazität:4 GBInterner Speichertyp:DDR3Memory Formfaktor:204-pin SO-DIMMKompatible Produkte:Toshiba Tecra A11 PHS-memory 4GB RAM Speicher für Toshiba Tecra A11 DDR3 SO DIMM 1066MHz PC3-8500S (SP122557)

Produktbeschreibung: HP - DDR4 - Modul - 16 GB - SO DIMM 260-PIN - 3200 MHz / PC4-25600, Produkttyp: Speichermodul, Kapazität: 16 GB, Speichertyp: DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN, Erweiterungstyp: Systemspezifisch, Geschwindigkeit: 3200 MHz (PC4-25600), Spannung: 1.2 V, Äquivalente Teilenummer OEM-Hersteller: HP L89721-001

Speicherkapazität:4 GBInterner Speichertyp:DDR3Komponente für:LaptopMemory Formfaktor:204-pin SO-DIMMSpeichertaktfrequenz:1600 MHzSpeicherspannung:1.35 VJEDEC-Standard:JaKompatible Produkte:Acer Aspire E5-721-685U PHS-memory 4GB RAM Speicher für Acer Aspire E5-721-685U DDR3 SO DIMM 1600MHz (SP175236)

Das 8.0GB PC3-10600 DDR3 1333MHz SO-DIMM 204 Pin CL9 SO-DIMM Speicher-Modul von Other World Computing ist eine leistungsstarke und zuverlässige Lösung zur Erweiterung des Arbeitsspeichers für kompatible Apple-Geräte. Mit einer Kapazität von 8 GB und einer Geschwindigkeit von 1333 MHz (PC3-10600) bietet dieses Modul eine verbesserte Leistung für Anwendungen, die eine hohe Speicherkapazität erfordern. Es ist speziell für den Einsatz in iMacs und MacBook Pros konzipiert, die eine SO-DIMM 204-Pin-Schnittstelle nutzen. Das Modul ist ungepuffert und non-ECC, was es ideal für den Einsatz in Desktop-Umgebungen macht, in denen Stabilität und Geschwindigkeit gefragt sind. Die CL9-Latenz sorgt für eine effiziente Datenverarbeitung, während die Betriebsspannung von 1,5 V eine optimale Energieeffizienz gewährleistet. Dieses Modul ist eine ausgezeichnete Wahl für alle, die die Leistung ihrer Systeme steigern möchten. - Kompatibel mit Apple Mac mini (Mitte 2011) und MacBook Pro (Anfang und Ende 2011) - Ungepuffert und non-ECC für verbesserte Stabilität - Dual Rank Konfiguration für optimierte Leistung - Energieeffizient mit einer Betriebsspannung von 1,5 V - CL9 Latenz für schnelle Datenverarbeitung.